转置图章与应用其的转移方法技术

本发明专利技术提供一种转置图章与应用其的转移方法，该转置图章包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。本发明专利技术能够增加转移微元件的良率。

Transposed stamp and transfer method using the same

The present invention provides a transposed stamp and a transfer method using the same. The transposed stamp comprises a body and a plurality of magnetic materials. The body has a base portion and a transpose head. The base portion has a surface that protrudes from the surface of the base portion along the first direction, and the transpose head has a relative first side and a second side along the first direction. The first side is connected with the second side surface. The magnetic material is placed in the transpose. The density of the magnetic material adjacent to the first side is greater than the density of the adjacent second sides. The invention can increase the yield of the transferred micro element.

【技术实现步骤摘要】
转置图章与应用其的转移方法
本专利技术是有关于一种转置图章，特别是一种藉由局部磁力提高转印良率的转置图章与应用其的转移方法。
技术介绍
微型发光二极管阵列(MicroLight-EmittingDiodeArray)为将尺寸微小(小于100微米)的微型发光二极管以阵列方式排列设置于具有像素电路的阵列基板上。通过定址化驱动技术，每个微型发光二极管可以定址控制、单独驱动点亮，因而可以作为点像素，于是，微型发光二极管阵列将能发挥显示器的功能。除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，微型发光二极管阵列还具有节能、结构简易、体积小、薄型等优势。比起同样是自发光的有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode)显示器，微型发光二极管阵列有较佳的材料稳定性、寿命长、且无影像烙印等问题。为了改善微型发光二极管阵列的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的微型发光二极管阵列与其相关制造工艺，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种转置图章与应用其的转移方法，以增加转移微元件的良率。本专利技术提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部包含表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接基底部的表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。在一个或多个实施例中，磁性物质于转置头中的密度沿着第二方向递减，第二方向垂直于第一方向。在一个或多个实施例中，转置头沿第一方向具有对称面。转置头包含对称于对称面的第一部分与第二部分，且位于第一部分的磁性物质的密度大于位于第二部分的磁性物质的密度。在一个或多个实施例中，转置头包含上部分与下部分，上部分与下部分沿着第一方向排列。上部分置于下部分与基底部之间，且上部分于基底部的垂直投影面积大于下部分于基底部的垂直投影面积。在一个或多个实施例中，磁性物质置于转置头的下部分。在一个或多个实施例中，转置头的下部分沿着第二方向具有一宽度，且自第一侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度大于自第二侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度。在一个或多个实施例中，磁性物质的材质为四氧化三铁、氧化锰铁、氧化钴铁、铝镍钴合金、铁铬钴合金、铁铬锰合金、铁铝碳合金、稀土元素-钴合金、稀土元素-铁合金、铂钴合金、锰铝碳合金、铜镍铁合金、铝锰银合金或其组合。本专利技术另提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头包含第一部分与第二部分，第一部分与第二部分相互连接。磁性物质置于转置头中。磁性物质于第一部分具有第一密度，磁性物质于第二部分具有第二密度，且第一密度不等于第二密度。在一个或多个实施例中，第一密度大于该第二密度。在一个或多个实施例中，转置头的第一部分与转置头的第二部分分别设置于基底部的表面上。在一个或多个实施例中，第一部分的尺寸与第二部分的尺寸实质上相同。本专利技术另提供一种微元件的转移方法，包含藉由转置图章提取至少一微元件。转置图章以转置头接触至少一微元件，且多个磁性物质设置于转置头中。藉由转置图章将至少一微元件放置于接收基板上。自接收基板下方提供与磁性物质排斥的磁力至转置图章的磁性物质，以分离转置头与至少一微元件。在一个或多个实施例中，转置头包含第一部分与第二部分，第一部分与第二部分沿着一方向排列。磁性物质于第一部分的密度大于磁性物质于第二部分的密度，且转移方法还包含沿着该方向移动磁力。在一个或多个实施例中，提供磁力的步骤包含通电一电磁铁以产生磁力。上述各实施例的转置图章包含磁性物质，且这些磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度，因此在当分离转置头与微元件时，只要于微元件下方施加与磁性物质相斥的磁力，即可在转置头与微元件形成裂口，以减弱转置头与微元件之间的接着力，增加转移微元件的良率。附图说明图1为本专利技术一实施例的转置图章的仰视图。图2为沿图1的线段2-2的剖面图。图3为图1的转置图章的局部立体图。图4为本专利技术另一实施例的转置图章的剖面图。图5至图7为一种微元件的转移方法于各阶段的示意图。图8为微元件、接收基板与第一导线的俯视图。图9为沿图8的线段9-9的剖面图。图10为微元件、接收基板、第一导线与第二导线的俯视图。图11为沿图10的线段11-11的剖面图。符号说明：100：转置图章402：信号线110：本体410：主动元件112：基底部411：栅极112a：第一表面413：源极112b：第二表面415：漏极114：转置头417：半导体层115：第一侧面420：导电层116：第二侧面430、455：贯穿结构122：第一部分440：粘合层124：第二部分450：第一导线132：上部分460：第二导线134：下部分470：图案化层150：磁性物质500：平台200：基板510：磁铁210：机械手臂2-2、7-7、9-9：线段300：微元件D1：第一方向302：裂口D2：第二方向310：第一电极S：切割面320：第二电极W：宽度400：接收基板X：长度具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。图1为本专利技术一实施例的转置图章100的仰视图，图2为沿图1的线段2-2的剖面图，且图3为图1的转置图章100的局部立体图。在本实施例中，转置图章100包含本体110与多个磁性物质150。本体110具有基底部112与转置头114。基底部112具有相对的第一表面112a与第二表面112b。转置头114沿着第一方向D1(在此处可为基底部112的第一表面112a的法线方向)突出于基底部112的第一表面112a，亦即转置头114置于基底部112的第一表面112a上，且转置头114沿着第一方向D1具有相对的第一侧面115与第二侧面116。第一侧面115与第二侧面116连接第一表面112a。磁性物质150置于转置头114中。磁性物质150邻近第一侧面115的密度大于邻近第二侧面116的密度。也就是说，磁性物质150邻近第一侧面115的磁力大于邻近第二侧面116的磁力。本实施例的转置图章100藉由磁性物质150可提高微元件的转印良率。具体而言，在一些制造工艺过程中，微元件需从一基板转移至另一基板，因此可使用转置图章100自一基板提取微元件，再将微元件置于另一基板上。转置图章本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转置图章，其特征在于，包含：一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头沿着所述第一方向具有相对的一第一侧面与一第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面连接所述基底部的所述表面；以及多个磁性物质，置于所述转置头中，其中所述磁性物质邻近所述第一侧面的密度大于邻近所述第二侧面的密度。

