非易失性存储器设备以及操作其的方法技术

一种非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的公共源极线。单元串各自包括耦合到串选择线的第一选择晶体管、耦合到接地选择线的第二选择晶体管以及耦合到多个字线的多个存储单元。第二选择晶体管公共地耦合到公共源极线。操作非易失性存储器设备的方法包括：接收编程命令和访问地址；以及在浮置公共源极线的同时对根据访问地址所选择的页面执行编程操作。公共源极线基于编程命令和访问地址中的至少一个而被浮置。

Nonvolatile memory device and method of operating the same

A non-volatile memory device includes a common source line connected to a plurality of cell strings. The cell strings each include a first selection transistor coupled to a series selection line, a second select transistor coupled to the ground selection line, and a plurality of memory units coupled to the plurality of word lines. The second selection transistor is generally coupled to the common source line. Methods of operating non-volatile memory devices include receiving programming commands and accessing addresses, and performing programming operations on pages selected according to access addresses while floating common source poles. The common source line is floated based on at least one of the programming command and the access address.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器设备以及操作其的方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月17日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0131323号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。
示例实施例通常涉及半导体存储器设备，并且更具体地，涉及非易失性存储器设备以及操作非易失性存储器设备的方法。
技术介绍
半导体存储器设备可以被分类为易失性半导体存储器设备和非易失性半导体存储器设备。易失性半导体存储器设备可以以高速执行读取和写入操作，而当设备断电时在其中所存储的内容会丢失。非易失性存储器设备即使断电时也可以保存在其中所存储的内容。出于此原因，非易失性半导体存储器设备可以被用于存储不管设备是否断电都将被保存的内容。非易失性半导体存储器设备可以包括掩膜只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦写可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EPPROM)等。闪速存储器设备可以是典型的非易失性存储器设备。闪速存储器设备可以被广泛地用作电子装置——诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数字相机、摄录机、语音记录器、MP3播放器、手持式PC、游戏机、传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的公共源极线，所述单元串每个包括耦合到串选择线的第一选择晶体管、耦合到接地选择线的第二选择晶体管以及耦合到多个字线的多个存储单元，所述第二选择晶体管公共地耦合到公共源极线，所述方法包括：接收编程命令和访问地址；以及在浮置公共源极线的同时根据访问地址对所选择的页面执行编程操作，所述公共源极线基于编程命令和访问地址中的至少一个被浮置。

【技术特征摘要】
2015.09.17 KR 10-2015-01313231.一种操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的公共源极线，所述单元串每个包括耦合到串选择线的第一选择晶体管、耦合到接地选择线的第二选择晶体管以及耦合到多个字线的多个存储单元，所述第二选择晶体管公共地耦合到公共源极线，所述方法包括：接收编程命令和访问地址；以及在浮置公共源极线的同时根据访问地址对所选择的页面执行编程操作，所述公共源极线基于编程命令和访问地址中的至少一个被浮置。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的位线，所述执行编程操作包括，基于访问地址来在字线当中选择字线，向位线当中的编程禁止位线施加编程禁止电压，以及在编程禁止位线的电压电平饱和之前开始浮置公共源极线，而不管所选择的字线的位置如何。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述执行编程操作包括：在浮置公共源极线之前，将公共源极线驱动至接地电压的电平或高于接地电压的电平。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的位线，所述执行编程操作包括，基于访问地址来在字线当中选择字线，向位线当中的编程禁止位线施加编程禁止电压，将访问地址与至少一个参考地址进行比较，和在编程禁止位线的电压电平饱和之前开始浮置公共源极线，以及基于将访问地址与至少一个参考地址进行比较的结果，根据所选择的字线的位置来变化浮置公共源极线的定时。5.根据权利要求4所述的方法，其中变化浮置公共源极线的定时包括如果访问地址小于或等于至少一个参考地址，则在第一定时处浮置公共源极线，以及所述第一定时在编程禁止位线的电压电平饱和之前开始。6.根据权利要求5所述的方法，其中，变化浮置公共源极线的定时包括如果访问地址大于至少一个参考地址，则在第二定时处浮置公共源极线，所述第二定时在编程禁止位线的电压电平饱和之前开始，以及所述第二定时晚于所述第一定时开始。7.根据权利要求4所述的方法，其中至少一个参考地址是多个参考地址，多个字线基于参考地址被分组为多个字线组，以及执行编程操作包括基于将访问地址与参考地址进行比较的结果来针对字线组中的每个变化浮置公共源极线的定时。8.根据权利要求4所述的方法，其中，变化浮置公共源极线的定时包括当所选择的字线的位置更接近公共源极线时，更早地开始浮置公共源极线。9.一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括：连接到多个单元串的公共源极线，所述单元串每个包括耦合到串选择线的第一选择晶体管、耦合到接地选择线的第二选择晶体管以及耦合到多个字线的多个存储单元，所述第二选择晶体管公共地耦合到公共源极线；公共源极线驱动器，被配置为向公共源极线施加公共源极线电压；以及控制电路，所述控制电路包括公共源极线控制器，被配置为基于命令和访问地址来向公共源极线驱动器提供驱动器控制信号，公共源极线控制器被配置为使用驱动器控制信号来控制公共源极线驱动器，公共源极线控制器被配置为控制公共源极线驱动器，以在根据访问地址对所选择的页面执行编程操作之前浮置公共源极线。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器设备，进一步包括：地址译码器，被配置为基于访问地址来在编程操作期间选择字线，其中存储单元阵列包括基底和连接到单元串的位线，单元串被垂直地排列在基底上，公共源极线控制器被配置为在编程操作期间控制公共源极线驱动器，以在位线当中的编程禁止位线的电压电平饱和之前浮置公共源极线，而不管所选择的字线的位置如何。11.根据权利要求9所述的非易失性存储器设备，其中，所述公共源极线控制器包括：寄存器，被配置为存储至少一个参...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱相炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR