制造一半导体装置的方法制造方法及图纸

在一种制造一半导体装置的方法中，通过沉积制程在半导体层上形成含有非晶第一材料的第一层。在此第一层上形成含有金属第二材料的第二层。执行热制程以形成此非晶第一材料与此金属第二材料的合金层。

【技术实现步骤摘要】
制造一半导体装置的方法
本揭露内容是关于半导体集成电路，且特定而言是关于在磊晶源极/漏极(source/drain；S/D)结构上具有均一且薄的硅化金属层的半导体装置及其制造制程。
技术介绍
由于半导体工业已发展至纳米技术制程节点以追求更高装置密度、更高效能及更低成本的，来自制造及设计问题两者的挑战已导致三维设计的发展(例如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor；FinFET))及具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构的使用。金属栅极结构常常通过使用栅极替换技术制造，且源极及漏极是通过使用磊晶生长方法形成。更进一步，在源极及漏极上形成硅化金属层。
技术实现思路
本申请案为一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：通过一沉积制程在一半导体层上形成含有一非晶第一材料的一第一层。接着，在该第一层上形成含有一金属第二材料的一第二层，以及执行一热制程以形成该非晶第一材料与该金属第二材料的一合金层。附图说明本揭露内容最佳是在结合随附附图解读时自以下详细描述来理解。应强调，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制且仅用于说明目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，包含：通过一沉积制程在一半导体层上形成含有一非晶第一材料的一第一层；在该第一层上形成含有一金属第二材料的一第二层；及执行一热制程以形成该非晶第一材料与该金属第二材料的一合金层。

【技术特征摘要】
2016.01.14 US 14/996,0311.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，包含：通过一沉积制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凱璿，许志成，王菘豊，杨正宇，王圣祯，杨世海，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71