处于深度关机模式的记忆体晶片的内部功率管理架构制造技术

本发明专利技术叙述一种用于记忆体晶片的深度关机模式的方法，其中电压调整器及电荷帮浦电路会关闭、记忆单元电压会浮接、以及支援电路内部电源供应电压是由从外部晶片电压所得到的电压来取代。在进入深度关机模式之前，所有记忆单元会进入预充状态，在进入深度关机模式之后，记忆单元电压会浮接。可使外部所得到电压连接至支援电路电源供应电压线的通过电路是由深度关机讯号来控制。当记忆体晶片离开深度关机模式时，保持支援电路上的电压偏压可防止栓锁问题产生。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于记忆体晶片，且特别是有关于处于深度关机模式的记忆体晶片。
技术介绍
低功率计算元件(包括记忆体)的应用已持续增加。当记忆体元件的效能及大小增加时，这些元件所耗费的功率会增加。这会使需提供记忆体及其它计算元件电力的电池的负担加重。随着功率及效能的增加，以及产生更多能量的需求，已产生深度关机模式的新需求。当处于深度关机模式时，晶片只能准许耗费非常少量的待机功率，其要求晶片电流低于约3μA。此低电流目标不易达成，并且需要内部电源管理架构。记忆元件的深度关机与停机不同，记忆元件在深度关机时，元件外部供应电压VDD仍然持续供应电源，然而记忆元件在停机时，元件外部供应电压VDD则不再供应电源(VDD＝0V)。在美国专利6,243,315B1(Goodman)中，记忆体系统是针对当未使用记忆体时，会唤醒低功率模式的控制架构，其中控制装置会将记忆元件隔离，并且使其处于自我更新模式。在美国专利5,197,034中，是针对具有控制电路的非挥发性记忆体，其当处于第三控制状态时，会将记忆体切换成实质上的关机状态。故需提出一种未使用时的记忆元件的深度关机的方法。然后，当记忆元件需执行正常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深度关机电路，其特征在于：用以节省一低功率记忆体晶片的功率，包括：ａ）多个通闸电路，其各个是藕接至位于该低功率记忆体晶片内部的电荷帮浦电路及电压调整器的输出；以及ｂ）当该些电荷帮浦、该些电压调整器及电压产生器处于一深度关机模式而关闭时，该些通闸电路会使该低功率记忆体晶片的一外部电压藕接至记忆体支援电路。

【技术特征摘要】
1.一种深度关机电路，其特征在于用以节省一低功率记忆体晶片的功率，包括a)多个通闸电路，其各个是藕接至位于该低功率记忆体晶片内部的电荷帮浦电路及电压调整器的输出；以及b)当该些电荷帮浦、该些电压调整器及电压产生器处于一深度关机模式而关闭时，该些通闸电路会使该低功率记忆体晶片的一外部电压藕接至记忆体支援电路。2.如权利要求1所述的深度关机电路，其特征在于其中在执行一记忆单元预充之后的该深度关机模式启始时，该些电荷帮浦及该些电压调整器会关闭，并且该些通闸电路会导通，以将电源提供给该些支援电路。3.如权利要求1所述的深度关机电路，其特征在于其中在该深度关机模式结束时，该些通闸电路会关闭，而该些电荷帮浦、该些电压调整器及该些电压产生器会导通。4.如权利要求1所述的深度关机电路，其特征在于其中该些通闸电路是由在该深度关机模式中会致能的接地闸所取代，以使位于该低功率记忆体晶片的内部的该些电荷帮浦及该些电压调整器的输出接地。5.如权利要求4所述的深度关机电路，其特征在于其中当该低功率记忆体晶片进入该深度关机模式时，该些接地闸及该些通闸电路的一选择性组合是用来取代该些电荷帮浦电路及该些电压调整器的输出。6.如权利要求4所述的深度关机电路，其特征在于其中在处于该深度关机模式而关闭之后，不再使用该些通闸电路及该些接地闸，并且使该些电荷帮浦电路及该些电压调整器的输出浮接。7.如权利要求6所述的深度关机电路，其特征在于其中当该低功率记忆体晶片进入该深度关机模式时，该些接地闸、该些通闸电路及该些电荷帮浦电路与该些电压调整器的输出的浮接的一选择性组合是用来取代该些电荷帮浦电路及该些电压调整器的输出。8.一种降低深度关机模式期间的记忆体晶片功率的方法，其特征在于包括下列步骤a)在实施一深度关机模式之前，对记忆单元进行预充电处理；以及b)进入该深度关机模式及降低一记忆体晶片的功率，包括i)使对该些记忆单元进行预充电处理中所使用的电压浮接；以及ii)以从该记忆体晶片的一外部电压所得到的电压来取代与对该些记忆单元进行预充电处理不相关的内部记忆体晶片电压。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中对该些记忆单元进行预充电处理是使该些记忆单元进入一预充电状态。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于其中使对该些记忆单元电压进行预充电处理中所使用的电压浮接的步骤，更包括a)使位元线电压浮接；b)使记忆体储存电容屏极电压浮接以及c)使记忆单元基底电压浮接。11.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中使对该些记忆单元电压进行预处理中未使用的电压浮接包括使电压调整器及电荷帮浦关闭。12.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中取代与对该些记忆单元进行预处理不相关的内部记忆体晶片电压的步骤，更包括a)使电压调整器及电荷帮浦关闭；以及b)使用与从一外部晶片电压所得到的电压连接的通闸电路，来取代来自于关闭的电压调整器及电荷帮浦的输出的该些内部电压。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于其中以外部所得到的电压来取代与对该些记忆单元进行预处理不相关的内部记忆体晶片电压是用以防止在从该深度关机模式离开之后的晶片栓锁。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于其中取代内部记忆体晶片电压是藉由使用接地闸，以使关闭的电压调整器及电荷帮浦的输出接地。15...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁达刚，王明弘，许人寿，戎博斗，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]