垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法。所述垂直沟道有机薄膜晶体管包括：环形的有机半导体层、分别与所述环形的有机半导体层上下两侧接触的环形的漏极和环形的源极、以及设于所述环形的有机半导体层的内环内部且与所述环形的有机半导体层绝缘间隔的栅极，可通过改变由溶液法制作的有机半导体层的厚度来改变薄膜晶体管的有效导电沟道长度，进而使得短沟道图形的定义不再依赖于高精度的曝光和刻蚀设备，能够降低制程难度和生产成本，同时环形的电极结构可节省薄膜晶体管的平面空间，增加薄膜晶体管的适用场景，提升电路设计的灵活性。

【技术实现步骤摘要】
垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)在内的各种平板显示器件因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是平板显示器件中常用的一种电子开关元件，通常由栅极、有源层、间隔所述栅极和有源层的栅极绝缘层、以及分别与有源层接触的间隔分布的源极和漏极构成。根据栅极位置的不同，薄膜晶体管可分为底栅结构和顶栅结构，再根据源极和漏极、以及有源层的位置次序不同，薄膜晶体管还可分为底接触电极结构和顶接触电极结构。因而，常见的薄膜晶体管的结构包含四种：底栅底接触电极结构、底栅顶接触电极结构、顶栅底接触电极结构及顶栅顶接触电极结构。在上述的四种结构中，源极与漏极均位于同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的环形的源极(2)、设于所述源极(2)以及所述源极(2)的内圆内部的部分基板(1)上的环形的有机半导体层(3)、覆盖所述基板(1)、源极(2)和有机半导体层(3)的绝缘层(4)、贯穿所述有机半导体层(3)上的绝缘层(4)的环形的过孔(41)、设于所述环形的过孔(41)中并与所述有机半导体层(3)接触的环形的漏极(5)、及设于所述有机半导体层(3)的内圆内部的绝缘层(4)上的栅极(6)。

【技术特征摘要】
1.一种垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的环形的源极(2)、设于所述源极(2)以及所述源极(2)的内圆内部的部分基板(1)上的环形的有机半导体层(3)、覆盖所述基板(1)、源极(2)和有机半导体层(3)的绝缘层(4)、贯穿所述有机半导体层(3)上的绝缘层(4)的环形的过孔(41)、设于所述环形的过孔(41)中并与所述有机半导体层(3)接触的环形的漏极(5)、及设于所述有机半导体层(3)的内圆内部的绝缘层(4)上的栅极(6)。2.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(2)、有机半导体层(3)、漏极(5)、以及栅极(6)的圆心相同。3.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层(3)采用溶液法制备。4.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直沟道有机薄膜晶体管应用于柔性平板显示器件。5.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层(3)的材料为小分子型有机半导体材料或聚合物型有机半导体材料。6.一种垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上形成环形的源极(2)；步骤2、在所述源极(2)以及所述源极(2)的内圆内部的部分基板(1)上形成环形的有机半导体层(3)；步骤3、在所述基板(1)、源极(2)和有机半导体层(3)上沉积绝缘层(4)，对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42