一种无芯基板的结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种无芯基板的制造方法，包括：在第一铜箔上形成第一层导电线路；通过第一压合工艺在第一导电线路上压合第一半固化片和第二铜箔；利用所述第二铜箔形成第二导电线路；通过第二压合工艺在所述第二导电线路上压合所述第二半固化片和第三铜箔；去除所述第一铜箔和第三铜箔并进行钻孔，以形成从所述第二半固化片外表面通向所述第二导电线路的一个或多个第一盲孔以及从所述第一导电线路通向所述第二导电线路的一个或多个第二盲孔；以及填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三导电线路。

【技术实现步骤摘要】
一种无芯基板的结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种无芯基板的结构及其制造方法。
技术介绍
为了满足电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，芯片的小型化、智能化使得芯片封装引脚的数量在提升的同时，封装引脚的尺寸也在快速下降；同时，系统级封装SiP(SystemInaPackage)又要求将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件封装成一个功能系统，这就提出了在一个封装基板上实现多个高性能芯片的封装要求。当芯片的芯片焊盘间距小于50μm的情况下，封装必须采用BOT(BumponTrace)技术，将芯片表面的铜柱凸点直接键合在基板精细线路上，要求基板键合线路尺寸小于25μm。现有技术在有芯基板上制造精细线路是通过MSAP或SAP工艺实现的，而这种制造方法制造的线路当线宽/线距小于20μm/20μm时，如图1所示，线路120仅底部接触其底部绝缘树脂110，因此，线路的结合力非常小，在采用BOT封装结构时，20μm以下的线路和焊球焊接过程中，有线路剥离的风险，而且线路越细，风险越大。目前加工制造的三层高密度封装基板，主要采用的是在承载板两侧同时制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无芯基板的制造方法，包括：在第一铜箔上形成第一层导电线路；通过第一压合工艺在所述第一导电线路上压合第一半固化片和第二铜箔，其中所述第一压合工艺保持所述第一半固化片的半固化状态不变，并使所述第一半固化片的半固化绝缘树脂填充在所述第一导电线路间的间隙中；利用所述第二铜箔形成第二导电线路；通过第二压合工艺在所述第二导电线路上压合所述第二半固化片和第三铜箔，其中所述第二压合工艺使所述第一半固化片和第二半固化片固化，并使所述第二半固化片的半固化绝缘树脂填充在所述第二导电线路间的间隙中；去除所述第一铜箔和第三铜箔并进行钻孔，以形成从所述第二半固化片外表面通向所述第二导电线路的一个或多个第一盲孔以及从所...

【技术特征摘要】
1.一种无芯基板的制造方法，包括：在第一铜箔上形成第一层导电线路；通过第一压合工艺在所述第一导电线路上压合第一半固化片和第二铜箔，其中所述第一压合工艺保持所述第一半固化片的半固化状态不变，并使所述第一半固化片的半固化绝缘树脂填充在所述第一导电线路间的间隙中；利用所述第二铜箔形成第二导电线路；通过第二压合工艺在所述第二导电线路上压合所述第二半固化片和第三铜箔，其中所述第二压合工艺使所述第一半固化片和第二半固化片固化，并使所述第二半固化片的半固化绝缘树脂填充在所述第二导电线路间的间隙中；去除所述第一铜箔和第三铜箔并进行钻孔，以形成从所述第二半固化片外表面通向所述第二导电线路的一个或多个第一盲孔以及从所述第一导电线路通向所述第二导电线路的一个或多个第二盲孔；以及填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三导电线路。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在第一铜箔上形成第一层导电线路之前，通过离型膜将所述第一铜箔附连到芯板上。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在所述第二导电线路上压合所述第二半固化片和第三铜箔之后，从所述离型膜将所述第一铜箔至所述第三铜箔的结构剥离所述芯板。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一铜箔上形成第一层导电线路包括：通过光刻工艺在所述第一铜箔上形成电镀掩膜；通过电镀工艺形成第一导电线路；以及去除所述电镀掩膜。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述第二铜箔形成第二导电线路包括：通过光刻工艺在所述第二铜箔上形成刻蚀掩膜；利用刻蚀掩膜进行刻蚀工艺以形成第二导电线路。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一铜箔和第三铜箔并进行钻孔包括：将所述第一铜箔和第三铜箔的厚度减薄至6μm以下；在所述第一铜箔和第三铜箔上进行激光钻孔并去除孔内胶渣，以形成从所述第二半固化片外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，张绪，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32