半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例揭示一种半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。其中，该半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层RDL。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且所述I/O接点暴露于大体上垂直于与所述RDL相对的所述模塑料的表面的所述装置封装的侧壁处。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。
技术介绍
半导体装置用于例如(例如)个人计算机、蜂窝式电话、数码相机及其它电子设备的各种电子应用中。通常通过以下步骤来制造半导体装置：将各种绝缘或电介质材料层、导电材料层及半导电材料层依序沉积于半导体衬底上，且使用光刻来图案化所述各种材料层以在所述半导体衬底上形成电路组件及元件。通常将数十或数百个集成电路制造于单个半导体晶片上。通过沿切割道锯切集成电路来单粒化个别裸片。接着，将个别裸片单独封装于多芯片模块或(例如)其它类型的封装中。半导体工业通过不断减小最小构件大小来不断改进各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。在一些应用中，这些更小电子组件需要比过去的封装更小且更先进的封装系统。
技术实现思路
根据一些实施例，一种半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层(RDL)。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置封装，其包括：第一裸片；第二裸片；模塑料，其沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸；及重布层RDL，其横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘，其中所述RDL包括电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且其中所述I/O接点暴露于所述装置封装的侧壁处。

【技术特征摘要】
2016.02.10 US 62/293,724;2016.08.01 US 15/225,0831.一种半导体装置封装，其包括：第一裸片；第二裸片；模塑料，其沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸；及重布层RDL，其横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘，其中所述RDL包括电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且其中所述I/O接点暴露于所述装置封装的侧壁处。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一裸片是大体上不含任何晶体管或二极管的集成式无源装置裸片。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二裸片包括晶体管、二极管或其组合。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述I/O接点延伸到与所述RDL相对的所述模塑料的表面。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二裸片放置于与所述第二裸片相对的所述RDL的侧上。6.一种半导体封装，其包括：衬底；焊接区域，其位于所述衬底上方；及第一装置封装，其通过所述焊接区域来接合到所述衬底，其中所述第一装置封装包括：多...

【专利技术属性】
技术研发人员：许峰诚，陈硕懋，洪瑞斌，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71