静电放电保护构造体以及其制造方法技术

本发明专利技术提供静电放电保护构造体以及其制造方法，静电放电保护构造体即ESD保护构造体包括：第一层叠体部，其包括陶瓷层，该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；第二层叠体部，其包括陶瓷层，该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；空洞部，其配置于第一层叠体部与第二层叠体部之间；第一电极暴露区域和第二电极暴露区域，它们配置为在空洞部的内侧相互对置；第一电极，其配置于第一层叠体部的外侧；以及第二电极，其配置于第二层叠体部的外侧，在该ESD保护构造体中，在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，在配置有电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘，该散热/连接焊盘在俯视下具有比电极暴露区域的面积大的面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电放电保护构造体以及其制造方法
本专利技术涉及保护电子设备不受基于静电放电的破坏的静电放电保护构造体以及其制造方法。
技术介绍
为了防止静电放电(ESD：electro－staticdischarge)对电子设备的破坏、发生故障等，而广泛使用静电放电保护器件(ESD保护器件)。例如，在专利文献1中记载了如下ESD保护器件，其具有：陶瓷多层基板、形成于陶瓷多层基板的内部的空洞部、具有配置为前端彼此在空洞部内设置间隔而对置的对置部的至少一对放电电极、形成于陶瓷多层基板的表面并与放电电极连接的外部电极。在专利文献1中记载了通过丝网印刷在陶瓷生片上涂覆陶瓷/金属混合膏，并通过丝网印刷在其上涂覆电极膏，由此形成在对置部间具有放电间隙的放电电极。在专利文献2中记载了如下静电对策部件，其具备：陶瓷基体，其在内部具有空洞部；第一放电用电极，其具有暴露于空洞部的部分，并埋设于陶瓷基体；以及第二放电用电极，其具有不仅暴露于空洞部而且与第一放电用电极的部分分离了规定的距离并对置的部分，并埋设于陶瓷基体，第一放电用电极和第二放电用电极由含有80重量％以上的钨的金属构成，与氧结合的钨的量相对于第一放电用电极和第二放电用电极中的钨的总量为2.0原子％以下。在专利文献2中记载了通过丝网印刷导电性膏而形成金属层，从而得到具备由金属层构成的放电用电极的静电对策部件。专利文献1：国际公开第2008/146514号。专利文献2：国际公开第2009/069270号。近年来，伴随着电子设备的小型化以及高功能化，追求电子设备中使用的ESD保护器件的小型化。为了将ESD保护器件小型化，需要进一步减小配置于ESD保护器件的内部的放电电极间的距离。在现有的ESD保护器件中，如专利文献1、2所记载那样，通过丝网印刷电极膏而形成在对置部间具有放电间隙的放电电极，并通过控制印刷位置而控制放电电极间的距离。与此相对，通过采用由配置于陶瓷层叠体的内部的层间连接导体构成放电电极，并在层叠体的层叠方向上放电电极对置的构造，能够减小ESD保护器件中的放电电极间距离。另外，ESD保护器件因用途不同而有时需要对大电流有高耐性。通过采用由层间连接导体构成的放电电极在层叠体的层叠方向上对置的构造，能够得到与现有的ESD保护器件相比对大电流的耐性高的ESD保护器件。如上述那样，由层间连接导体构成的放电电极具有能够实现配置于ESD保护器件内的放电电极间距离的窄小化以及ESD保护器件的小型化的优点。另一方面，在ESD保护器件中，除了追求上述的小型化以及对大电流的耐性以外，还追求反复静电放电时的耐性优异。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供反复静电放电时的耐性优异的静电放电保护构造体以及其制造方法。本专利技术人反复研究的结果，发现通过在ESD保护构造体的内部、而且在由层间连接导体构成的放电电极的对置部的正下方配置大面积的散热/连接焊盘，能够得到反复静电放电时的耐性优异的ESD保护构造体，最终得以完成了本专利技术。根据本专利技术的第一主旨，提供一种静电放电保护构造体，其包括：第一层叠体部，其包括一个以上的陶瓷层，上述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；第二层叠体部，其配置于第一层叠体部上，包括一个以上的陶瓷层，上述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；空洞部，其配置于第一层叠体部与第二层叠体部之间；第一电极暴露区域和第二电极暴露区域，它们配置为在空洞部的内侧相互对置；第一电极，其配置于第一层叠体部的外侧，经由第一层叠体部所包括的层间连接导体与第一电极暴露区域导通；第二电极，其配置于第二层叠体部的外侧，经由第二层叠体部所包括的层间连接导体与第二电极暴露区域导通，在该静电放电保护构造体中，在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，在配置有电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘，散热/连接焊盘在俯视下具有比电极暴露区域的面积大的面积，散热/连接焊盘将配置有电极暴露区域的陶瓷层所包括的层间连接导体、和与配置有电极暴露区域的陶瓷层邻接的陶瓷层所包括的层间连接导体连接。也可以在上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，与空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于空洞部的内侧而形成电极暴露区域。