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本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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