制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆技术

本发明专利技术揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。

Method for manufacturing tantalum nitride isolation layer and metal gate stack

The invention discloses a method for manufacturing a tantalum nitride insulating layer and a metal grid stack. A method for manufacturing a tantalum nitride isolation layer for an ultra low critical voltage semiconductor device includes forming a high dielectric constant dielectric layer on a semi conductor substrate. Next, a tantalum nitride isolation layer is formed on the high dielectric constant dielectric layer in which the tantalum nitride isolation layer has a tantalum to nitrogen ratio (Ta:N) ranging from 1.2 to 3. Furthermore, a plurality of first metal gates are deposited on the tantalum nitride isolation layer, and a plurality of first metal gates located on the tantalum nitride isolation layer are patterned. Finally, a second metal gate is formed on the tantalum nitride isolation layer. The ratio of tantalum tantalum nitride nitrogen isolation layer precision adjustment, and the tantalum nitride isolation layer between different layers of material diffusion inhibition, dielectric discharge conditions lag significantly reduced.

【技术实现步骤摘要】
制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆
本专利技术实施例是关于一种制造半导体装置的方法。尤其是一种制造氮化钽隔离层半导体装置的方法。
技术介绍
集成电路技术近年来发展快速。随着集成电路不断进步更新，集成电路的大小愈趋精简，但是结构愈趋复杂。这种现象提高的制作集成电路的门槛，对于集成电路制程的发展也是本领域急欲加强的部分。在集成电路的发展历程中，功能密度(也就是每一单位晶片面积内相连的装置数目)增加，装置的体积(也就是一般制程可制造出的最小元件)却相对缩小。为了达到更小的体积，在制程过程中容易出现一些瑕疵，例如：电流外泄、材料相容性等。外来物质渗透以及无可避免的空乏效应常发生在一般的多晶硅栅极。利用功函数金属(workfunctionmetal)被拿来替换熟悉多晶硅栅极。使用功函数金属栅极层可以带来较高的栅极电容以及栅极介电层减量的优点。然而，金属栅极层与其下的介电层材料易产生不良的交互反应，使得装置的效能受到负面影响。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含调整沉积温度介于摄氏275-300度之间以及调整氨气(NH3)流量容量介于500-700毫升本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，包括：调整沉积温度介于摄氏275‑300度之间；以及调整氨气流量容量介于500‑700毫升/分钟。

【技术特征摘要】
2016.01.15 US 62/279,437;2016.03.18 US 15/074,9911.一种制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，包括：调整沉积温度介于摄氏275-300度之间；以及调整氨气流量容量介于500-700毫升/分钟。2.如权利要求1所述的制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，所述的沉积温度保持稳定。3.如权利要求1所述的制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，所述的氨气流量容量保持稳定。4.如权利要求1所述的制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，调整所述的沉积温度以及调整所述的氨气流量容量重复至少两个循环。5.如权利要求4所述的制造用于半导体装置的氮化钽隔离层的方法，其特征在于，还包括：每次循环改变所述的沉积温度以及所述的氨气流量容量。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪奇成，王喻生，陈文成，魏浩涵，钟明锦，郑志成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71