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本发明提供了一种晶圆表面的键合方法及半导体器件，所述晶圆表面的键合方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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