一种半导体热板及半导体烘烤设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体热板及半导体烘烤设备，所述半导体热板包括：第一平台，具有第一表面，其外径小于所述半导体外径，用于支撑所述半导体；第二平台，具有第二表面，所述第二表面外径大于所述第一表面外径；其中，所述第一平台凸设于所述第二平台中，所述第一表面位于所述第一平台凸出处。通过上述方式，所述半导体热板使得放置于第一表面的半导体边缘与第一表面和第二表面均不接触，从而使得半导体边缘涂覆的材料不沾污热板。

Semiconductor hot plate and semiconductor baking equipment

The utility model discloses a semiconductor heat board and semiconductor baking equipment, the semiconductor hot plate includes a first stage having a first surface, and its diameter is smaller than the outer diameter of the semiconductor, which is used for supporting the semiconductor; second platform, with second surface, the second surface is larger than the first diameter of the surface; the first convex platform is arranged on the second platform, the first surface is positioned on the first convex platform. In this manner, the semiconductor hot plate allows the semiconductor edge to be placed on the first surface to be free from the first surface and the second surface, so that the material coated on the semiconductor edge does not contaminate the hot plate.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体热板及半导体烘烤设备
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体热板及半导体烘烤设备。
技术介绍
在半导体的制造过程中，常用热板对半导体进行加热，以使得半导体表面涂覆的材料固化。但是，传统的热板结构中，半导体边缘直接与热板接触，半导体边缘涂覆的半固态材料会沾污热板，而且由于沾污频率高，清洁难度大，严重影响半导体生产工艺的稳定性。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种半导体热板及半导体烘烤设备，能够解决现有热板容易沾污的问题。为了解决上述问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种半导体热板，包括：第一平台，具有第一表面，其外径小于所述半导体外径，用于支撑所述半导体；第二平台，具有第二表面，所述第二表面外径大于所述第一表面外径；其中，所述第一平台凸设于所述第二平台中，所述第一表面位于所述第一平台凸出处。其中，所述第二平台中空，且套设于所述第一平台周围；或所述第二平台的所述第二表面内凹，所述第一平台一部分陷入所述第二平面内凹处；或所述第一平台和所述第二平台一体成型。其中，所述第二平台的工作温度高于所述第一平台的工作温度，以使得所述放置于所述第一平台上的所述半导体加热均匀。其中，所述半导体热板进一步包括至少三个定位件，所述至少三个定位件分散设置于所述第二平台边缘，均与所述第一平台间隔，限定所述半导体的最大偏移界限。其中，所述定位件是定位销。其中，所述定位销上设置有螺纹，所述第二平台边缘设置有螺纹孔，以使得所述定位销安装于所述第二平台上。其中，所述定位销焊接于所述第二平台。其中，所述第一表面的外径比所述半导体外径小至少3毫米。其中，所述第一表面与所述第二表面平行且间隔至少3毫米。为了解决上述问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种半导体烘烤设备，包括上述任一种半导体热板。本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术中半导体热板第一平台的第一表面外径小于其支撑的半导体外径，第二平台的第二表面外径大于第一表面外径，并且第一平台凸设于第二平台中，第一表面位于第一平台凸出处，使得放置于第一表面的半导体边缘与第一表面和第二表面均不接触，从而使得半导体边缘涂覆的材料不沾污热板。附图说明图1是本技术半导体热板第一实施方式的截面示意图；图2是图1中半导体热板放置半导体时的截面示意图；图3是图2中半导体热板边缘的截面放大示意图；图4是本技术半导体热板第二实施方式的截面示意图；图5是本技术半导体热板第二实施方式的俯视示意图；图6是图4中半导体热板放置半导体时半导体热板边缘的截面放大示意图；图7是本技术半导体热板第三实施方式的截面示意图；图8是图7中半导体热板放置半导体时半导体热板边缘的截面放大示意图；图9是本技术半导体烘烤设备一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，图1是本技术半导体热板第一实施方式的截面示意图。