电子部件制造技术

本发明专利技术提供具有较大的电感值的电子部件。层叠体(12)通过层叠多个绝缘体层(16)而成。线圈(L)由与绝缘体层(16)一起层叠的线状的线圈导体层(19a～19d)构成且成一边卷绕一边向层叠方向行进的螺旋状。在线圈导体层(19a～19d)的朝向线圈(L)的内周侧的面，设置有朝向该线圈(L)的外周侧凹陷的凹部(Ga～Gd)。

【技术实现步骤摘要】
电子部件
本专利技术涉及电子部件，更加特定地说，涉及内置有线圈的电子部件。
技术介绍
作为与以往的电子部件相关的专利技术，例如已知有专利文献1所记载的层叠式电子部件。该层叠式电子部件具备层叠体以及线圈。层叠体通过层叠多个铁氧体片而成。线圈的多个线圈导体图案通过通孔连接，呈一边向层叠方向行进一边卷绕的螺旋状。然而，在专利文献1所记载的层叠式电子部件中，例如若欲获得直流电阻较低的线圈，则需要变粗或变厚线圈导体图案的线宽，但这样，有难以获得较大的电感值的问题。更加详细而言，在呈螺旋状的线圈中，线圈内部的磁通密度变高。该情况下，无法通过线圈内部的磁通通过线圈导体图案。由于在线圈流动高频信号，所以线圈所产生的磁通的方向周期性地变动。若通过线圈导体图案的磁通的方向周期性地变动，则在线圈导体图案中产生涡流且产生焦耳热。其结果，产生涡流损失，而线圈的电感值降低。专利文献1：日本特开2000-286125号公报
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于提供具有较大的电感值的电子部件。本专利技术的一个方式的电子部件的特征在于，具备：层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而成；和线圈，其由与上述绝缘体层一起层叠的线状的线圈导体层构成，上述线圈呈旋涡状或者形成为一边卷绕一边向层叠方向行进的螺旋状，在与上述线圈导体层延伸的方向正交的剖面，在该线圈导体层的朝向上述线圈的内周侧的面，设置有朝向该线圈的外周侧凹陷的凹部。根据本专利技术，能够获得具有较大的电感值的电子部件。附图说明图1是一个实施方式的电子部件的外观立体图。图2是图1的电子部件的分解立体图。图3是图1的电子部件的层叠体的A-A的剖面结构图。图4是电子部件的制造时的工序剖视图。图5是电子部件的制造时的工序剖视图。图6是电子部件的制造时的工序剖视图。图7是电子部件的制造时的工序剖视图。图8是电子部件的制造时的工序剖视图。图9是电子部件的制造时的工序剖视图。图10是电子部件的制造时的工序剖视图。图11是电子部件的制造时的工序剖视图。图12是电子部件的制造时的工序剖视图。图13是电子部件的制造时的工序剖视图。图14是电子部件的制造时的工序剖视图。图15是电子部件的制造时的工序剖视图。图16是电子部件的制造时的工序剖视图。图17是电子部件的制造时的工序剖视图。图18是电子部件的制造时的工序剖视图。图19是电子部件的制造时的工序剖视图。图20是表示模拟结果的图表。图21是线圈导体层的剖面结构的照片。图22是线圈导体层的剖面结构图。图23是表示模拟结果的图表。附图标记的说明：Ga～Gh…凹部；L…线圈；Op1～Op4…开口；10、10a…电子部件；12…层叠体；14a、14b…外部电极；16a～16i…绝缘体层；18a～18h、19a～19d…线圈导体层。具体实施方式以下，对本专利技术的一个实施方式的电子部件进行说明。(电子部件的结构)以下，参照附图对一个实施方式的电子部件的结构进行说明。图1是一个实施方式的电子部件10的外观立体图。图2是图1的电子部件10的分解立体图。图3是图1的电子部件10的层叠体12的A-A的剖面结构图。图3中，省略了外部电极14a、14b。以下，将层叠体12的层叠方向定义为上下方向，将从上侧俯视层叠体12时层叠体12的短边延伸的方向定义为前后方向，将层叠体12的长边延伸的方向定义为左右方向。如图1至图3所示，电子部件10具备层叠体12、外部电极14a、14b以及线圈L。层叠体12通过层叠绝缘体层25、16a～16i而成，呈长方体状。绝缘体层25、16a～16i从上侧向下侧依次层叠，而呈长方形的外缘。在绝缘体层25设置有圆形的空白部分。圆形的空白部分作为方向识别标记而使用。另外，在绝缘体层16b、16d、16f、16h上分别设置有开口Op1～Op4。另外，在绝缘体层16c、16e、16g上设置有通孔Ta～Tc。这样，设置有开口Op1～Op4的绝缘体层16b、16d、16f、16h和未设置开口的绝缘体层16c、16e、16g交替层叠。后面对开口Op1～Op4以及通孔Ta～Tc进行说明。绝缘体层16a～16i由含有磁性体材料的玻璃制成。以下，将绝缘体层16a～16i的上侧的面称作表面，将绝缘体层16a～16i的下侧的面称作背面。在从上侧俯视时，线圈L呈一边向顺时针方向卷绕一边从下侧向上侧行进的螺旋状。线圈L包括线圈导体层19a～19d以及通路孔导体Va～Vc。线圈导体层19a～19d与绝缘体层16a～16i一起层叠，在从上侧俯视时，线圈导体层19a～19d是以层叠体12的中心(对角线的交点)为中心地顺时针卷绕的线状导体。线圈导体层19a～19d例如由以Ag为主成分的导电性材料制成。以下，将线圈导体层19a～19d的顺时针方向的上游侧的端部称作上游端，将线圈导体层19a～19d的顺时针方向的下游侧的端部称作下游端。另外，如图2所示，线圈导体层19a包括线圈导体层18a、18b。在从上侧俯视时，线圈导体层18a、18b大致呈相同的形状，在上下方向上层叠。更加详细而言，线圈导体层18b设置在绝缘体层16c的表面上。开口Op1如上所述地设置在绝缘体层16b上。在从上侧俯视时，开口Op1呈与线圈导体层18b重合的线状并且呈与线圈导体层18b大致相同的形状。其中，开口Op1的线宽W3比线圈导体层18a的线宽W1以及线圈导体层18b的线宽W2细。如图2以及图3所示，线圈导体层18a设置在开口Op1内以及绝缘体层16b的表面上。然而，在从上侧俯视时，线圈导体层18a在绝缘体层16b的表面上从开口Op1的周围突出。由此，在与线圈导体层18a延伸的方向正交的剖面，线圈导体层18a呈T字形的剖面形状。而且，线圈导体层18a的下表面与线圈导体层18b的上表面接触。由此，在与线圈导体层19a延伸的方向正交的剖面，线圈导体层19a呈H字形旋转90度后的剖面形状。因此，在与线圈导体层19a延伸的方向正交的剖面，在线圈导体层19a的朝向线圈L的内周侧的面设置有朝向线圈L的外周侧凹陷的凹部Ga。优选地，凹部Ga的深度D1(参照图3)为6μm以上且为线圈导体层18a～18h的线宽W1、W2的40％以下。线圈导体层19b如图2所示地具备线圈导体层18c、18d。线圈导体层19c如图2所示地具备线圈导体层18e、18f。线圈导体层19d如图2所示地具备线圈导体层18g、18h。其中，线圈导体层19b～19d的结构与线圈导体层19a的结构相同，因此省略说明。另外，开口Op2～Op4的结构也与开口Op1的结构相同，因此省略说明。通孔Ta～Tc是分别沿上下方向贯通绝缘体层16c、16e、16g的孔。在从上侧俯视时，通孔Ta与线圈导体层18b的上游端以及线圈导体层18c的下游端重合。在从上侧俯视时，通孔Tb与线圈导体层18d的上游端以及线圈导体层18e的下游端重合。在从上侧俯视时，通孔Tc与线圈导体层18f的上游端以及线圈导体层18g的下游端重合。通路孔导体Va从线圈导体层18b的上游端向下方突出，并设置在通孔Ta内。由此，通路孔导体Va连接线圈导体层18b的上游端和线圈导体层18c的下游端。通路孔导体Vb从线圈导体层18d的上游端向下方突出，并设置在通孔Tb内。由此，通路孔导体Vb连接线圈导体层18d的上游端和线圈导体层18e的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于，具备：层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而成；和线圈，其由与所述绝缘体层一起层叠的线状的线圈导体层构成，所述线圈呈旋涡状或者呈一边卷绕一边向层叠方向行进的螺旋状，在与所述线圈导体层延伸的方向正交的剖面，在该线圈导体层的朝向所述线圈的内周侧的面，设置有朝向该线圈的外周侧凹陷的凹部，所述多个绝缘体层包括第一绝缘体层和层叠在该第一绝缘体层上的第二绝缘体层，所述线圈导体层包括第一线圈导体层和第二线圈导体层，所述第一线圈导体层设置在所述第一绝缘体层上，在所述第二线圈导体层中隔着所述第一绝缘体层而与所述第一线圈导体层对置的面是凹陷的，所述凹部的深度为6μm以上。

