半导体封装结构与其制造方法技术

一种半导体封装结构，包括一第一基板、一第二基板、一第一电子元件、一第二电子元件、一绝缘材料以及一布线结构。第一基板具有至少一第一贯孔与一第一上表面。第二基板具有一第二上表面，第二基板配置于第一基板之下。第一电子元件配置于至少一第一贯孔内。第二电子元件配置于第一上表面，且第二电子元件的厚度小于第一电子元件的厚度。绝缘材料配置于第一上表面上且环绕第一电子元件与第二电子元件。布线结构配置于绝缘材料上，其中布线结构包括一图案化导电层，且图案化导电层电性连接第一电子元件与第二电子元件。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构与其制造方法本申请是申请号为201310499364.4，申请日为2013年10月22日，名为半导体封装结构与其制造方法的专利技术专利的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体封装结构与其制造方法，且特别是有关于一种被动元件设置于贯孔中的半导体封装结构与其制造方法。
技术介绍
在一般面板级扇出(fan-out)型半导体封装结构中，由于被动元件的厚度(一般约为330μm)与主动元件(芯片)的厚度(一般约为100～150μm)的差异，在封装过程中须配合被动元件的厚度而使封装结构整体厚度增加，不仅限制了半导体封装结构的尺寸，同时也违背了现代电子设备追求轻、薄、短、小的趋势。此外，由于各元件间的材料不同而具有不同的杨氏系数(Young'smodulus)，使得半导体封装结构在受热时产生的形变量不同。但一般半导体封装结构中位在支撑基板(supporter)表面上的元件厚度太高，无法经由支撑基板吸收其造成形变的应力，使封装结构容易发生翘曲(warpage)的现象，破坏内部的布线电路。因此，如何制造一种半导体封装结构，同时兼顾封装结构的整体厚度并能解决翘曲现象，实为本领域积极努力的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：一第一电子元件；一第二电子元件，该第二电子元件的厚度小于该第一电子元件的厚度；一绝缘材料，环绕且覆盖该第一电子元件与该第二电子元件；以及一布线结构，配置于该绝缘材料上，其中该布线结构包括一图案化导电层，且该图案化导电层电性连接该第一电子元件与该第二电子元件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：一第一电子元件；一第二电子元件，该第二电子元件的厚度小于该第一电子元件的厚度；一绝缘材料，环绕且覆盖该第一电子元件与该第二电子元件；以及一布线结构，配置于该绝缘材料上，其中该布线结构包括一图案化导电层，且该图案化导电层电性连接该第一电子元件与该第二电子元件。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括：一第一基板，具有至少一第一贯孔与一第一上表面；一第二基板，具有一第二上表面，该第二基板配置于该第一基板之下；该第一电子元件配置于该至少一第一贯孔内；该第二电子元件配置于该第一上表面；以及该绝缘材料，配置于该第一上表面上。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面共平面。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面具有一距离，该距离介于0～30μm之间。5.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一黏着层，该黏着层位于该第二上表面并连接该第一电子元件。6.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三基板，该第三基板配置于该第一基板与该第二基板之间，其中该第三基板具有一第二贯孔，该第二贯孔的位置对应于该至少一第一贯孔其中之一的位置设置。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三电子元件，该第三电子元件同时配置于该第二贯孔与该至少一第一贯孔内。8.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二贯孔的孔径小于或等于该至少一第一贯孔的孔径。9.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三电子元件，其中该第二基板具有至少一第二贯孔，该第三电子元件配置于该至少一第二贯孔内。10.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二电子元件与该第一上表面之间更包括一铜垫层。11.一种半导体封装结构的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志成，苏洹漳，田兴国，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71