如图1所示，本技术半导体热板10包括：第一平台101和第二平台102。第一平台101，具有第一表面1011，其外径小于半导体外径，用于支撑半导体；第二平台102，具有第二表面1021，第二表面1021外径大于第一表面1011外径；其中，第一平台101凸设于第二平台102中，第一表面1011位于第一平台101凸出处。具体地，在一个应用例中，第二平台102中空，且套设于第一平台101周围，例如第二平台102是一个中空圆环，第一平台101是一个外径等于或小于第二平台102内径的圆台，以使得第二平台102套设于第一平台101周围；其中，第二平台102和第一平台101也可以是其他形状的结构，例如分别是中空的方形柱体和实心的方形柱体等，此处不做具体限定。当然，在其他应用例中，第二平台102的第二表面1021可以内凹，第一平台101一部分陷入第二平面1021内凹处，其中，第一平台101和第二平台102可以通过焊接的方式固定连接，也可以将第一平台101直接放置与第二平台102的中空圆环或者内凹处，方便更换维修；或者第一平台101和第二平台102还可以是一体成型的，此处不做具体限定。进一步地，在上述应用例中，第一表面1011的外径比半导体外径小至少3毫米，第一表面1011与第二表面1021平行且间隔至少3毫米。具体地，结合图2和图3所示，放置于第一表面1011上的半导体100是半导体晶圆片，第一表面1011的外径L1比放置于第一表面1011上的半导体晶圆片100的外径L2小至少3毫米，第一表面1011与第二表面1021平行且二者之间的间隔h至少3毫米，使得半导体晶圆片100的边缘与第一表面1011、第二表面1021均不接触。进一步地，第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，以使得放置于第一平台101上的半导体100加热均匀。具体地，第一平台101和第二平台102均采用导热材料制成，例如不锈钢。其中，第一平台101和第二平台102可以采用同种导热材料制成，例如均采用不锈钢制成，此时，为了使第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，可以采用不同的加热部件分开控制第一平台101和第二平台102的工作温度；当然，第一平台101和第二平台102也可以采用不同导热材料制成，其中第一平台101采用的导热材料导热率小于第二平台102采用的导热材料，例如第一平台101采用不锈钢、第二平台102采用铝，此时，由于第一平台101的材料导热速度小于第二平台102的材料，可以采用同样的加热部件控制第一平台101和第二平台102的工作温度，也能够使得第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度。上述实施方式中，半导体晶圆片100一表面1001涂覆材料，例如光刻胶等，当使用半导体热板10对半导体晶圆片100进行加热时，将半导体晶圆片100放置于第一平台101上，半导体晶圆片100没有涂覆材料的另一表面1002与第一平台101的第一表面1021接触，并且由于第一表面1011外径小于半导体晶圆片100外径，半导体晶圆片100边缘与第一表面1011不接触，第二平台102的第二表面1021与第一平台101的第一表面1011平行且间隔至少3毫米，使得半导体晶圆片100边缘也不与第二表面1021接触，从而使得半导体晶圆片100边缘涂覆的半固态材料不沾污半导体热板10；此外，通过控制第一平台101和第二平台102的工作温度，可以使第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，从而使得放置于第一平台101上的半导体晶圆片100加热均匀。在其他实施方式中，半导体热板还可以在边缘设置定位件，以限定半导体的最大偏移界限，使得半导体放置于热板的加热区域。具体请参阅图4，图4是本技术半导体热板第二实施方式的截面示意图。图4与图1结构类似，此处不再赘述，不同之处在于半导体热板20进一步包括至少三个定位件203，所述至少三个定位件203分散设置于第二平台202边缘，均与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体热板，其特征在于，包括：第一平台，具有第一表面，其外径小于所述半导体外径，用于支撑所述半导体；第二平台，具有第二表面，所述第二表面外径大于所述第一表面外径；其中，所述第一平台凸设于所述第二平台中，所述第一表面位于所述第一平台凸出处。

【技术特征摘要】
1.一种半导体热板，其特征在于，包括：第一平台，具有第一表面，其外径小于所述半导体外径，用于支撑所述半导体；第二平台，具有第二表面，所述第二表面外径大于所述第一表面外径；其中，所述第一平台凸设于所述第二平台中，所述第一表面位于所述第一平台凸出处。2.根据权利要求1所述的热板，其特征在于，所述第二平台中空，且套设于所述第一平台周围；或所述第二平台的所述第二表面内凹，所述第一平台一部分陷入所述第二平面内凹处；或所述第一平台和所述第二平台一体成型。3.根据权利要求1或2所述的热板，其特征在于，所述第二平台的工作温度高于所述第一平台的工作温度，以使得所述放置于所述第一平台上的所述半导体加热均匀。4.根据权利要求1或2所述的热板，其特征在于，进一步包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴谦国，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32