【技术特征摘要】
2013.04.11 JP 2013-0830481.一种电子部件，其特征在于，具备：层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而成；和线圈，其由与所述绝缘体层一起层叠的线状的线圈导体层构成，所述线圈呈旋涡状或者呈一边卷绕一边向层叠方向行进的螺旋状，在与所述线圈导体层延伸的方向正交的剖面，在该线圈导体层的朝向所述线圈的内周侧的面，设置有朝向该线圈的外周侧凹陷的凹部，所述多个绝缘体层包括第一绝缘体层和层叠在该第一绝缘体层上的第二绝缘体层，所述线圈导体层包括第一线圈导体层和第二线圈导体层，所述第一线圈导体层设置在所述第一绝缘体层上，在所述第二线圈导体层中隔着所述第一绝缘体层而与所述第一线圈导体层对置的面是凹陷的，所述凹部的深度为6μm以上。2.一种电子部件，其特征在于，具备：层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而成；和线圈，其由与所述绝缘体层一起层叠的线状的线圈导体层构成，所述线圈呈旋涡状或者呈一边卷绕一边向层叠方向行进的螺旋状，在与所述线圈导体层延伸的方向正交的剖面，在该线圈导体层的朝向所述线圈的内周侧的面，设置有朝向该线圈的外周侧凹陷的凹部，所述多个绝缘体层包括第一绝缘体层和层叠在该第一绝缘体层上的第二绝缘体层，所述线圈导体层包括第一线圈导体层和第二线圈导体层，所述第一线圈导体层设置在所述第一绝缘体层上，在所述第二线圈导体层中隔着所述第一绝缘体层而与所述第一线圈导体层对置的面是凹陷的，所述凹部的深度是所述线圈导体层的线宽的40％以下。3.一种电子部件，其特征在于，具备：层叠体，其通过层...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田昌行，吉田健二，中嶋泰成，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP