像素结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种像素结构的制造方法。该制造方法包括：于基板上形成栅极及覆盖栅极的栅绝缘层。于栅绝缘层上形成信道层，信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料。于信道层的相对两侧上形成源极与漏极。于基板上形成覆盖源极、漏极及信道层的绝缘层，其具有暴露出漏极的开口。于基板上依序形成第一及第二透明电极材料层，其中第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料。利用同一掩模图案化第一及第二透明电极材料层，以形成第一及第二透明电极层，其中第一透明电极层通过开口与漏极接触。本发明专利技术的制造方法所制得的像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。

【技术实现步骤摘要】
像素结构的制造方法
本专利技术提供一种电子组件的制造方法，尤其涉及一种像素结构的制造方法。
技术介绍
近年来，已有研究指出金属氧化物半导体材料具有高电子迁移率，故适合将其应用于像素结构中的薄膜晶体管作为信道层使用。在已知制造包括金属氧化物半导体薄膜晶体管的像素结构的方法中，通常是在基板上形成金属氧化物半导体薄膜晶体管后，才形成像素电极。一般而言，所述像素电极通常是选用溅镀法所形成的非晶型氧化铟锡，其中所使用的制程气体包括水或氢气。然而，对于金属氧化物半导体薄膜晶体管而言，进行非晶型氧化铟锡镀膜时使用的水或氢气会改变金属氧化物半导体材料层的特性，使得原本具有半导体特性的金属氧化物半导体材料层转成具导体特性的金属氧化物半导体材料层，进而造成薄膜晶体管的信道层的导通，并影响薄膜晶体管的电性表现以及可靠度。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构的制造方法，其使得像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。本专利技术的像素结构的制造方法包括以下步骤。于基板上形成栅极。于基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。于栅绝缘层上形成信道层，其中信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料。于信道层的相对两侧上形成源极与漏极。于基板上形成绝缘层，以覆盖源极、漏极及信道层，其中绝缘层具有暴露出漏极的开口。于基板上依序形成第一透明电极材料层及第二透明电极材料层，其中第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料。利用同一掩模图案化第一透明电极材料层及第二透明电极材料层，以形成第一透明电极层及第二透明电极层，其中第一透明电极层通过开口与漏极接触。基于上述，在本专利技术的像素结构的制造方法中，通过在形成绝缘层之后，依序形成材料包括金属氧化物半导体材料的第一透明电极材料层及材料包括金属氧化物导电材料的第二透明电极材料层，藉此使得材料包括金属氧化物半导体材料的信道层不会受到水或氢气的影响而特性改变。如此一来，由本专利技术的像素结构的制造方法所制得的像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1G是依照本专利技术一实施方式的像素结构的制造方法的剖面示意图。附图标记：10：像素结构100：基板102：绝缘层104：第一透明电极材料层106：第二透明电极材料层108：第一透明电极层110：第二透明电极层CH：信道层D：漏极G：栅极GI：栅绝缘层OP：开口PE：像素电极S：源极TFT：薄膜晶体管具体实施方式图1A至图1G是依照本专利技术一实施方式的像素结构的制造方法的剖面示意图。首先，请参照图1A，提供基板100。就光学特性而言，基板100可为透光基板或不透光/反射基板。透光基板的材质可选自玻璃、石英、有机聚合物、其他适当材料或其组合。不透光/反射基板的材质可选自导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。需说明的是，基板100若选用导电材料时，则需在基板100搭载构件之前，于基板100上形成一绝缘层(未显示)，以避免基板100与构件之间发生短路的问题。接着，于基板100上形成栅极G。详细而言，在本实施方式中，形成栅极G的方法包括：于基板100上使用溅镀制程形成一栅极材料层(未显示)后，对所述栅极材料层进行第一道微影蚀刻制程，其中微影蚀刻制程包括光阻涂布(photoresistcoat)、曝光(exposure)、显影(develop)、蚀刻(etch)、剥膜(strip)等步骤。另外，在本实施方式中，基于导电性的考虑，栅极G的材料为金属材料，所述金属材料例如是钼、铝、钛、上述金属的合金或是上述至少二者材料的堆栈层。然而，本专利技术不限于此。在其他实施方式中，栅极G亦可以使用其他导电材料(例如：金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物等)或是金属与其它导电材料的堆栈层。接着，请参照图1B，于基板100上形成栅绝缘层GI，以覆盖栅极G。在本实施方式中，栅绝缘层GI可利用物理气相沉积法(physicsvapordeposition，PVD)或化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，CVD)全面性地沉积在基板100上，其中化学气相沉积法例如是等离子体辅助化学气相沉积法(plasma-enhancedchemicalvapordeposition，PECVD)。另外，栅绝缘层GI的材料例如包括二氧化硅(SiO2)、氧化氮(SiNx)或其堆栈层。在本实施方式中，虽栅绝缘层GI是全面性覆盖栅极G与基板100，然本专利技术不限于此。接着，请参照图1C，于栅绝缘层GI上形成信道层CH，其中信道层CH的材料包括金属氧化物半导体材料。详细而言，在本实施方式中，形成信道层CH的方法包括以下步骤：首先，于栅绝缘层GI上形成一信道材料层(未显示)，其中信道材料层的材料包括金属氧化物半导体材料，所述金属氧化物半导体材料例如是氧化铟镓锌(Indium-Gallium-ZincOxide，IGZO)或三氧化二铟(In2O3)，以及形成信道材料层的方法包括溅镀制程或涂布制程。接着，对所述信道材料层进行第二道微影蚀刻制程，其中微影蚀刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、剥膜等步骤。接着，请参照图1D，于信道层CH的相对两侧上形成源极S与漏极D。详细而言，源极S与漏极D彼此相分离且暴露出部分的信道层CH。在本实施方式中，形成源极S与漏极D的方法包括：于基板100上使用溅镀制程形成一导电材料层(未显示)后，对所述导电材料层进行第三道微影蚀刻制程，其中微影蚀刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、剥膜等步骤。另外，在本实施方式中，基于导电性的考虑，源极S与漏极D的材料为金属材料，所述金属材料例如是钼、铝、钛、上述金属的合金或是上述至少二者材料的堆栈层。然而，本专利技术不限于此。在其他实施方式中，源极S与漏极D亦可以使用其他导电材料(例如：金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物等)或是金属与其它导电材料的堆栈层。另外一提的是，在本实施方式中，栅极G、栅绝缘层GI、信道层CH、源极S与漏极D构成了一个薄膜晶体管TFT。具体而言，在本实施方式中，由于信道层CH的材料包括金属氧化物半导体材料，故薄膜晶体管TFT即为金属氧化物半导体薄膜晶体管。从另一观点而言，在本实施方式中，薄膜晶体管TFT属于背信道蚀刻型态。接着，请参照图1E，于基板100上形成绝缘层102，以覆盖源极S、漏极D及信道层CH，其中绝缘层102具有开口OP，暴露出漏极D。详细而言，在本实施方式中，形成绝缘层102的方法包括以下步骤：首先，于基板100上全面性地形成一绝缘材料层(未显示)，其中绝缘材料层的材料包括二氧化硅或其他适合的绝缘材料，以及绝缘材料层可通过等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)形成。接着，对所述绝缘材料层进行第四道微影蚀刻制程，以形成前述开口OP，其中微影蚀刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、剥膜等步骤。另外，在本实施方式中，绝缘层102的厚度例如是介于至之间。接着，请参照图1F，于基板100上依序形成第一透明电极材料层104及第二透明电极材料层106。详细而言，在本实施方式中，形成第一透明电极材料层104的方法包括溅镀制程或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；于所述栅绝缘层上形成一信道层，其中所述信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料；于所述信道层的相对两侧上形成一源极与一漏极；于所述基板上形成一绝缘层，以覆盖所述源极、所述漏极及所述信道层，其中所述绝缘层具有一开口，所述开口暴露出所述漏极；于所述基板上依序形成一第一透明电极材料层及一第二透明电极材料层，其中所述第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，所述第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料，形成所述第一透明电极材料层的方法包括溅镀制程或涂布制程，形成所述第二透明电极材料层的方法包括溅镀制程，且其中利用溅镀制程形成所述第一透明电极材料层时，制程气体为氩气或氩气与氧气的混合气体；以及利用同一掩模图案化所述第一透明电极材料层及所述第二透明电极材料层，以形成一第一透明电极层及一第二透明电极层，其中所述第一透明电极层通过所述开口与所述漏极接触。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；于所述栅绝缘层上形成一信道层，其中所述信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料；于所述信道层的相对两侧上形成一源极与一漏极；于所述基板上形成一绝缘层，以覆盖所述源极、所述漏极及所述信道层，其中所述绝缘层具有一开口，所述开口暴露出所述漏极；于所述基板上依序形成一第一透明电极材料层及一第二透明电极材料层，其中所述第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，所述第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料，形成所述第一透明电极材料层的方法包括溅镀制程或涂布制程，形成所述第二透明电极材料层的方法包括溅镀制程，且其中利用溅镀制程形成所述第一透明电极材料层时，制程气体为氩气或氩气与氧气的混合气体；以及利用同一掩模图案化所述第一透明电极材料层及所述第二透明电极材料层，以形成一第一透明电极层及一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锡明，黄彦余，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71