也可以在上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，在与空洞部接触的陶瓷层的表面配置有对置部焊盘电极以覆盖该陶瓷层所包括的层间连接导体，该对置部焊盘电极的表面暴露于空洞部的内侧而形成电极暴露区域。也可以上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方还包括配置于邻接的陶瓷层间的一个以上的追加的散热/连接焊盘，该追加的散热/连接焊盘将与追加的散热/连接焊盘接触的一个陶瓷层所包括的层间连接导体、和与追加的散热/连接焊盘接触的另一个陶瓷层所包括的层间连接导体连接。也可以在上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，层间连接导体在与散热/连接焊盘同时存的情况下，由与对置部焊盘电极和追加的散热/连接焊盘相同的材料构成。也可以在上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，层间连接导体具有接近第二电极一侧的直径小于接近第一电极一侧的直径的锥形形状。也可以在上述第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，层间连接导体具有接近第一电极一侧的直径小于接近第二电极一侧的直径的锥形形状。在上述静电放电保护构造体的一个例子中，也可以在第一层叠体部和第二层叠体部的双方，层间连接导体在与散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与对置部焊盘电极和追加的散热/连接焊盘相同的材料构成，第一层叠体部和第二层叠体部所包括的层间连接导体具有锥形形状，第一层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向、与第二层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向为不同的方向。在上述静电放电保护构造体的另一个例子中，也可以在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，与空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于空洞部的内侧而形成电极暴露区域，在第一层叠体部和第二层叠体部的双方，层间连接导体在与散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与对置部焊盘电极和追加的散热/连接焊盘相同的材料构成，第一层叠体部和第二层叠体部所包括的层间连接导体具有锥形形状，第一层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向、与第二层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向为相同的方向。在上述静电放电保护构造体的另外其他一个例子中，也可以在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方，与空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于空洞部的内侧而形成电极暴露区域，在第一层叠体部和第二层叠体部的一方，层间连接导体在与散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与对置部焊盘电极和追加的散热/连接焊盘相同的材料构成，在第一层叠体部和第二层叠体部的另一方，层间连接导体在与散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与对置部焊盘电极和追加的散热/连接焊盘不同的材料构成，第一层叠体部和第二层叠体部所包括的层间连接导体具有锥形形状，第一层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向、与第二层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向为不同的方向。根据本专利技术的第二主旨，提供一种静电放电保护构造体的制造方法，其包括：形成第一未烧成的层叠体部的工序，其中，该第一未烧成的层叠体部包括一个以上的陶瓷生片，该陶瓷生片包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护构造体，其包括：第一层叠体部，其包括一个以上的陶瓷层，所述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；第二层叠体部，其配置于所述第一层叠体部上，包括一个以上的陶瓷层，所述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；空洞部，其配置于所述第一层叠体部与所述第二层叠体部之间；第一电极暴露区域和第二电极暴露区域，它们配置为在所述空洞部的内侧相互对置；第一电极，其配置于所述第一层叠体部的外侧，经由所述第一层叠体部所包括的所述层间连接导体与所述第一电极暴露区域导通；以及第二电极，其配置于所述第二层叠体部的外侧，经由所述第二层叠体部所包括的所述层间连接导体与所述第二电极暴露区域导通，在所述静电放电保护构造体中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，在配置有所述电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘，所述散热/连接焊盘在俯视下具有比所述电极暴露区域的面积大的面积，所述散热/连接焊盘将配置有所述电极暴露区域的陶瓷层所包括的层间连接导体、和与配置有所述电极暴露区域的陶瓷层邻接的陶瓷层所包括的层间连接导体连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 JP 2015-0244541.