一种隔离电路制造技术

本发明专利技术提供一种隔离电路，包括：主隔离电容器，第二电容器和第一放大器，其中，所述主隔离电容器具有一端和另一端；所述主隔离电容器的另一端连接所述第二电容器的一端和所述第一放大器的输入端；所述第二电容器的另一端连接第二接地端；并且其中，所述第二电容器和第一放大器处于第二管芯中。通过本发明专利技术的一个或多个实施方式，可以实现较高的隔离电压，并且由于电路和隔离电容由CMOS工艺制成，不存在光耦的老化问题，性能随温度变化，电性能差等问题，因此质量稳定，寿命长，成本低。

Isolation circuit

The invention provides an isolation circuit, including: the main isolation capacitor, a second capacitor and a first amplifier, wherein the main isolation capacitor has one end and the other end; the main isolation capacitor connected to the other end of one end of the second capacitor and the first input end of the amplifying device; the second capacitor is connected to the other end of the second ground terminal; and wherein the second capacitor and the first amplifier in the second tube core. Through one or more embodiments of the present invention, can achieve high voltage isolation, and because the circuit and the capacitor made by CMOS process, there is no problem of aging aging, property changes with temperature, electric performance is poor, therefore, stable quality, long service life, low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种隔离电路
本专利技术涉及电路领域，更具体地，涉及高压电路领域的隔离电路。
技术介绍
光耦是以光为媒介来传输信号的器件，通常把发光器与接收器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电流信号时发光器发出光线，接收器接收到光线之后就产生光电流，从输出端输出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，光电耦合器是五十年以前的技术，它第一次实现了由一个器件来实现信号隔离，它在电力控制电路上获得广泛的应用。但是，光耦的缺点在于：因为发光二极管的电性能随温度变化，所以光耦的电性能随温度变化，不稳定。此外，因为发光二极管和隔离的塑料有老化问题，所以光耦隔离器也有性能老化问题。更进一步地，光耦还存在共模抑制比低的问题，因为发光二极管和接受电路之间有寄生电容，当两边有很大的共模电压变化时，如30kV/us，寄生电容的电流会让发光二极管发光而形成误操作。最后，另外基于光耦的原理，有速度低，功耗高，不容易集成等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够克服现有技术中耦合器缺点的隔离电路。根据本专利技术的一个方面，提供一种隔离电路，包括：主隔离电容器(C1)，第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)，其中，所述主隔离电容器(C1)具有一端和另一端；所述主隔离电容器(C1)的另一端连接所述第二电容器(C2)的一端和所述第一放大器(AMP1)的输入端；所述第二电容器(C2)的另一端连接第二接地端(GND2)；并且其中，所述第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)处于第二管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第一缓冲器(11)，所述第一缓冲器(11)的输出端连接到所述主隔离电容器(C1)的一端，所述第一缓冲器(11)位于第一管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)处于所述第一管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)处于所述第二管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)包括串联的第一主隔离电容器(C11)和第二主隔离电容器(C12)，所述第一主隔离电容器(C11)处于第一管芯中，所述第二主隔离电容器(C12)处于第二管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述第一主隔离电容器(C11)和第二主隔离电容器(C12)的电容值相等。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第四电容器(C4)和第一附加隔离电容器(C3)，其中所述第一放大器(AMP1)的输入端包括第一输入端和第二输入端，所述主隔离电容器(C1)的另一端连接到所述第二电容器(C2)的一端和所述第一放大器(AMP1)的第一输入端；所述第四电容器(C4)的一端与所述第二电容器(C2)的另一端连接并且连接到第二接地端(GND2)，所述第四电容器(C4)的另一端连接到所述第一附加隔离电容器(C3)的一端和所述第一放大器(AMP1)的第二输入端；所述第一附加隔离电容(C3)的另一端连接到第一接地端(GND1)。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第二附加隔离电容器(C5)，第六电容器(C6)以及第二放大器(AMP2)，其中所述第二放大器(AMP2)包括第一输入端和第二输入端，所述第二放大器(AMP2)的第一输入端连接到所述第四电容器(C4)的另一端和所述第一附加隔离电容器(C3)的一端；所述第二附加隔离电容器(C5)包括一端和另一端，所述第二附加隔离电容器(C5)的另一端连接到所述第二放大器(AMP2)的第二输入端以及所述第六电容器(C6)的一端，所述第六电容器(C6)的另一端连接到第二接地端(GND2)。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括所述第二缓冲器(12)，所述第二缓冲器(12)输出端连接到所述第二附加隔离电容器(C5)的一端。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第一检测器(L1)，所述第一检测器(L1)的第一输入端连接到所述主隔离电容器(C1)的另一端以及所述第二电容器(C2)的一端；所述第一检测器(L1)的输出端连接到所述第一放大器(AMP1)的输入端，并且其中，所述第一检测器(L1)处于所述第二管芯中。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第四电容器(C4)和第一附加隔离电容器(C3)，所述第四电容器(C4)的一端与所述第二电容器(C2)的另一端连接并且连接到第二接地端(GND2)，所述第四电容器(C4)的另一端连接到所述第一附加隔离电容器(C3)的一端和所述第一检测器(L1)的第二输入端；所述第一附加隔离电容器(C3)的另一端连接到第一接地端(GND1)。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括：第二附加隔离电容器(C5)，第六电容器(C6)，第二检测器(L2)以及第二放大器(AMP2)，其中所述第二检测器(L2)的第一输入端连接到述第四电容器(C4)的另一端和所述第一附加隔离电容器(C3)的一端；所述第二附加隔离电容器(C5)包括一端和另一端，所述第二附加隔离电容器(C5)的另一端连接到所述第二检测器(L2)的第二输入端以及所述第六电容器(C6)的一端，所述第六电容器(C6)的另一端连接到第二接地端(GND2)；所述第二检测器(L2)的输出端连接到所述第二放大器(AMP2)的输入端。根据本专利技术的一个实施方式，进一步包括第二缓冲器(12)，所述第二缓冲器(12)的输出端连接到所述第二附加隔离电容器(C5)的一端。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述第一接地端(GND1)为第一管芯的接地端，所述第二接地端(GND2)为所述第二管芯的接地端。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述检测器(L1、L2)为锁存器。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)与所述第二电容器(C2)之间的比值为1:0至1:1000。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)与所述第二电容器(C2)之间的比值为1:100。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)与所述第二电容器(C2)之间的比值等于所述第一附加隔离电容器(C3)与所述第四电容器(C4)之间的比值。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述第二附加隔离电容器(C5)与所述第六电容器(C6)之间的比值等于所述第一附加隔离电容器(C3)与所述第四电容器(C4)之间的比值。根据本专利技术的一个实施方式，其中，所述主隔离电容器(C1)、所述第一附加隔离电容器(C3)和第二附加隔离电容器(C5)的电容值相等；以及所述第二电容器(C2)，第四电容器(C4)和第六电容器(C6)的电容值相等。通过本专利技术的一个或多个实施方式，可以实现较高的隔离电压，并且由于器件为二氧化硅器件，不存在光耦的老化问题，因此质量稳定，寿命长，成本低。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为根据本专利技术一个实施方式的隔离电路的电路图；图2为根据本专利技术一个实施方式的隔离电路的电路图变形；图3为根据本专利技术一个实施方式的隔离电路的电路图变形；图4为根据本专利技术一个实施方式的隔离电路的电路图变形；图5为根据本专利技术一个实施方式的用于降低共模噪声的隔离电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离电路，包括：主隔离电容器(C1)，第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)，其中，所述主隔离电容器(C1)具有一端和另一端；所述主隔离电容器(C1)的另一端连接所述第二电容器(C2)的一端和所述第一放大器(AMP1)的输入端；所述第二电容器(C2)的另一端连接第二接地端(GND2)；并且其中，所述第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)处于第二管芯中。

