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本实用新型涉及功率器件(包括MOSFET\IGBT\三极管\二极管等)封装用管脚技术领域,尤其是一种兼容型功率器件封装用管脚结构。这种兼容型功率器件封装用管脚结构,安装在封装本体下端,封装本体包括有基岛、芯片以及管脚,所述基岛为平板状,管脚...该专利属于常州旺童半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州旺童半导体科技有限公司授权不得商用。
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