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本发明实施例提供一种制造半导体元件的方法，形成第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，第一栅极电极结构位于第一鳍结构上，及第一源极/漏极区域。形成第二鳍状场效晶体管包括第二鳍结构，第二栅极电极结构位于第二鳍结构上，及第二源极/漏极区域。第一磊晶层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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