本发明专利技术公开了一种消除聚合物中残留单体Ｎ－乙烯基吡咯烷酮的方法。首先利用现有技术合成聚合物产品，然后用溶剂配制为１～８０重量％的溶液或者悬浮液，保持温度为０～２００℃的情况下萃取其中的残留单体Ｎ－乙烯基吡咯烷酮（ＮＶＰ），并同时用超声波辐射。上述操作步骤完成之后，干燥，即可得到单体残留量低的Ｎ－乙烯基吡咯烷酮（ＮＶＰ）基聚合物产品。本发明专利技术的消除方法所用设备简单，操作简单，成本低，生产能力大，效果良好，残留单体Ｎ－乙烯基吡咯烷酮（ＮＶＰ）的含量可以降低到１ｐｐｍ以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高分子科学领域，具体的说涉及一种消除聚合物中残留单体N-乙烯基吡咯烷酮的方法。
技术介绍
聚维酮(包括PVP-K15、PVP-K30、PVP-K60和PVP-K90)以及N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物是使用广泛的医药辅料，聚乙烯聚吡咯烷酮或称交联的聚乙烯吡咯烷酮(PVPP)是效果良好的啤酒及饮料澄清剂、药片崩解剂。但由于上述聚合物产品的制造原料N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)单体具有毒性，需要尽可能地降低上述聚合物产品中残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量。欧洲专利EP258854采用吸附剂消除聚合物中的N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)，但效果难以达到欧洲药典2004年版本(EP2004)对医药级此类产品的要求。中国专利CN 1038036采用超滤技术，但最高只能将NVP降低97％。中国专利CN 1147511采用离子交换法消除聚合物中的N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)，设备比较复杂，生产能力较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术消除聚合物中残留单体N-乙烯基吡咯烷酮的方法存在的问题，提供一种操作简单，效果良好的消除聚合物中残留单体N-乙烯基吡咯烷酮的方法。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案予以实现的 为了在工业生产中充分利用现有设备而不需要大规模投资，故在本专利技术所述之方法中，首先利用现有技术合成本专利技术所述之固体状态、溶液状态或者凝胶状态的聚合物产品(包括医药辅料聚维酮PVP-K15、PVP-K30、PVP-K60和PVP-K90，聚乙烯聚吡咯烷酮或称交联的聚乙烯吡咯烷酮PVPP，以及N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物)，然后将上述聚合物产品用胺、一氯甲烷、二氯甲烷、DMF、二氯乙烷、三乙醇胺、乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇、丙醇、异丁醇、氯仿、丁醇、环己醇、四氯化碳、乙酸、甘油、乙醚、水、丙烯酸、丙二醇、甲醇、乙醇、甲酸、乙二醇、丙酸、甲基丙烯酸、聚乙二醇、丙酮中的一种或者几种的混合物配制为1～80重量％的溶液或者悬浮液，保持温度为0～200℃的情况下萃取其中的残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)，并同时用超声波辐射。为了提高效果，可以重复萃取多次。上述操作步骤完成之后，干燥，即可得到单体残留量低的N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)基聚合物产品(包括医药辅料聚维酮PVP-K15、PVP-K30、PVP-K60和PVP-K90，聚乙烯聚吡咯烷酮或称交联的聚乙烯吡咯烷酮PVPP，以及N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物)。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果(1)设备简单，生产能力大；(2)操作简单，便于降低成本；(3)效果良好，残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量可以降低到1ppm以下。具体实施例方式实施例1将采用现有技术合成的重量浓度为43％的医药辅料聚维酮(PVP-K30)的水溶液倒入反应器中，保持温度为100℃，用波长60KHz、功率为100W的超声波辐射30分钟后，将该溶液喷雾干燥，得到粉末状PVP-K30产品，残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量低于1ppm。实施例2将采用现有技术合成的粉末状PVP-K90产品倒入反应器中，加入32％的乙醇溶液，得到质量浓度为5％的溶液，搅拌均匀后，保持温度为42℃，用波长20KHz、功率为80W的超声波辐射。130分钟后，将该溶液喷雾干燥，得到粉末状PVP-K90产品，残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量低于1ppm。实施例3采用现有技术合成的啤酒澄清剂聚乙烯聚吡咯烷酮(PVPP)倒入反应器，按照1∶3的重量比例加入1份丙烯酸与3份甲基丙烯酸组成的混合物，搅拌均匀后，保持温度为20℃，用波长60KHz、功率为100W的超声波辐射。45分钟后，真空干燥并粉碎，得到粉末状PVPP产品，残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量低于1ppm。实施例4将合成单体摩尔比例为1∶3的N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯共聚物倒入反应器中，按3∶2的重量比例加入2份95％乙醇与5份甘油组成的混合物，搅拌均匀后，保持温度为160℃，用波长40KHz、功率为100W的超声波辐射82分钟，真空干燥并粉碎，得到粉末状的N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯共聚物产品，残留单体N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量低于1ppm。权利要求1.一种消除聚合物中残留单体N-乙烯基吡咯烷酮的方法，其特征是将聚合物用溶剂配制成溶液或悬浮液后，在0～200℃下萃取，并用超声波辐射。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述聚合物为聚维酮PVP-K15、聚维酮PVP-K30、聚维酮PVP-K60、聚维酮PVP-K90、聚乙烯聚吡咯烷酮、称交联的聚乙烯吡咯烷酮PVPP或N-乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征是所述溶剂为胺、一氯甲烷、二氯甲烷、DMF、二氯乙烷、三乙醇胺、乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇、丙醇、异丁醇、氯仿、丁醇、环己醇、四氯化碳、乙酸、甘油、乙醚、水、丙烯酸、丙二醇、甲醇、乙醇、甲酸、乙二醇、丙酸、甲基丙烯酸、聚乙二醇、丙酮中的一种或者几种的混合物。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于所述将聚合物用溶剂配制成溶液或者悬浮液的浓度为1～80重量％。全文摘要本专利技术公开了一种消除聚合物中残留单体N－乙烯基吡咯烷酮的方法。首先利用现有技术合成聚合物产品，然后用溶剂配制为1～80重量％的溶液或者悬浮液，保持温度为0～200℃的情况下萃取其中的残留单体N－乙烯基吡咯烷酮(NVP)，并同时用超声波辐射。上述操作步骤完成之后，干燥，即可得到单体残留量低的N－乙烯基吡咯烷酮(NVP)基聚合物产品。本专利技术的消除方法所用设备简单，操作简单，成本低，生产能力大，效果良好，残留单体N－乙烯基吡咯烷酮(NVP)的含量可以降低到1ppm以下。文档编号C08J11/00GK1712432SQ20051003621公开日2005年12月28日 申请日期2005年8月2日 优先权日2005年8月2日专利技术者黎新明, 崔英德 申请人:仲恺农业技术学院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种消除聚合物中残留单体Ｎ－乙烯基吡咯烷酮的方法，其特征是：将聚合物用溶剂配制成溶液或悬浮液后，在０～２００℃下萃取，并用超声波辐射。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黎新明，崔英德，
申请(专利权)人：仲恺农业技术学院，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。