晶圆测试针座的改良结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆测试针座的改良结构，包括电路板、基板及针座，其中该电路板一侧电性连接有基板，且基板相对于电路板另一侧装设有针座，其针座为由上基材及下基材所组成，并在上基材及下基材表面分别穿设有复数第一穿孔及复数第二穿孔，且各第一穿孔底部及第二穿孔顶部分别形成有朝外渐扩的第一导斜孔及第二导斜孔，当使用者欲插设复数探针至针座上，或从针座上替换复数探针时，可凭借第一导斜孔及第二导斜孔所提供的导引作用，来达到加快复数探针插设及替换的速度，进而达到提升组装及替换流畅度、降低制造成本的效果。

Improved structure of wafer test needle

The utility model provides an improved structure of wafer test needle, which comprises a circuit board, wherein the substrate and a needle holder, one side of the circuit board is electrically connected with the substrate, and the substrate relative to the other side of the circuit board is provided with the needle seat, the seat is on the substrate and the substrate, and the substrate and the substrate surface were put under a plurality of first second complex perforation and perforation, and the first and two perforated bottom piercing part is formed with a first guide inclined hole and expand outward two guide inclined hole, when the user wants to insert the needle to probe complex, or from the seat to replace the complex probe, with the guiding effect of the first guiding inclined hole and the two guide inclined hole provided, to speed up the plural probe inserting and replacing speed, thereby enhance the assembly and replacement of fluency, the effect of reducing the manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试针座的改良结构
本技术涉及一种晶圆测试针座的改良结构，尤指针座的复数第一穿孔底部及复数第二穿孔顶部分别形成有朝外渐扩的第一导斜孔及第二导斜孔，即可通过第一导斜孔及第二导斜孔的导引作用来加快探针的插设及替换的速度。
技术介绍
按，现代半导体的制造包含了复数步骤，包括微影、物质沈积与蚀刻步骤，以在一片单独的半导体硅晶圆上形成出复数半导体装置或积体电路晶片；目前所制造常用的半导体晶圆的直径可以是六英寸或六英寸以上，其中直径十二吋的晶圆为一种常见的尺寸；然而，在半导体制造的制程中，该晶圆上的晶片可能会因复杂的制造程序而产生变异、毁损等问题以具有一些缺陷。所以在将积体电路晶片利用晶圆切割方式从半导体晶圆分离的前，会对复数晶片进行电性表现与可靠度的测试，并同时在一既定期间对其进行激发(如晶圆级烧入测试)，而这些测试通常可能包含布局与线路图对比(layoutversusschematic；LVS)的确认、静态电流测试(IDDqtesting)等，进而凭借测试电路系统的自动测试设备(automatictestequipment；ATE)来捕捉与分析从每个晶片或受测装置(deviceunder本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆测试针座的改良结构，包括电路板、基板及针座，其特征在于：该电路板表面设有复数第一金属接点，而电路板底面设有复数第二金属接点；该基板电性接触于电路板底面处，并在基板相邻于电路板一侧表面设有与复数第二金属接点形成电性接触的复数第一接点，而基板相对于复数第一接点另一侧表面则设有复数第二接点；该针座设置于基板相反于电路板的一侧处并包括上基材、下基材及复数探针，并在上基材及下基材之间形成有穿置空间，且上基材表面穿设有复数第一穿孔，并在各第一穿孔底部形成有朝外渐扩的第一导斜孔，而下基材表面则穿设有复数第二穿孔，且各第二穿孔顶部形成有朝外渐扩的第二导斜孔，再在复数第一穿孔及复数第二穿孔中插设有导电材...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试针座的改良结构，包括电路板、基板及针座，其特征在于：该电路板表面设有复数第一金属接点，而电路板底面设有复数第二金属接点；该基板电性接触于电路板底面处，并在基板相邻于电路板一侧表面设有与复数第二金属接点形成电性接触的复数第一接点，而基板相对于复数第一接点另一侧表面则设有复数第二接点；该针座设置于基板相反于电路板的一侧处并包括上基材、下基材及复数探针，并在上基材及下基材之间形成有穿置空间，且上基材表面穿设有复数第一穿孔，并在各第一穿孔底部形成有朝外渐扩的第一导斜孔，而下基材表面则穿设有复数第二穿孔，且各第二穿孔顶部形成有朝外渐扩的第二导斜孔，再在复数第一穿孔及复数第二穿孔中插设有导电材质制成的复数探针，该复数探针一侧设有穿过复数第一穿孔以与基板的复数第二接点形成电性接触的第一端部，而复数探针另一侧则设有穿过复数第二穿孔处且供电性接触预设待检测晶圆表面上的第二端部。2.根据权利要求1所述的晶圆测试针座的改良结构，其特征在于：该电路板表面上位于复数第一金属接点的内侧处装设有加强环垫。3.根据权利要求1所述的晶圆测试针座的改良结构，其特征在于：该电路板底面上位于复数第二金属接点外侧处装设有固定环垫，并在固定环垫内部形成有供基板置入的容置空间。4.根据权利要求1所述的晶圆测试针座的改良结构，其特征在于：该基板的复数第一接点与电路板的复数第二金属接点间设有供形成电性连接的复数锡球。5.根据权利要求1所述的晶圆测试针座的改良结构，其特征在于：该第一穿孔的直径与第一穿孔顶面至第一导斜孔的高度比例为1：10，而第一导斜孔的直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福全，
申请(专利权)人：禾达电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71