一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明专利技术的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明专利技术通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。

【技术实现步骤摘要】
一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器
本专利技术属于半导体行业存储器
和生物薄膜
，具体涉及一种基于生物薄膜的有机场效应晶体管存储器及其制备方法。
技术介绍
有机场效应晶体管作为电路中的基本元器件，因其广泛的材料来源，温和的加工方式，易于大面积大批量制备的优良特点，与未来可穿戴电子产业的发展方向相契合。同时有机场效应晶体管的结构决定了它具有非常丰富的功能应用，如发光产品、存储设备、传感器、开关等，因此在未来的信息电子领域具有非常广泛的应用前景。作为一种多功能器件，有机场效应晶体管存储器(OrganicField-effectTransistorMemory，OFETM)可用于新型显示元件、存储元件或者RFID射频标签。为了制备各项性能优秀且实用的OFETM，大量新材料、新工艺和新器件结构得到大家的广泛关注。目前，根据文献中的报道，用于提升OFETM性能的方案主要为：(1)设计合成具有高迁移率、高开关比的有机半导体材料，以增强器件的晶体管特性(Adv.Mater.2015,27,6885；Sci.Rep.,2015,5,16457)；(2)设计、合成具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子有机场效应晶体管存储器，所述有机场效应晶体管存储器自上而下依次包括源漏电极、有机半导体、栅绝缘层、栅电极，其特征在于：所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有聚合物掺杂半导体纳米粒子薄膜层，该层作为电荷存储层用于捕获电荷。

【技术特征摘要】
1.一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子有机场效应晶体管存储器，所述有机场效应晶体管存储器自上而下依次包括源漏电极、有机半导体、栅绝缘层、栅电极，其特征在于：所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有聚合物掺杂半导体纳米粒子薄膜层，该层作为电荷存储层用于捕获电荷。2.根据权利要求1所述有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述有机场效应晶体管存储器还包括衬底及形成于该衬底之上的栅电极；所述衬底选自高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET；所述栅电极采用的材料选自高掺杂硅、铝、铜、银、金、钛或钽。3.根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述聚合物掺杂半导体纳米粒子薄膜层中的聚合物选自低介电常数聚合物材料。4.根据权利要求3所述的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述低介电常数聚合物材选自聚乙烯基咔唑，聚苯乙烯或聚甲基苯烯酸甲酯中的一种或几种的混合物；所述聚合物掺杂半导体纳米粒子薄膜层的厚度为15～20nm。5.根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述掺杂的半导体纳米粒子的材料选自C60。6.根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述栅绝缘层采用的材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、聚苯乙烯PS或聚乙烯吡咯烷酮PVP，所述栅绝缘层的薄膜厚度为50～300nm；所述有机半导体层采用的材料选自并五苯、并四苯、钛青铜、氟化钛青铜、红荧烯、并三苯或3-己基噻吩，所述有机半导体层的薄膜厚度为30～50nm；所述源漏电极材料选自金属或有机导体材料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪明东，陈旭东，黄维，吴德群，凌海峰，解令海，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32