相移式光掩模及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种相移式光掩模及其制造方法。相移式光掩模包括基板、相移层与透明层。相移层设置于基板上，且具有开口。透明层设置于开口中。上述相移式光掩模可具有较大的聚焦深度宽容度。

【技术实现步骤摘要】
相移式光掩模及其制造方法
本专利技术涉及一种光掩模及其制造方法，且特别是涉及一种相移式光掩模及其制造方法。
技术介绍
在半导体制作工艺中，光刻技术扮演着举足轻重的角色，无论是在蚀刻、掺杂等制作工艺都需通过光刻制作工艺来达成。然而，在光刻制作工艺中，曝光的分辨率(resolution)是光刻品质的重要指标。相移式光掩模(phaseshiftmask，PSM)的光刻技术，即是为了获得较佳的分辨率而发展出的一种技术。即使在使用相移式光掩模的情况下，由于孤立区(isolationregion)中的图案较为疏松，所以容易产生聚焦深度宽容度(DOFwindow)不足的问题，进而导致图案转移能力不佳。因此，业界发展出一种具有次解析辅助图案(sub-resolutionassistantfeature，SRAF)的相移式光掩模来解决聚焦深度宽容度不足的问题。然而，由于次解析辅助图案的设计受到空间的限制，因此并非光掩模上的任意图案都可以加上次解析辅助图案来增加聚焦深度宽容度。此外，次解析辅助图案也存在会产生侧叶(sidelobe)的问题。因此，如何进行一步地提升相移式光掩模的聚焦深度宽容度仍是目前业界本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相移式光掩模，包括：基板；相移层，设置于该基板上，且具有一开口；以及透明层，设置于该开口中。

【技术特征摘要】
2016.02.19 TW 1051048661.一种相移式光掩模，包括：基板；相移层，设置于该基板上，且具有一开口；以及透明层，设置于该开口中。2.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该相移层的材料包括金属硅化物、金属氟化物、金属硅氧化物、金属硅氮化物、金属硅氮氧化物、金属硅碳氧化物、金属硅碳氮化物、金属硅碳氮氧化物、合金薄层、金属薄层或其组合。3.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该透明层的消光系数为0。4.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该透明层的折射率大于1。5.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该透明层具有平坦的表面。6.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该透明层的高度高于、等于或低于该相移层的高度。7.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该透明层的材料包括一交联材料或二氧化硅。8.如权利要求7所述的相移式光掩模，其中该交联材料包括混合有机硅氧烷聚合物、甲基硅倍半氧化物或氢硅倍半氧化物。9.如权利要求1所述的相移式光掩模，其用于形成孤立区中的图案。10.一种相移式光掩模的制造方法，包括：在一基板上形成一相移层，其中该相移层具有一开口；以及在该开口中形成一透明层。11.如权利要求10所述的相移式光掩模的制造方法，其中该透明层的消光系数为0。12.如权利要求10所述的相移式光掩模的制造方法，其中该透明层的折射率大于1。13.如权利要求10所述的相移式光掩模的制造方法，其中该透明层的形成方法包括：在该相移层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖义凯，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71