一种静电放电保护构造体，其包括：第一层叠体部，其包括一个以上的陶瓷层，所述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；第二层叠体部，其配置于所述第一层叠体部上，包括一个以上的陶瓷层，所述陶瓷层包括一个以上的层间连接导体；空洞部，其配置于所述第一层叠体部与所述第二层叠体部之间；第一电极暴露区域和第二电极暴露区域，它们配置为在所述空洞部的内侧相互对置；第一电极，其配置于所述第一层叠体部的外侧，经由所述第一层叠体部所包括的所述层间连接导体与所述第一电极暴露区域导通；以及第二电极，其配置于所述第二层叠体部的外侧，经由所述第二层叠体部所包括的所述层间连接导体与所述第二电极暴露区域导通，在所述静电放电保护构造体中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，在配置有所述电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘，所述散热/连接焊盘在俯视下具有比所述电极暴露区域的面积大的面积，所述散热/连接焊盘将配置有所述电极暴露区域的陶瓷层所包括的层间连接导体、和与配置有所述电极暴露区域的陶瓷层邻接的陶瓷层所包括的层间连接导体连接。2.根据权利要求1所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，与所述空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于所述空洞部的内侧而形成所述电极暴露区域。3.根据权利要求1或2所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，在与所述空洞部接触的陶瓷层的表面配置有对置部焊盘电极以覆盖该陶瓷层所包括的层间连接导体，所述对置部焊盘电极的表面暴露于所述空洞部的内侧而形成所述电极暴露区域。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方还包括配置于邻接的陶瓷层间的一个以上的追加的散热/连接焊盘，所述追加的散热/连接焊盘将与该追加的散热/连接焊盘接触的一个陶瓷层所包括的层间连接导体、和与该追加的散热/连接焊盘接触的另一个陶瓷层所包括的层间连接导体连接。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，所述层间连接导体在与所述散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与所述对置部焊盘电极和所述追加的散热/连接焊盘相同的材料构成。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，所述层间连接导体具有接近所述第二电极一侧的直径小于接近所述第一电极一侧的直径的锥形形状。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，所述层间连接导体具有接近所述第一电极一侧的直径小于接近所述第二电极一侧的直径的锥形形状。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的双方，所述层间连接导体在与所述散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与所述对置部焊盘电极和所述追加的散热/连接焊盘相同的材料构成，所述第一层叠体部和所述第二层叠体部所包括的层间连接导体具有锥形形状，所述第一层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向、与所述第二层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向为不同的方向。9.根据权利要求1～7中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，与所述空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于所述空洞部的内侧而形成所述电极暴露区域，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的双方，所述层间连接导体在与所述散热/连接焊盘同时存在的情况下，由与所述对置部焊盘电极和所述追加的散热/连接焊盘相同的材料构成，所述第一层叠体部和所述第二层叠体部所包括的层间连接导体具有锥形形状，所述第一层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向、与所述第二层叠体部所包括的层间连接导体的从大径侧向小径侧的方向为相同的方向。10.根据权利要求1～7中的任一项所述的静电放电保护构造体，其中，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的至少一方，与所述空洞部接触的陶瓷层所包括的层间连接导体暴露于所述空洞部的内侧而形成所述电极暴露区域，在所述第一层叠体部和所述第二层叠体部的一方，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大坪喜人，三木武，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP