兼容型功率器件封装用管脚结构制造技术

本实用新型专利技术涉及功率器件(包括MOSFET\IGBT\三极管\二极管等)封装用管脚技术领域，尤其是一种兼容型功率器件封装用管脚结构。这种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。本实用新型专利技术结构简单，设计合理，操作简便，管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要重新进行封装，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
兼容型功率器件封装用管脚结构
本技术涉及功率器件封装用管脚
，尤其是一种兼容型功率器件封装用管脚结构。
技术介绍
随着移动资讯产品、家用电器产品以及绿色照明等领域的发展，为其配套的电子产品大量使用到了整流桥、功率器件、稳压管等重要元器件，并对这类器件产品的“轻、薄、小、密”提出了更高的要求，需要将功率器件进行封装。功率器件封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。目前功率器件在封装的应用面广泛，同一型号的器件会被封装成不同的形式，但当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，只能重新进行封装，浪费生产的时间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种结构简单的兼容型功率器件封装用管脚结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。进一步地，所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，其特征在于：所述封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。

【技术特征摘要】
1.一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，其特征在于：所述封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。2.根据权利要求1所述的兼容型功率器件封装用管脚结构，其特征在于：所述的下管脚包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚、中下管脚以及右下管脚均为条形管脚，左下管脚和右下管脚均向中下管脚偏心，下管脚厚度大于上管脚厚度。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李江华，汤为，孙效中，
申请(专利权)人：常州旺童半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32