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本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供第一半导体工件；在半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在对预定波长范围内的光具有透射性的衬底上沉积第二膜；以及在预定接合温度和预定接合压力下将第一膜接合至第二膜。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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