一种场效应混合偏置电路制造技术

本发明专利技术一种场效应混合偏置电路，属于电子技术领域，包括信号输入线、信号输出线、电源线、三极管、第一至第五电阻、第一至第三电容，所述信号输入线与第一电容相连接，第一电容的另一端分别与第三电阻和三极管的基极相连接，三极管的发射极分别与第二电容和第四电阻相连接，第二电容的另一端与信号输出线相连接，三极管的集电极分别与第五电阻和第三电容相连接，电源线与第一电阻和第四电阻相连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻和第三电阻相连接。采用本发明专利技术设计的偏置电路，可以解决现有偏置电路技术存在的精度低、信号失真、误差大等技术难题。

A field effect hybrid bias circuit

The invention relates to a hybrid field effect bias circuit, which belongs to the technical field of electronics, including the signal input line, a signal output line, power line, triode, first to fifth resistance, the first to the third capacitor, the signal input line and the first capacitor is connected to the base, another end of the first capacitor and the third resistor and transistor respectively. The tube is connected to the emitter of the transistor is connected with the second capacitor and the fourth resistor connected, the other end is connected with the signal output line second capacitors connected to the collector electrode of the triode are respectively connected with the fifth resistor and third capacitor, power line and the first resistor and the fourth resistor is connected with the other end of the first resistor is respectively in connection with the second resistor and the third resistor. The bias circuit designed by the invention can solve the technical problems of the existing bias circuit technology, such as low accuracy, signal distortion and large error.

【技术实现步骤摘要】
一种场效应混合偏置电路
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种场效应混合偏置电路。
技术介绍
目前，集成电路中缓冲器一般固定在一种状态下偏置，因此很容易受到制造工艺、电源电压、环境温度的影响而导致缓冲器的驱动能力不足而使得后续电路不能正确处理信号，这是本领域技术人员所不愿看到的。偏置电路可以广泛应用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中，应用范围广，但现有的偏置电路存在精度低、信号失真、误差大等技术难题。
技术实现思路
为解决现有偏置电路存在的技术难题，本专利技术采取以下技术方案：一种场效应混合偏置电路，其特征在于：包括信号输入线、信号输出线、电源线、三极管、第一至第五电阻、第一至第三电容，所述信号输入线与第一电容相连接，第一电容的另一端分别与第三电阻和三极管的基极相连接，三极管的发射极分别与第二电容和第四电阻相连接，第二电容的另一端与信号输出线相连接，三极管的的集电极分别与第五电阻和第三电容相连接，电源线与第一电阻和第四电阻相连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻和第三电阻相连接。作为上述技术方案的进一步描述，所述第二电阻和第五电阻接地。作为上述技术方案的进一步描述，所述第三电容接地。附图说明图1是本专利技术一种场效应混合偏置电路的结构图。图中，Ui为信号输入线、Uo信号输出线、VT1为三极管，V为电源线、R1至R5为第一至第五电阻、C1至C3为第一至第三电容。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本
技术实现思路
做进一步的说明。一种场效应混合偏置电路结构图如图1所示，一种场效应混合偏置电路，其特征在于：包括信号输入线、信号输出线、电源线、三极管、第一至第五电阻、第一至第三电容，所述信号输入线与第一电容相连接，第一电容的另一端分别与第三电阻和三极管的基极相连接，三极管的发射极分别与第二电容和第四电阻相连接，第二电容的另一端与信号输出线相连接，三极管的的集电极分别与第五电阻和第三电容相连接，电源线与第一电阻和第四电阻相连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻和第三电阻相连接。作为上述技术方案的进一步描述，所述第二电阻和第五电阻接地。作为上述技术方案的进一步描述，所述第三电容接地。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本专利技术思路下的技术方案均属于本专利技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应混合偏置电路，其特征在于：包括信号输入线、信号输出线、电源线、三极管、第一至第五电阻、第一至第三电容，所述信号输入线与第一电容相连接，第一电容的另一端分别与第三电阻和三极管的基极相连接，三极管的发射极分别与第二电容和第四电阻相连接，第二电容的另一端与信号输出线相连接，三极管的的集电极分别与第五电阻和第三电容相连接，电源线与第一电阻和第四电阻相连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻和第三电阻相连接。

【技术特征摘要】
1.一种场效应混合偏置电路，其特征在于：包括信号输入线、信号输出线、电源线、三极管、第一至第五电阻、第一至第三电容，所述信号输入线与第一电容相连接，第一电容的另一端分别与第三电阻和三极管的基极相连接，三极管的发射极分别与第二电容和第四电阻相连接，第二电容的另一端与信号输出线相连接，三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚和中，
申请(专利权)人：安徽久能信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34