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本发明提供一种像素结构的制造方法。该制造方法包括：于基板上形成栅极及覆盖栅极的栅绝缘层。于栅绝缘层上形成信道层，信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料。于信道层的相对两侧上形成源极与漏极。于基板上形成覆盖源极、漏极及信道层的绝缘层，其具有...
该专利属于中华映管股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中华映管股份有限公司授权不得商用。

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