半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供第一半导体工件；在半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在对预定波长范围内的光具有透射性的衬底上沉积第二膜；以及在预定接合温度和预定接合压力下将第一膜接合至第二膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体结构，更具体地，涉及在晶圆与玻璃之间直接接合的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
由于集成电路的专利技术，由于各种电子部件和半导体封装的集成度不断提高，半导体工业经历了连续快速增长。在大多数情况下，集成度的这种改进来自最小特征尺寸的不断减小，这允许更多的部件集成到半导体芯片或封装件中。用于允许更多的部件集成到半导体结构中的一个方法是采用三维集成电路(3DIC)堆叠技术，其中硅晶圆和/或管芯彼此堆叠。用于堆叠半导体晶圆和衬底(例如，玻璃或蓝宝石)的常用技术采用粘合材料的使用。然而，这种技术的缺点在于该附加粘合材料增加了半导体堆叠件的总体厚度并且还劣化了半导体堆叠件内的信号传输的质量。因此，需要的是没有用于接合晶圆或管芯的不同层的粘合材料的半导体堆叠件。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供第一半导体工件；在所述第一半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在衬底上沉积第二膜；以及将所述第一膜接合至所述第二膜。根据本专利技术的另一方面，提供了一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供第一半导体衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供第一半导体工件；在所述第一半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在衬底上沉积第二膜；以及将所述第一膜接合至所述第二膜。

【技术特征摘要】
2015.11.20 US 14/947,8981.一种用于形成半导体结构的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，叶松峯，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71