【技术特征摘要】
1.一种隔离电路，包括：主隔离电容器(C1)，第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)，其中，所述主隔离电容器(C1)具有一端和另一端；所述主隔离电容器(C1)的另一端连接所述第二电容器(C2)的一端和所述第一放大器(AMP1)的输入端；所述第二电容器(C2)的另一端连接第二接地端(GND2)；并且其中，所述第二电容器(C2)和第一放大器(AMP1)处于第二管芯中。2.根据权利要求1所述的隔离电路，进一步包括第一缓冲器(11)，所述第一缓冲器(11)的输出端连接到所述主隔离电容器(C1)的一端，所述第一缓冲器(11)位于第一管芯中。3.根据权利要求1所述的隔离电路，其中，所述主隔离电容器(C1)处于所述第一管芯中。4.根据权利要求1所述的隔离电路，其中，所述主隔离电容器(C1)处于所述第二管芯中。5.根据权利要求1所述的隔离电路，其中，所述主隔离电容器(C1)包括串联的第一主隔离电容器(C11)和第二主隔离电容器(C12)，所述第一主隔离电容器(C11)处于第一管芯中，所述第二主隔离电容器(C12)处于第二管芯中。6.根据权利要求5所述的隔离电路，其中，所述第一主隔离电容器(C11)和第二主隔离电容器(C12)的电容值相等。7.根据权利要求1至6中任意一项所述的隔离电路，进一步包括第四电容器(C4)和第一附加隔离电容器(C3)，其中所述第一放大器(AMP1)的输入端包括第一输入端和第二输入端，所述主隔离电容器(C1)的另一端连接到所述第二电容器(C2)的一端和所述第一放大器(AMP1)的第一输入端；所述第四电容器(C4)的一端与所述第二电容器(C2)的另一端连接并且连接到第二接地端(GND2)，所述第四电容器(C4)的另一端连接到所述第一附加隔离电容器(C3)的一端和所述第一放大器(AMP1)的第二输入端；所述第一附加隔离电容(C3)的另一端连接到第一接地端(GND1)。8.根据权利要求7所述的隔离电路，进一步包括第二附加隔离电容器(C5)，第六电容器(C6)以及第二放大器(AMP2)，其中所述第二放大器(AMP2)包括第一输入端和第二输入端，所述第二放大器(AMP2)的第一输入端连接到所述第四电容器(C4)的另一端和所述第一附加隔离电容器(C3)的一端；所述第二附加隔离电容器(C5)包括一端和另一端，所述第二附加隔离电容器(C5)的另一端连接到所述第二放大器(AMP2)的第二输入端以及所述第六电容器(C6)的一端，所述第六电容器(C6)的另一端连接到第二接地端(GND2)。9.根据权利要求8所述的隔离电路，进一步包括所述第二缓冲器(12)，所述第二缓冲器(12)输出端连接到所述第二附加隔离电容器(C5)的一端。10.根据权利要求1至6中任意一项所述的隔离电路，进一步包括第一检测器(L1)，所述第一检...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志伟，
申请(专利权)人：荣湃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31