有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用，所述修饰方法包括：提供有机薄膜晶体管电极，至少所述电极表面的局部区域由金组成；提供石墨烯氧化物，所述石墨烯氧化物至少具有活性羟基；提供同时包含有活性巯基、氨基的选定化合物，并使所述选定化合物中的活性巯基、氨基分别与所述电极表面的金及所述石墨烯氧化物具有的活性羟基反应，从而使所述石墨烯氧化物固定连接于所述电极表面，最终使所述电极表面被单层氧化石墨烯包覆。本发明专利技术提供的有机薄膜晶体管电极修饰方法操作简单，可以在常温常压环境中通过溶液法实现，适合于实际大规模加工，能够显著改善有机场效应晶体管中有机半导体与电极的接触，大幅提高有机场效应晶体管的性能。

Organic thin film transistor electrode and its modifying method and Application

The invention discloses an organic thin film transistor and application of electrode and its modification method, the modified method includes: providing an organic thin film transistor electrode, at least the surface of the electrode region by Jin Zucheng; provide the graphene oxide, the graphene oxide has at least active hydroxyl groups; provide also contains selected compounds active thiol and amino the reaction activity of hydroxyl groups and the activity of sulfhydryl compounds in selected, amino and respectively with the surface of the electrode and the graphene oxide, so that the graphene oxide is fixedly connected to the surface of the electrode, the surface of the electrode is monolayer graphene oxide coating. Organic thin film transistor electrode modification method provided by the invention has the advantages of simple operation, can be in normal temperature environment by solution method, which is suitable for practical large-scale processing, can have organic semiconductor field effect transistor and the electrode in contact is improved significantly, significantly improved performance of organic field-effect transistors.

【技术实现步骤摘要】
有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用
本专利技术涉及一种半导体场效应晶体管器件，尤其涉及一种有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用。
技术介绍
作为一种新型电子元器件，有机薄膜晶体管以其柔性、价廉、可大面积加工等优点，逐渐引起了人们的关注。然而，有机薄膜晶体管的性能距离实际大规模应用还有待提高。其中，源漏电极与有机半导体材料的接触对电荷的注入与收集起着关键性作用。源漏电极是否与有机半导体材料良好接触，决定着器件的性能好坏，尤其是底接触型器件。为了使源漏电极与有机半导体材料更好的接触，人们通过在电极表面修饰硫醇、聚合物、石墨烯及其氧化物等，大大提高了器件的性能。但是，对于石墨烯及其氧化物的修饰，目前主要是通过化学气相沉积(CVD)和物理吸附方法，前者需要700℃以上的高温，不适合柔性器件；后者修饰的石墨烯及其氧化物不牢固，容易脱落，都不适合于实际大规模的生产加工。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的主要目的在于提供一种有机薄膜晶体管电极及其修饰方法与应用。为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：本专利技术实施例提供了一种有机薄膜晶体管电极，包括电极基体和石墨烯氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管电极，包括电极基体，至少所述电极基体表面的局部区域由金组成，其特征在于还包括石墨烯氧化物，所述石墨烯氧化物和所述电极基体通过与选定化合物反应而固定结合，其中所述石墨烯氧化物中的活性羟基与所述选定化合物中的活性氨基反应键合，所述选定化合物中的活性巯基与所述电极基体表面的金反应键合。

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管电极，包括电极基体，至少所述电极基体表面的局部区域由金组成，其特征在于还包括石墨烯氧化物，所述石墨烯氧化物和所述电极基体通过与选定化合物反应而固定结合，其中所述石墨烯氧化物中的活性羟基与所述选定化合物中的活性氨基反应键合，所述选定化合物中的活性巯基与所述电极基体表面的金反应键合。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管电极，其特征在于：所述电极为源极和/或漏极，并且所述电极由金组成或者所述电极表面设有金镀层。3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管电极，其特征在于：所述选定化合物包括巯基乙胺。4.一种有机薄膜晶体管电极的修饰方法，其特征在于包括：提供有机薄膜晶体管电极，至少所述电极表面的局部区域由金组成；提供石墨烯氧化物，所述石墨烯氧化物至少具有活性羟基；提供同时包含有活性巯基和活性氨基的选定化合物，并使所述选定化合物中的活性巯基和活性氨基分别与所述电极表面的金及所述石墨烯氧化物具有的活性羟基反应，从而使所述石墨烯氧化物固定连接于所述电极表面，最终...

【专利技术属性】
技术研发人员：李立强，陈小松，张素娜，徐泽洋，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32