【技术特征摘要】
2017.03.07 TW 1061074001.一种转置图章，其特征在于，包含：一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头沿着所述第一方向具有相对的一第一侧面与一第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面连接所述基底部的所述表面；以及多个磁性物质，置于所述转置头中，其中所述磁性物质邻近所述第一侧面的密度大于邻近所述第二侧面的密度。2.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质于所述转置头中的密度沿着一第二方向递减，所述第二方向垂直于所述第一方向。3.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述转置头沿所述第一方向具有一对称面，所述转置头包含对称于所述对称面的一第一部分与一第二部分，且位于所述第一部分的所述磁性物质的密度大于位于所述第二部分的所述磁性物质的密度。4.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述转置头包含一上部分与一下部分，所述上部分与所述下部分沿着所述第一方向排列，所述上部分置于所述下部分与所述基底部之间，且所述上部分于所述基底部的一垂直投影面积大于所述下部分于所述基底部的一垂直投影面积。5.如权利要求4所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质置于所述转置头的所述下部分。6.如权利要求5所述的转置图章，其特征在于，所述转置头的所述下部分沿着一第二方向具有一宽度，且自所述第一侧面为起点的25％所述宽度的区域内的所述磁性物质的密度大于自所述第二侧面为起点的25％所述宽度的区域内的所述磁性物质的密度。7.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质的材质为四氧化三铁、氧化锰铁、氧化钴铁、铝镍钴合金、铁铬钴...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振彰，罗国隆，李和政，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71