一种待成膜基板及等离子体设备制造技术

本发明专利技术实施例提供一种待成膜基板及等离子体设备，涉及显示技术领域，可促进待成膜基板边缘区域反应气体的电离。该待成膜基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。用于使等离子体分布均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种待成膜基板及等离子体设备
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种待成膜基板及等离子体设备。
技术介绍
目前，等离子体在显示产品制备过程中的应用越来越广泛，例如利用等离子体化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)形成栅极绝缘层(GateInsulator，简称GI)、有源层(Active)以及钝化层(Passivation，简称PVX)等，或者干刻工艺中利用等离子体在待成膜基板上刻蚀形成图案等。以PECVD为例，如图1所示，当利用PECVD设备在待成膜基板40上沉积膜层时，将待成膜基板40放在第一电极10和第二电极20之间，从气体通道30流出的反应气体在第一电极10和第二电极20之间电场的作用下形成等离子体(Plasma)50，沉积在待成膜基板40上形成薄膜。为了提高形成的薄膜的致密性，减小薄膜缺陷，常会提高PECVD的沉积温度，一般PECVD的成膜温度控制在200℃～400℃。然而，若将成膜温度提高到400℃以上，如图2所示，常会在待成膜基板40的边缘产生一种粒径为5～10μm左右的球状颗粒(Particle)，而这种类型的颗粒是在成膜过程中产生的，其原因是如图1所示，由于等离子体50在第一电极10和第二电极20之间一般呈椭球型，边缘区域等离子体50的密度比中心区域低，待成膜基板40边缘区域反应气体电离不充分，因而在高温条件下未电离的反应气体会与反应生成物进行二次反应生成颗粒。示例的，硅(Si)与氢气(H2)电离后反应生成SiH4，边缘区域由于硅(Si)与氢气(H2)电离不充分，因而SiH4又会与未电离的硅(Si)或氢气(H2)反应生成Si2H6等颗粒。由于二次反应生成的颗粒粒径较小，采用清洗设备很难洗掉，从而会导致产品良率下降。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种待成膜基板及等离子体设备，可促进待成膜基板边缘区域反应气体的电离。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种待成膜基板，包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。优选的，所述第一辅助电极为导电环。优选的，所述待成膜基板还包括：设置在所述衬底基板的第二表面的中心区域的第二辅助电极。进一步优选的，所述待成膜基板还包括第三辅助电极；所述第二辅助电极通过所述第三辅助电极与所述第一辅助电极相连接。优选的，所述辅助电极为透明电极。另一方面，提供一种等离子体设备，包括：相对设置的第一电极和第二电极；所述第一电极具有多个通孔；设置在所述第二电极靠近所述第一电极一侧的第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述第二电极的边缘设置一周；气体通道，所述气体通道设置在所述第一电极远离所述第二电极的一侧；所述气体通道具有气体出口，所述气体出口正对所述第一电极。优选的，第一辅助电极为导电环。优选的，所述等离子体设备还包括设置在所述第二电极靠近所述第一电极一侧、且位于所述气体出口正对的区域的第二辅助电极。进一步优选的，所述等离子体设备还包括第三辅助电极；所述第二辅助电极通过所述第三辅助电极与所述第一辅助电极相连接。优选的，所述等离子设备为等离子体化学气相沉积设备。本专利技术实施例提供一种待成膜基板及等离子体设备，由于衬底基板的第二表面的边缘设置有第一辅助电极，因而在将待成膜基板放入等离子体设备中的第一电极和第二电极之间时，且待成膜基板的第一表面朝向第一电极，由于第一辅助电极与第一电极之间的距离小于第一电极和第二电极之间的距离，因而第一辅助电极与第一电极之间气体的击穿电压小于第一电极和第二电极之间气体的击穿电压，因此第一辅助电极正对的位置处，气体更容易被电离，形成的等离子体更多。基于此，当待成膜基板通过PECVD设备成膜时，由于待成膜基板的衬底基板的第二表面的边缘设置有第一辅助电极，因而可以促进待成膜基板边缘区域反应气体的电离，从而避免了未电离的反应气体与反应生成物反应形成颗粒，减小了在成膜过程中待成膜基板边缘形成的颗粒，且第二表面边缘设置的第一辅助电极可以使等离子体的分布范围更大，从而使得待成膜基板上形成的薄膜分布更均匀，提高了成膜的均一性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种将待成膜基板放入等离子体设备的结构示意图；图2为现有技术提供的一种待成膜基板的边缘形成有多个颗粒的结构示意图；图3(a)为现有技术提供的一种气体放电的结构示意图；图3(b)为现有技术提供的一种气体放电的伏-安特性曲线图；图4为现有技术提供的一种在铁阴极下空气和氦气的帕邢曲线图；图5(a)为本专利技术实施例提供的一种待成膜基板的结构示意图一；图5(b)为本专利技术实施例提供的一种待成膜基板的结构示意图二；图5(c)为本专利技术实施例提供的一种待成膜基板的结构示意图三；图6为本专利技术实施例提供的一种将待成膜基板放入等离子体设备的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种待成膜基板的结构示意图四；图8为本专利技术实施例提供的一种待成膜基板的结构示意图五；图9为本专利技术实施例提供的一种等离子体设备的结构示意图。附图标记：10-第一电极；20-第二电极；30-气体通道；40-待成膜基板；50-等离子体；60-衬底基板；601-第一表面；602-第二表面；70-第一辅助电极；80-第二辅助电极；90-气体分散部件；100-第三辅助电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中一般利用气体放电产生等离子体，而气体放电可以通过外加电场使气体放电(气体导电)。气体放电的简易结构如图3(a)所示，通过电源E向两个电极板a和b施加电压，电极板a和电极板b之间产生电场，当气体放电管c中的气体被击穿时便会放电，即产生了等离子体。参考图3(b)所示的气体放电的伏-安(V-A)特性曲线，气体放电管c的电压U逐渐增大，当气体放电管c的电压U增加到气体击穿电压(Ub)时，气体放电管c内就会从非自持放电过渡到自持放电，自持放电也即气体被击穿，此时，放电电流I会继续增大，气体放电管c内电压U下降，进入辉光放电。自持放电包括辉光放电和弧光放电，通常等离子设备中的等离子体是通过辉光放电产生，而辉光放电的条件为：U>Ub。基于此，通过增大气体放电管c的电压U，或者降低气体的击穿电压Ub，都可以使气体更容易电离。而根据帕邢定律(Paschenlaw)可知：在两个平行板电极上加以电压后，电极间形成均匀电场，若放电气体成分、电极材料、气体温度都确定，则击穿电压Ub是电极间距d与气压P两者乘积(P*d)的函数，改变P*d值时，击穿电压Ub有一极小值。示例的，如图4所示，在铁阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种待成膜基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。

【技术特征摘要】
1.一种待成膜基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。2.根据权利要求1所述的待成膜基板，其特征在于，所述第一辅助电极为导电环。3.根据权利要求1所述的待成膜基板，其特征在于，所述待成膜基板还包括：设置在所述衬底基板的第二表面的中心区域的第二辅助电极。4.根据权利要求3所述的待成膜基板，其特征在于，所述待成膜基板还包括第三辅助电极；所述第二辅助电极通过所述第三辅助电极与所述第一辅助电极相连接。5.根据权利要求1-4任一项所述的待成膜基板，其特征在于，所述辅助电极为透明电极。6.一种等离子体设备，其特征在于，包括：相对设置的第一电极和第二电极；所述第一电极具有多...

【专利技术属性】
技术研发人员：周天民，杨维，王利忠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11