兼容型功率器件封装用管脚结构制造技术

本实用新型专利技术涉及功率器件(包括MOSFET\IGBT\三极管\二极管等)封装用管脚技术领域，尤其是一种兼容型功率器件封装用管脚结构。这种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。本实用新型专利技术结构简单，设计合理，操作简便，管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要重新进行封装，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
兼容型功率器件封装用管脚结构
本技术涉及功率器件封装用管脚
，尤其是一种兼容型功率器件封装用管脚结构。
技术介绍
随着移动资讯产品、家用电器产品以及绿色照明等领域的发展，为其配套的电子产品大量使用到了整流桥、功率器件、稳压管等重要元器件，并对这类器件产品的“轻、薄、小、密”提出了更高的要求，需要将功率器件进行封装。功率器件封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。目前功率器件在封装的应用面广泛，同一型号的器件会被封装成不同的形式，但当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，只能重新进行封装，浪费生产的时间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种结构简单的兼容型功率器件封装用管脚结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。进一步地，所述的下管脚包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚、中下管脚以及右下管脚均为条形管脚，左下管脚和右下管脚均向中下管脚偏心，下管脚厚度大于上管脚厚度。进一步地，所述的下管脚包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚和右下管脚为倒L型管脚，中下管脚为条形管脚，左下管脚和右下管脚向中下管脚靠拢，下管脚厚度小于上管脚厚度。进一步地，所述的下管脚包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚和右下管脚均包括由上管脚末端相外倾斜的斜面管脚，斜面管脚高端与上管脚末端连接，斜面管脚低端连接有竖直的条形管脚，中下管脚为条形管脚，左下管脚和右下管脚远离中下管脚设置，下管脚厚度大于上管脚厚度。本技术的有益效果是：本技术结构简单，设计合理，操作简便，管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要重新进行封装，提高生产效率。附图说明下面结合附图和实施方式对本技术进一步说明。图1是实施例1的结构示意图；图2是图1的侧视图；图3是实施例2的结构示意图；图4是图3的侧视图；图5是实施例3的结构示意图；图6是图5的侧视图；图7是实施例4的结构示意图；图8是图7的侧视图；图9是实施例5的结构示意图；图10是图9的侧视图；图11是实施例6的结构示意图；图12是图11的侧视图；图中1.封装本体，2.基岛，3.上管脚，4.下管脚。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体1下端，封装本体1包括有基岛2、芯片以及管脚，基岛2为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛2内；管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚3，上管脚3截面为T形，上管脚3末端一体成型有可剪断的下管脚4，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置；上管脚3末端与封装本体一致型号的电路板相匹配，下管脚4末端与封装本体不一致型号的电路板相匹配。实施例1如图1-2所示的一种兼容TO251的TO220管脚结构，下管脚4包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚、中下管脚以及右下管脚均为条形管脚，左下管脚和右下管脚均向中下管脚偏心，下管脚4厚度c1大于上管脚3厚度c。本申请通过改造TO220的管脚结构，使得TO220封装的器件能使用在原始使用TO220的电路板的同时，能够使用在原来使用TO251的电路板上。TO220的管脚长度为L，宽度为b，厚度为c，管脚间距为e。本申请保持TO220的总管脚长度L不变，在管脚末端取长度为L2的管脚部分，改为与TO251一致的规格，其中管脚宽度b1，管脚间距e1，管脚厚度c1为TO251的规格。当使用在TO220的电路板上的时候，只需要把末端L2一段剪切掉即可。当使用在使用TO251的电路板上的时候，可以直接插入使用。TO220的管脚末端L2的长度做成TO251的管脚的大小和距离，L2的长度范围可选，长度选择范围为0.5cm到13cm。实施例2如图3-4所示的一种兼容TO220的TO3P管脚结构，下管脚4包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚和右下管脚为倒L型管脚，中下管脚为条形管脚，左下管脚和右下管脚向中下管脚靠拢，下管脚4厚度c1小于上管脚3厚度c。本申请通过改造TO3P的管脚结构，使得TO3P封装的器件能使用在原始使用TO3P的电路板的同时，能够使用在原来使用TO220的电路板上。TO3P的管脚长度为L，宽度为b，厚度为c，管脚间距为e。本申请保持TO3P的总管脚长度L不变，在管脚末端取长度为L1的管脚部分，改为与TO220一致的规格，其中管脚宽度b1，管脚间距e1，管脚厚度c1为TO220的规格。当使用在TO3P的电路板上的时候，只需要把末端L1一段剪切掉即可。当使用在使用TO220的电路板上的时候，可以直接插入使用。TO3P的管脚末端L1的长度做成TO220的管脚的大小和距离，L1的长度范围可选，长度选择范围为0.5cm到19.65cm。实施例3如图5-6所示的一种兼容TO220的TO247管脚结构，下管脚4包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚和右下管脚为倒L型管脚，中下管脚为条形管脚，左下管脚和右下管脚向中下管脚靠拢，下管脚4厚度c1小于上管脚3厚度c。本申请通过改造TO247的管脚结构，使得TO247封装的器件能使用在原始使用TO247的电路板的同时，能够使用在原来使用TO220的电路板上。TO247的管脚长度为L，宽度为b，厚度为c，管脚间距为e。本申请保持TO247的总管脚长度L不变，在管脚末端取长度为L1的管脚部分，改为与TO220一致的规格，其中管脚宽度b1，管脚间距e1，管脚厚度c1为TO220的规格。当使用在TO247的电路板上的时候，只需要把末端L1一段剪切掉即可。当使用在使用TO220的电路板上的时候，可以直接插入使用。TO247的管脚末端L1的长度做成TO220的管脚的大小和距离，L1的长度范围可选，长度选择范围为0.5cm到16.15cm。实施例4如图7-8所示的一种兼容TO247的TO220管脚结构，下管脚4包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚和右下管脚均包括由上管脚末端相外倾斜的斜面管脚，斜面管脚高端与上管脚末端连接，斜面管脚低端连接有竖直的条形管脚，中下管脚为条形管脚，左下管脚和右下管脚远离中下管脚设置，下管脚4厚度c1大于上管脚3厚度c。本申请通过改造TO220的管脚结构，使得TO220封装的器件能使用在原始使用TO220的电路板的同时，能够使用在原来使用TO247的电路板上。TO220的管脚长度为L，宽度为b，厚度为c，管脚间距为e。本申请原TO220的总管脚长度L，延长TO220的管脚长度到L2，延长部分扣除弯脚部分L4，剩下部分为L3，L3长度处的宽度b1，厚度c1，管脚宽度e1符合TO247的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，其特征在于：所述封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。

【技术特征摘要】
1.一种兼容型功率器件封装用管脚结构，安装在封装本体下端，其特征在于：所述封装本体包括有基岛、芯片以及管脚，所述基岛为平板状，管脚连接到基岛上，芯片安装在基岛内；所述管脚包括三个安装于封装本体底部且并列分布的上管脚，上管脚截面为T形，上管脚末端一体成型有可剪断的下管脚，左右两侧下管脚关于中间下管脚轴对称设置。2.根据权利要求1所述的兼容型功率器件封装用管脚结构，其特征在于：所述的下管脚包括左下管脚、中下管脚以及右下管脚，左下管脚、中下管脚以及右下管脚均为条形管脚，左下管脚和右下管脚均向中下管脚偏心，下管脚厚度大于上管脚厚度。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李江华，汤为，孙效中，
申请(专利权)人：常州旺童半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32