一种磷腈化合物、预浸板及复合金属基板制造技术

本发明专利技术涉及一种磷腈化合物、塑封料及复合金属基板。该磷腈化合物具有式Ⅰ所示的分子结构。本发明专利技术通过采用特定组成的M基团得到磷腈化合物，其固化物具有低介电性、良好的耐热性和机械性能，是一种具有较大的经济性及环保友好型的低介电材料。

Nitrile compound, prepreg and composite metal substrate

The invention relates to a nitrile compound, a plastic sealing compound and a composite metal substrate. The nitrile compound has a molecular structure shown in formula I. Get the phosphazene compounds of the present invention by M group with specific composition, cured with low dielectric properties, good heat resistance and mechanical properties, low dielectric material which has a great economic and environmental friendly.

【技术实现步骤摘要】
一种磷腈化合物、预浸板及复合金属基板
本专利技术属于低介电材料
，尤其涉及一种磷腈化合物、预浸板及复合金属基板。
技术介绍
以手机、电脑、摄像机、电子游戏机为代表的电子产品、以空调、冰箱、电视影像、音响用品等为代表的家用、办公电器产品以及其他领域使用的各种产品，为了安全，很大部分的产品都要求其具备低介电性和耐热性。就电气性质而言，主要需考虑的因素还包括材料的介电常数以及介电损耗。一般而言，由于基板的讯号传送速度与基板材料的介电常数的平方根成反比，故基板材料的介电常数通常越小越好；另一方面，由于介电损耗越小代表讯号传递的损失越少，故介电损耗较小的材料所能提供的传输质量也较为良好。因此，如何开发出具有低介电常数以及低介电损耗的材料，并将其应用于高频印刷电路板的制造，乃是现阶段印刷电路板材料领域亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术第一方面提供一种磷腈化合物，该磷腈化合物具有低介电性、良好的耐热性和机械性能，而且，该磷腈化合物具有成本低的优势。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种磷腈化合物，其具有如式Ⅰ所示的分子结构：式Ⅰ中，R1为取代的或未取代的脂肪烃基；R独立地为取代的或未取代的脂肪烃基、或取代的或未取代的芳香烃基；R2、R3独立地为取代的或未取代的脂肪烃基、或取代的或未取代的芳香烃基；R4、R5独立地为任意亲核基团；R6、R7独立地为满足其化学环境的任意有机基团；M为环三磷腈基M1、环四以上磷腈基M2或非环状磷腈基M3中的任意一种或其至少两种的组合；n、q为大于等于零的整数且n和q不同时为零，m为大于等于零的整数；a、b为大于等于零的整数，且a+b+2等于M中磷原子数的2倍。例如n可以为0、1、2、3、4、5、6、7等，m为大于等于零的整数，例如0、1、2、3、4、5、6、7等，但是n和q不同时为零。在本专利技术中a、b用于表示R4、R5基团的个数，R4、R5基团与M基团中的磷原子相连。在本专利技术中a+b+2等于M中磷原子数的2倍，即保证M上磷原子达到化合价为五价的饱和状态。在本专利技术中，所述满足其化学环境是指能够与其相邻的原子相连，得到稳定的化学连接键。优选地，R1为取代或未取代的直链烷基或支链烷基或取代或未取代的环烷基。所述的取代基为不含有卤素的任意有机基团，例如烷基、环烷基、烷氧基、换烷氧基、芳基、杂芳基、烷基芳基、杂芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。具体地，R1可以为但不限于-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2-或中的任意一种。优选地，R独立地为取代或未取代的直链烷基或支链烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳基烷基中的任意一种。所述的取代基为不含有卤素的任意有机基团，例如烷基、环烷基、烷氧基、换烷氧基、芳基、杂芳基、烷基芳基、杂芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。优选地，R2、R3独立地为取代或未取代的直链烷基或支链烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳基烷基中的任意一种。所述的取代基为不含有卤素的任意有机基团，例如烷基、环烷基、烷氧基、换烷氧基、芳基、杂芳基、烷基芳基、杂芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。