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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供第一晶圆和第二晶圆，并将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；步骤S2：在所述第二晶圆进行图案化之前蚀刻所述第二晶圆的边缘，以去除所述第二晶圆的边缘部分，以释放所述第二晶...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。