一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供第一晶圆和第二晶圆，并将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；步骤S2：在所述第二晶圆进行图案化之前蚀刻所述第二晶圆的边缘，以去除所述第二晶圆的边缘部分，以释放所述第二晶圆中的应力；步骤S3：对所述第二晶圆进行图案化。本发明专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，在所述方法中在BSI产品中，在键合和研磨之后，在正面硅片刻蚀工艺前，加入硅片边缘区域(10mm)刻蚀工艺，从而释放键合与研磨过程中带来的应力，以防止蚀刻厚度不均一的问题，进一步提高了半导体器件的良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术，3D集成电路(integratedcircuit，IC)被定义为一种系统级集成结构。在半导体技术中，目前很多产品都需要薄片(waferthickness<＝400um)的处理方法。例如在3DIC立体叠合技术，热门的3D硅通孔(TSV)工艺、2.5D的中介板(Interposer)工艺、绝缘栅双极型晶体管工艺(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)，以及背面照射(Back-Side-Illumination，BSI)工艺都需要这种薄片的处理方法。其中，在背面照射(Back-Side-Illumination，BSI)生产工艺中，由于两片硅片在键合与研磨过程中会引入应力。在正面硅片刻蚀过程中，由于硅片表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供第一晶圆和第二晶圆，并将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；步骤S2：在所述第二晶圆进行图案化之前蚀刻所述第二晶圆的边缘，以去除所述第二晶圆的边缘部分，以释放所述第二晶圆中的应力；步骤S3：对所述第二晶圆进行图案化。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供第一晶圆和第二晶圆，并将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；步骤S2：在所述第二晶圆进行图案化之前蚀刻所述第二晶圆的边缘，以去除所述第二晶圆的边缘部分，以释放所述第二晶圆中的应力；步骤S3：对所述第二晶圆进行图案化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合之后还进一步包括对所述第二晶圆进行研磨打薄的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述蚀刻去除的所述第二晶圆边缘的厚度为1.50～3.75um。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张启阳，詹扬，杜亮，王军，严强生，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31