通过非均匀气流的掩模版冷却制造技术

一种通过供应非均匀的气流冷却图案形成装置的设备、系统和方法。该设备和系统包括供应横跨图案形成装置的第一表面的气流的气体供应结构。该气体供应结构包括专门配置成用于产生非均匀气流分布的气体供应喷嘴。将较大体积或速度的气流引导至该图案形成装置的期望部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过非均匀气流的掩模版冷却相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月31日递交的US62/098,979和于2015年2月3日递交的US62/111,558的优先权，且它们通过引用全文并入本文中。
本专利技术涉及一种图案形成装置温度控制系统，该图案形成装置温度控制系统例如可用于通过使用横跨图案形成装置的表面的气流控制在光刻设备中的图案形成装置的温度。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个管芯或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、同时沿与该方向平行或反向平行同步地扫描衬底来辐射每一个目标部分。在光刻设备中，辐射束可以在掩模版中导致热响应。掩模版的透射部分不会吸收太多来自辐射束的能量。然而，非透射材料可以吸收大量热能。该被吸收的能量转变成热量，该热量导致掩模版变热且膨胀。当掩模版膨胀时，导致图像变形(诸如重叠误差)。此外，已加热的掩模版反过来可以加热邻近该掩模版的空气。该不利的作用产生在掩模版与投影透镜系统之间的所谓的气体透镜的变化。因此，除非被补偿，否则由掩模版加热造成的残余重叠误差可以是大约1-2纳米。因此，掩模版加热作为对在光刻系统中重叠误差的主要贡献因素。为了解决产生自掩模版的热膨胀的对准误差，现有系统依赖于掩模板或晶片对准、放大率校正、用于膨胀预测的前馈系统和透镜校正。对于图像变形和重叠准确度的容许度在过去已经足够大，使得这样的对准和校正已经足以解决重叠误差。对于在新的且正在开发的系统中的重叠误差的更加严格的容许度，上述类型的校正不再是足够的。
技术实现思路
因此，需要一种解决由在辐射束与图案形成装置之间的相互作用所导致的变形和误差的改进系统和方法。在一个实施例中，一种温度控制系统包括：支撑件，配置成用于支撑物体，所述物体具有第一表面和第二表面；和气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。在另一实施例中，一种光刻设备包括照射系统，配置成用于调节辐射束。所述光刻设备还包括支撑件，配置成用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置具有第一表面和第二表面。所述图案形成装置配置成用于在所述辐射束的横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。所述光刻设备包括气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴耦接至所述支撑件或与所述支撑件集成，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流，且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。下文参考随附的附图详细地描述本专利技术的进一步的特征和优点以及本专利技术的各个实施例的结构和操作。应当注意，本专利技术不限于本文中所描述的具体实施例。在本文中提供这些具体实施例仅用于示例性的目的。基于本文中包含的教导，相关领域的技术人员将明白额外的实施例。附图说明包含在本文中且形成本说明书的一部分的附图示出了本专利技术，所述附图与所述描述一起进一步地用于解释本专利技术的原理和使相关领域的技术人员能够制造和使用本专利技术。图1A是根据本专利技术的实施例的反射型光刻设备的示意性图示；图1B是根据本专利技术的实施例的透射型光刻设备的示意性图示；图2是根据本专利技术的实施例的图案形成装置支撑件的侧视图的示意性图示；图3示出根据本专利技术的示例性实施例的第一喷嘴布置；图4示出根据本专利技术的示例性实施例的第二喷嘴布置；图5示出根据本专利技术的示例性实施例的第三喷嘴布置；图6示出根据本专利技术的示例性实施例的第四喷嘴布置；图7是根据图6的第四喷嘴布置的示意性图示；图8示出根据本专利技术的示例性实施例的第五喷嘴布置；图9是根据本专利技术的示例性实施例的图8的第五喷嘴布置的侧视图的示意性图示；图10是比较实施例的俯视图的示意性图示。当结合附图时将从下文阐述的详细描述更加明白本专利技术的特征和优点，在附图中相似的参考标记在全文中识别出相应的元件。在附图中，相似的参考数字通常表示相同的、在功能上相似的和/或结构上相似的元件。元件第一次出现的附图是由相对应的参考数字的最左侧的数字表示。具体实施方式本说明书公开了包含本专利技术的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅仅示例本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的实施例。本专利技术是由本文所附的权利要求限定。所描述的实施例和在本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的提及表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每一个实施例可以不一定包括该特定的特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定表示同一实施例。另外，当结合实施例来描述特定的特征、结构或特性时，应当理解，无论是否明确地描述，结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性都在本领域技术人员的知识内。然而，在更详细地描述这样的实施例之前，提供本专利技术的实施例可以实施的实施例环境是有意义的。示例性的反射型光刻系统和透射型光刻系统图1A和图1B分别是可以实施本专利技术的实施例的光刻设备100和光刻设备100’的示意图。光刻设备100和光刻设备100’每一个包括下述的部件：照射系统(照射器)IL，其配置成用于调节辐射束B(例如，DUV或EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，其配置成用于支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA，且与配置成用于准确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如，晶片台)WT，其配置成用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，且与配置成用于准确地定位该衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射型的。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任意组合，以引导、成形或控制辐射B。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的定向、光刻设备100和100’的设计和诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中的其它条件的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或者台，例如，其可根据需要是固定的或者可移动的。支撑结构MT能够确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”MA应当被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C中形成图案的任何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度控制系统，包括：支撑件，所述支撑件配置成用于支撑物体，所述物体具有第一表面和第二表面；和气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.31 US 62/098,979;2015.02.03 US 62/111,5581.一种温度控制系统，包括：支撑件，所述支撑件配置成用于支撑物体，所述物体具有第一表面和第二表面；和气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。2.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的体积比朝向所述物体的中心提供的气流的体积更大。3.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的速度比朝向所述物体的中心提供的气流的速度更大。4.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的体积和速度比朝向所述物体的中心提供的气流的体积和速度都更大。5.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括流分配板，所述流分配板包括沿所述喷嘴的长度具有恒定尺寸的气体出口孔；且其中所述气体出口孔的不均匀分布产生所述非均匀气流轮廓。6.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括流分配板，所述流分配板包括沿所述气体供应喷嘴的长度具有各种尺寸的气体出口孔；且其中所述气体出口孔的根据尺寸的分布产生所述非均匀气流轮廓。7.如权利要求6所述的光刻设备，其中所述气体出口孔的根据尺寸的所述分布是非均匀的。8.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括喷嘴尖端，所述喷嘴尖端包括沿所述喷嘴尖端的长度的喷嘴尖端开口；且所述喷嘴尖端开口的变化高度产生所述非均匀气流轮廓。9.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括沿所述气体供应喷嘴的所述长度的多个流引导叶片，且其中所述流引导叶片产生所述非均匀气流轮廓。10.如权利要求9所述的温度控制系统，其中：角度控制编码器耦接至所述多个流引导叶片中的每一个，且配置成独立地控制每一流引导叶片的角度。11.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括多个空气放大器，且其中所述空气放大器产生所述非均匀气流轮廓。12.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括叠层式喷嘴尖端，其中所述气体供应喷嘴尖端具有不同的气流出射角度和气流速度以产生所述非均匀气流轮廓。13.一种光刻设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·本图里诺，G·舒尔茨，D·N·加尔布勒特，D·N·伯班克，S·E·德尔皮于尔特，H·沃格尔，约翰内斯·昂伍李，L·J·A·凡鲍克霍文，C·C·沃德，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL