晶圆表面的键合方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种晶圆表面的键合方法及半导体器件，所述晶圆表面的键合方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键与所述介质层进行键合。在本发明专利技术提供的晶圆表面的键合方法及半导体器件中，通过热退火处理将衬底上表面的悬挂键与衬底上沉积的介质层中的氢离子进行键合，并由缓冲层的缓冲作用保护介质层进一步提高热退火处理产生的退火效果，从而提高衬底表面与介质层的键合程度，降低产品上的坏点，提高产品的良率。

Wafer surface bonding method and semiconductor device

The invention provides a wafer bonding method and semiconductor device, the surface of the wafer bonding method comprises the following steps: providing a substrate, on the surface of the substrate with dangling bonds; depositing a dielectric layer, the dielectric layer covers the upper surface of the substrate; depositing the buffer layer. The buffer layer on the dielectric layer; thermal annealing treatment, the dangling bonds and the dielectric layer are bonded. The key on the surface of a wafer is provided in this invention method and semiconductor device, through thermal annealing treatment to the upper surface of the substrate suspension hydrogen ion dielectric layer is deposited on the substrate of bond and bond, and by buffer layer buffer protection layer to further improve the effect of thermal annealing annealing treatment produced thereby, to improve the surface of the substrate and the dielectric layer bonding degree, reduce the bad products, increase the yield of products.

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面的键合方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及晶圆表面的键合方法及半导体器件。
技术介绍
在半导体制造过程中，通常需要在晶圆表面进行各种工艺，由于晶圆表面成键原子缺少以及晶圆表面的原子未成键电子的存在，在晶圆表面会形成具有电学活性的悬挂键(一般晶体因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键，简称Traps)，如果与悬挂键的键合处理不好，将会影响形成的半导体器件的性能。现有技术中与悬挂键形成键合的原子缺乏键合力，造成晶圆表面上的悬挂键的键合程度较低，有可能会在形成的产品中出现坏点(WhitePixelCount)，以及导致半导体器件的暗电流(DarkCurrent)，背光补偿功能(BlackLightCompensation，BLC)等性能较差。因此，如何提高晶圆表面悬挂键的键合程度是本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆表面的键合方法及半导体器件，解决晶圆表面悬挂键的键合程度不高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆表面的键合方法，包括如下步骤：提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆表面的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键与所述介质层进行键合。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键与所述介质层进行键合。2.根据权利要求1所述的晶圆表面的键合方法，其特征在于，在沉积介质层后，还包括对所述介质层进行氨气气体处理。3.根据权利要求2所述的晶圆表面的键合方法，其特征在于，所述氨气气体处理的工艺条件包括：温度为350℃～450℃，气压为4Tor～5Tor，时间为15s～25s，电场功率为250W～350W。4.根据权利要求1所述的晶圆表面的键合方法，其特征在于，所述热退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳锋，王喜龙，胡胜，张昭，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42