通过非均匀气流的掩模版冷却制造技术

一种通过供应非均匀的气流冷却图案形成装置的设备、系统和方法。该设备和系统包括供应横跨图案形成装置的第一表面的气流的气体供应结构。该气体供应结构包括专门配置成用于产生非均匀气流分布的气体供应喷嘴。将较大体积或速度的气流引导至该图案形成装置的期望部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过非均匀气流的掩模版冷却相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月31日递交的US62/098,979和于2015年2月3日递交的US62/111,558的优先权，且它们通过引用全文并入本文中。
本专利技术涉及一种图案形成装置温度控制系统，该图案形成装置温度控制系统例如可用于通过使用横跨图案形成装置的表面的气流控制在光刻设备中的图案形成装置的温度。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个管芯或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度控制系统，包括：支撑件，所述支撑件配置成用于支撑物体，所述物体具有第一表面和第二表面；和气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.31 US 62/098,979;2015.02.03 US 62/111,5581.一种温度控制系统，包括：支撑件，所述支撑件配置成用于支撑物体，所述物体具有第一表面和第二表面；和气体供应喷嘴，所述气体供应喷嘴配置成用于供应横跨所述第一表面的气流且配置成用于通过不均匀地分布所述气流的体积或速度产生离开所述喷嘴的非均匀气流轮廓。2.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的体积比朝向所述物体的中心提供的气流的体积更大。3.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的速度比朝向所述物体的中心提供的气流的速度更大。4.如权利要求1所述的温度控制系统，其中所述气体供应喷嘴朝向所述物体的任一侧提供的气流的体积和速度比朝向所述物体的中心提供的气流的体积和速度都更大。5.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括流分配板，所述流分配板包括沿所述喷嘴的长度具有恒定尺寸的气体出口孔；且其中所述气体出口孔的不均匀分布产生所述非均匀气流轮廓。6.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括流分配板，所述流分配板包括沿所述气体供应喷嘴的长度具有各种尺寸的气体出口孔；且其中所述气体出口孔的根据尺寸的分布产生所述非均匀气流轮廓。7.如权利要求6所述的光刻设备，其中所述气体出口孔的根据尺寸的所述分布是非均匀的。8.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括喷嘴尖端，所述喷嘴尖端包括沿所述喷嘴尖端的长度的喷嘴尖端开口；且所述喷嘴尖端开口的变化高度产生所述非均匀气流轮廓。9.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括沿所述气体供应喷嘴的所述长度的多个流引导叶片，且其中所述流引导叶片产生所述非均匀气流轮廓。10.如权利要求9所述的温度控制系统，其中：角度控制编码器耦接至所述多个流引导叶片中的每一个，且配置成独立地控制每一流引导叶片的角度。11.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括多个空气放大器，且其中所述空气放大器产生所述非均匀气流轮廓。12.如权利要求1所述的温度控制系统，其中：所述气体供应喷嘴包括叠层式喷嘴尖端，其中所述气体供应喷嘴尖端具有不同的气流出射角度和气流速度以产生所述非均匀气流轮廓。13.一种光刻设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·本图里诺，G·舒尔茨，D·N·加尔布勒特，D·N·伯班克，S·E·德尔皮于尔特，H·沃格尔，约翰内斯·昂伍李，L·J·A·凡鲍克霍文，C·C·沃德，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL