氮化物纳米带的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明专利技术对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。

【技术实现步骤摘要】
氮化物纳米带的制备方法
本专利技术涉及半导体材料制备领域，特别涉及一种氮化物纳米带的制备方法，旨在获得尺寸和结构可控的氮化物纳米带。
技术介绍
随着科学技术的迅猛发展，集成电路工艺水平的创新，芯片的集成度不断提高，光电子器件特征尺寸的不断减小，尺寸的缩小给工艺带来了极大的挑战。由于量子隧穿效应，加工线宽不能无限制的减小，而且当材料尺寸达到纳米级时会产生一系列由小尺寸引起的问题，因此纳米科学技术被认为是21世纪最具有发展前景的科学技术，它已推动材料、能源、信息、环境、生医学、农业、国防等各个领域的巨大变革。氮化铝、氮化镓为直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度分别为6.2eV、3.39eV，氮化镓、氮化铝等材料被称为第三代半导体材料。由于氮化铝、氮化镓有高的热导率，高熔点，耐腐蚀，较小的电子亲和能，带间跃迁发射波长可深入深紫外波段,可广泛应用于光电器件。同时，氮化铝与氮化镓相似的晶格结构和较小的晶格失配度，使得氮化镓和氮化铝异质结生长已成为光电器件研究中的热门。与单成分结构比较，纳米异质结具有独有特性和许多功能，因而有更多的应用范围。由于低维的纳米材料具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层进行腐蚀，去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层进行腐蚀，去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。2.根据权利要求1所述的氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底的步骤中，经过刻蚀在硅衬底上形成的刻蚀面为平面。3.根据权利要求1所述的氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为Si(100)衬底；所述刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底的步骤包括：对Si(100)衬底进行光刻和湿法腐蚀，得到贯通的条形槽，其中，所述条形槽的横截面呈倒梯形，具有朝向上方的左斜侧面和右斜侧面；所述在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层的步骤中，所述氮化物外延层生长于所述条形槽的左斜侧面和右斜侧面。4.根据权利要求3所述的氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中，采用的刻蚀液为TMAH+IPA溶液。5.根据权利要求1所述的氮化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为硅(111)衬底；所述刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底的步骤包括：在Si(111)衬底上进行刻蚀，刻蚀出微米级凹槽，得到图形化Si(111)衬底，其中，该微米级凹槽的横截面为矩形；所述在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁国栋，王琦，张璐，刘文强，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11