晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
本专利技术涉及一种晶片(wafer)加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体可以有效获得薄型晶片。
技术介绍
为了实现更高密度、大容量化，三维半导体安装是必不可少的。三维半导体安装技术是指以下半导体制造技术：将一个半导体晶片(chip)薄型化，再一边利用硅通孔(throughsiliconvia，TSV)电极将此半导体晶片接线，一边渐渐积层成多层。为了实现此项技术，需要以下步骤：通过对非电路形成面(又称作“背面”)进行磨削，将形成有半导体电路的基板薄型化，并在背面上形成含有TSV的电极。以往，在硅基板的背面磨削步骤中，在磨削面的相反侧粘贴有背面保护胶带，以防止磨削时损坏晶片。但是，此胶带是将有机树脂薄膜用作基材，虽然具有柔软性，但强度和耐热性等不充分，并不适合进行TSV形成步骤和背面上的配线层形成步骤等。因此，已提出一种系统，是通过将半导体基板隔着粘着层来接合于硅、玻璃等支撑体上，而足以经受得住背面磨削、形成TSV和背面电极等的步骤。此时，将基板接合于支撑体时的粘着层非常重要。此粘着...
【技术保护点】
一种晶片加工体，其特征在于，所述晶片加工体是在支撑体上形成有暂时粘着材料层，并且在该暂时粘着材料层上积层有晶片，所述晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，并且以能够剥离的方式积层于所述晶片的表面上；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，并且以能够剥离的方式积层于该第一暂时粘着层上；以及，第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能够剥离的方式积层于该第二暂时粘着层上...
【技术特征摘要】
2015.10.19 JP 2015-2059131.一种晶片加工体，其特征在于，所述晶片加工体是在支撑体上形成有暂时粘着材料层，并且在该暂时粘着材料层上积层有晶片，所述晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，并且以能够剥离的方式积层于所述晶片的表面上；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，并且以能够剥离的方式积层于该第一暂时粘着层上；以及，第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能够剥离的方式积层于该第二暂时粘着层上，并且以能够剥离的方式积层于所述支撑体上。2.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，在所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)积层于所述晶片的表面上且进一步所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)积层于该聚合物层(A)上的状态下，将热固化后的所述聚合物层(B)从所述聚合物层(A)剥离时所需要的剥离力，比在所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)积层于所述支撑体上且进一步所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)积层于该聚合物层(A’)上的状态下，将热固化后的所述聚合物层(B)从所述聚合物层(A’)剥离时所需要的剥离力更强。3.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)和/或(A’)是非反应性有机聚硅氧烷层，所述非反应性有机聚硅氧烷层含有99.000～99.999摩尔％的以R11R12SiO2/2表示的硅氧烷单元即D单元、1.000～0.001摩尔％的以R13R14R15SiO1/2表示的硅氧烷单元即M单元以及0.000～0.500摩尔％的以R16SiO3/2表示的硅氧烷单元即T单元，R11、R12、R13、R14、R15、R16各自表示无取代或取代的1价烃基，重均分子量为200000～1000000，分子量为740以下的低分子量成分为0.5质量％以下。4.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)和/或(A’)是非反应性有机聚硅氧烷层，所述非反应性有机聚硅氧烷层是由有机聚硅氧烷树脂与由下述通式(1)表示的有机聚硅氧烷部分地脱水缩合而成，所述有机聚硅氧烷树脂含有R21R22R23SiO1/2单元和SiO4/2单元，R21、R22、R23分别是无取代或取代的碳原子数1～10的1价烃基或羟基，所述R21R22R23SiO1/2单元/SiO4/2单元的摩尔比为0.6～1.7，该脱水缩合的有机聚硅氧烷与所述有机聚硅氧烷树脂的比例为99：1～50：50，重均分子量为400000～1500000，分子量740以下的低分子量成分为0.5质量％以下；式(1)中，R31和R32各自表示无取代或取代的碳原子数1～10的1价烃基，n为5000～10000。5.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)和/或(A’)的膜厚为1～80nm。6.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)是以下组合物的固化物层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物100质量份，含有0.1～50质量份的选自氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酚类化合物及环氧化合物中的任意1种以上作为交联剂，所述含硅氧烷键聚合物是具有由下述通式(2)表示的重复单元且重均分子量为3000～500000，所述氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂是经福尔马林或福尔马林-醇类改性，所述酚类化合物在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧羟甲基，所述环氧化合物在1分子中平均具有2个以上环氧基；式(2)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；X是由下述通式(3)表示的2价有机基团，式(3)中，Z是选自下述基团中的任一种的2价有机基团，N是0或1；R5、R6分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同；k是0、1、2中的任一者。7.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)是以下组合物的固化物层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物100质量份，含有0.1～50质量份的选自酚类化合物及环氧化合物中的任意1种以上作为交联剂，所述含硅氧烷键聚合物是具有由下述通式(4)表示的重复单元且重均分子量为3000～500000，所述酚类化合物在1分子中平均具有2个以上酚基，所述环氧化合物在1分子中平均具有2个以上环氧基；式(4)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；Y是由下述通式(5)表示的2价有机基团，式(5)中，V是选自下述基团中的任一种的2价有机基团，p是0或1；R7、R8分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同；h是0、1、2中的任一者。8.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，在所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)积层于所述晶片的表面上且进一步所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)积层于该聚合物层(A)上的状态下，将热固化后的所述聚合物层(B)从所述聚合物层(A)剥离时所需要的剥离力，以宽25mm的试片的180°揭膜剥离力计，为1gf以上且500gf以下，并且在所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)积层于所述支撑体上且进一步所述聚合物层(B)积层于该聚合物层(A’)上的状态下，将热固化后的所述聚合物层(B)从所述聚合物层(A’)剥离时所需要的剥离力，以宽25mm的试片的180°揭膜剥离力计，为0.5gf以上且50gf以下。9.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)是部分地形成且以能够剥离的方式粘着在所述晶片的表面上。10.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)是部分地形成且以能够剥离的方式粘着在所述支撑体的表面上。11.一种薄型晶片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤(a)，是将晶片的电路形成面隔着复合暂时粘着材料层来接合于支撑体时，在真空下将支撑体、与积层有所述聚合物层(A)的所述晶片进行贴合，所述晶片的表面具有电路形成面且背面具有非电路形成面，所述复合暂时粘着材料层是由权利要求1至10中任一项所述的晶片加工体中所使用的所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)、所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)及所述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，所述聚合物层(A’)积层于所述支撑体上且所述聚合物层(B)积层于该聚合物层(A’)上；步骤(b)，是使所述聚合物层(B)热固化；步骤(c)，是对与所述支撑体接合的所述晶片的非电路形成面进行磨削或研磨；步骤(d)，是对所述晶片的非电路形成面实施加工；步骤(e)，是将所述支撑体和积层于所述支撑体上的所述聚合物层(A’)在成为一体的状态下从实施所述加工后的晶片剥离；以及，步骤(f)，是在进行所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：田上昭平，菅生道博，安田浩之，田边正人，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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