利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置，该承载装置包括承载主体以及加热元件；其中，所述加热元件用于对所述承载主体进行加热，所述承载主体的上表面设有导热支撑体，在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中，所述导热支撑体用于支撑玻璃基板，并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上。该承载装置通过设置加热元件以及带有导热支撑体的承载主体结构，可以对承载多晶硅材料的玻璃基板进行局部加热，进而在重结晶过程中可以形成稳定的低温区和高温区，以便获得可控制结晶方向的多晶硅材料，使多晶硅材料具有晶粒间晶界少，晶粒大，且多晶硅的载子移动率高的特点。

System for producing low temperature polycrystalline silicon by excimer laser annealing and carrying device thereof

The present invention provides a system for producing low-temperature polycrystalline silicon by excimer laser annealing and carrying device, the bearing device comprises a bearing body and a heating element; wherein, the heating element of the bearing body is heated, the bearing body is arranged on the upper surface of the supporting body heat, in the process of production of low-temperature polycrystalline silicon by excimer laser the annealing method, the heat conducting supporting body for supporting a glass substrate, and the bearing body of the heat transfer to the glass substrate. The bearing device through the bearing body is provided with a heating element and a heat conduction structure supporting body, can be the local heating of the glass substrate polysilicon material, and the formation of low temperature zone and high temperature zone can be stable in the process of recrystallization, in order to obtain the polysilicon material can control the direction of the crystal, the polycrystalline silicon material with grain boundary less. Large grain size, and high rate mobile carrier polysilicon features.

【技术实现步骤摘要】
利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置
本专利技术涉及低温多晶硅制作方法的
，具体是涉及一种利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出，非晶硅电子迁移率低，低温多晶硅因可在低温下制作，且拥有高的电子迁移率及可制作C-MOS电路被广泛研究用以达到面板高分辨率，低能耗的需求。目前制作低温多晶硅的方法包括固相结晶(SPC，SolidPhaseCrystallization)，金属诱导结晶(MIC，MetalInducedCrystallization)和准分子镭射退火(ELA，ExcimerLaserAnnealing)几种，其中准分子镭射退火(ELA)是目前使用最为广泛的方法。请参阅图1，图1是现有技术中准分子激光退火制作低温多晶硅方法的结构示意图，该方法一般是将玻璃基板11置于承载台10上，在玻璃基板11上生长一缓冲层12，然后生长非晶硅13，高温去氢后经过HF(HighFrequency高频)预清洗，再利用ELA的激光14扫描非晶硅13，非晶硅受到高温熔化重结晶形成多晶硅。多晶硅晶粒的大小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于准分子激光退火制作低温多晶硅系统中的承载装置，其特征在于，所述承载装置包括承载主体以及加热元件；其中，所述加热元件用于对所述承载主体进行加热，所述承载主体的上表面设有导热支撑体，在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中，所述导热支撑体用于支撑玻璃基板，并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上。

【技术特征摘要】
1.一种用于准分子激光退火制作低温多晶硅系统中的承载装置，其特征在于，所述承载装置包括承载主体以及加热元件；其中，所述加热元件用于对所述承载主体进行加热，所述承载主体的上表面设有导热支撑体，在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中，所述导热支撑体用于支撑玻璃基板，并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述加热元件与所述承载主体连接，所述加热元件通过接触传热的方式对所述承载主体进行加热。3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，承载主体的中部设有容置腔，所述加热元件设于所述容置腔内。4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述导热支撑体包括多个导热支撑单元，所述多个导热支撑单元不规则排布设置在所述承载主体的上表面。5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载主体采用导热性材料制成。6.根据权利要求5所述的承载...

【专利技术属性】
技术研发人员：余威，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42