半导体元件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体集成电路，且特别有关于一种包括鳍状场效晶体管的静态随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
当半导体工业进展至纳米科技制程节点以追求更高的元件密度、更高的效能、以及更低的成本，由于制造及设计问题两边的挑战，而引导至三维设计的发展，例如鳍状场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)及具高介电常数(high-k)材料的金属栅极结构的使用。金属栅极结构经常使用替代栅极(gatereplacement)技术，而源极及漏极则以磊晶成长方式形成。此外，源极/漏极接点(条状接点)形成于源极及漏极之上。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体元件，包括：第一鳍状场效晶体管及第二鳍状场效晶体管。第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，第一栅极电极结构位于部分的第一鳍结构之上，及第一源极/漏极区域。第一鳍结构往第一方向延伸，第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸。第二鳍状场效晶体管包括第二鳍结构，第二栅极电极结构位于部分的第二鳍结构之上，及第二源极/漏极区域。第二鳍结构往第一方向延伸，第二栅...
【技术保护点】
一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管，包括：一第一鳍结构、一第一栅极电极结构位于部分的该第一鳍结构之上、及一第一源极/漏极区域，该第一鳍结构往一第一方向延伸，且该第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸；及一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构、一第二栅极电极结构位于部分的该第二鳍结构之上、及一第二源极/漏极区域，该第二鳍结构往该第一方向延伸，且该第二栅极电极结构往该第二方向延伸，其中：一第一磊晶层，形成于该第一鳍结构之上的该第一源极/漏极区域中，一第二磊晶层，形成于该第二鳍结构之上的该第二源极/漏极区域中，及该第一鳍结构于该第二方向的宽度小于该第二鳍结构于该第二方向的宽度。
【技术特征摘要】
2016.01.29 US 62/289,157;2016.11.01 US 15/340,0251.一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管，包括：一第一鳍结构、一第一栅极电极结构位于部分的该第一鳍结构之上、及一第一源极/漏极区域，该第一鳍结构往一第一方向延伸，且该第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸；及一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构、一第二栅极电极结构位于部分的该第二鳍结构之上、及一第二源极/漏极区域，该第二鳍结构往该第一方向延伸，且该第二栅极电极结构往该第二方向延伸，其中：一第一磊晶层，形成于该第一鳍结构之上的该第一源极/漏极区域中，一第二磊晶层，形成于该第二鳍结构之上的该第二源极/漏极区域中，及该第一鳍结构于该第二方向的宽度小于该第二鳍结构于该第二方向的宽度。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中：该第一鳍状场效晶体管还包括一第三鳍结构往该第一方向延伸，并于该第二方向相邻于该第一鳍结构，该第一栅极电极结构位于部分的该第三鳍结构之上，及一第三磊晶层形成于该第三鳍结构之上，并与该第一磊晶层合并。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第三鳍结构于该第二方向的宽度小于该第二鳍结构于该第二方向的宽度。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第三鳍结构于该第二方向的宽度与该第一鳍结构于该第二方向的宽度相同。5.一种半导体元件，包括一第一静态随机存取存储器单元，其中该第一静态随机存取存储器单元包括：一第一鳍状场效晶体管，由一第一鳍结构及一第二鳍结构，及一第一栅极电极所形成，该第一栅极电极位于部分的该第一鳍结构及部分的该第二鳍结构上；一第二鳍状场效晶体管，由该第一鳍结构及该第二鳍结构，及一第二栅极电极所形成，该第二栅极电极位于部分的该第一鳍结构及部分的该第二鳍结构上；一第三鳍状场效晶体管，由一第三鳍结构及该第二栅极电极所形成，该第二栅极结构位于部分的该第三鳍结构上；一第四鳍状场效晶体管，由一第四鳍结构及一第五鳍结构，及一第三栅极电极所形成，该第三栅极电极位于部分的该第四鳍结构及部分的该第五鳍结构上；一第五鳍状场效晶体管，由该第四鳍结构及该第五鳍结构，及一第四栅极电极所形成，该第四栅极电极位于部分的该第四鳍结构及部分的该第五鳍结构上；及一第六鳍状场效晶体管，由一第六鳍结构及该第四栅极电极所形成，该第四栅极电极位于部分的该第六鳍结构上，其中：该第一、第二、第三、第六、第五、及第四鳍结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢志宏，廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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