优选地，R4、R5独立地为取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代的或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的烷基芳氧基、取代或未取代的杂芳基烷氧基、取代或未取代的烷基杂芳氧基、取代或未取代的羧酸酯基、取代或未取代的碳酸酯基、取代或未取代的磺酸酯基或取代或未取代的膦酸酯基中的任意一种或至少两种的组合。在本专利技术中，R6、R7独立地为取代或未取代的直链烷基或支链烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳基烷基中的任意一种。本专利技术所提供的是一种无卤磷腈化合物，因此，在本专利技术的式Ⅰ结构中，所有基团以及基团的取代基均不含有卤素。在本专利技术中，所述亲核试剂即指，可以与卤代磷腈发生亲核取代反应的亲核试剂。在亲核取代反应过程中，亲核试剂脱去离去基团，亲核基团进攻卤代磷腈中的卤素原子，亲核基团和M相连。例如，当采用甲醇CH3OH作为亲核试剂与卤代磷腈发生亲核取代反应时，CH3OH脱去H+，亲核基团甲氧基CH3O-取代卤代磷腈中的卤素原子，与磷腈中的-P相连。在本专利技术中，取代或未取代的直链烷基或支链烷基优选为取代或未取代的C1～C12(例如C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10或C11)直链烷基或支链烷基，进一步优选C1～C8直链烷基或支链烷基，当碳原子数为1时即为甲基，碳原子数为2时，即为乙基。取代或未取代的环烷基优选为取代或未取代的C3～C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10或C11)的环烷基。取代的或未取代的烷氧基优选为取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10或C11)的烷氧基。取代的或未取代的环烷氧基优选为取代或未取代的C3～C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10或C11)的环烷氧基。取代或未取代的芳基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)烷基芳基。优选为苯基、萘基、等。苯基的实例包括联苯基、三联苯基、苯甲基、苯乙基或苯丙基等。取代或未取代的杂芳烷基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)杂芳烷基，优选为五元或六元杂芳基，进一步优选为取代的或未取代的呋喃基或吡啶基。取代或未取代的芳烷基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)芳烷基。取代或未取代的杂芳烷基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)杂芳烷基。取代或未取代的芳氧基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)芳氧基。取代或未取代的芳基烷氧基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)芳基烷氧基。取代或未取代的烷基芳氧基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)烷基芳氧基。取代或未取代的杂芳基烷氧基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)杂芳基烷氧基。取代或未取代的烷基杂芳基氧基优选为C7-C13(例如C8、C9、C10、C11或C12)烷基杂芳基氧基。本专利技术所使用的术语“取代的”是指指定原子上的任何一个或多个氢原子被选自指定组的取代基取代，条件是所述指定原子不超过正常价态，并且取代的结果是产生稳定的化合物。当取代基是氧代基团或酮基(即＝O)时，那么原子上的2个氢原子被取代。酮取代基在芳香环上不存在。“稳定的化合物”是指能够足够强健地从反应混合物中分离至有效的纯度并配制成有效的化合物。在本专利技术中，优选地，M1结构为：M2结构为：其中，x大于等于4；M3结构为：其中，y大于等于3。注意，M1、M2结构式的表示中，所出现符号仅仅是对“环状”结构的一种示意。M1、M2和M3中中P原子上连接的键仅代表三者中取代基取代发生在P原子上，不可理解为甲基的表示。优本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷腈化合物，其特征在于，其具有如式Ⅰ所示的分子结构：

【技术特征摘要】
1.一种磷腈化合物，其特征在于，其具有如式Ⅰ所示的分子结构：式Ⅰ中，R1为取代的或未取代的脂肪烃基；R独立地为取代的或未取代的脂肪烃基、或取代的或未取代的芳香烃基；R2、R3独立地为取代的或未取代的脂肪烃基、或取代的或未取代的芳香烃基；R4、R5独立地为任意亲核基团；R6、R7独立地为满足其化学环境的任意有机基团；M为环三磷腈基M1、环四以上磷腈基M2或非环状磷腈基M3中的任意一种或其至少两种的组合；n、q为大于等于零的整数且n和q不同时为零，m为大于等于零的整数；a、b为大于等于零的整数，且a+b+2等于M中磷原子数的2倍。2.如权利要求1所述的磷腈化合物，其特征在于，R1为取代或未取代的直链烷基或支链烷基或取代或未取代的环烷基；优选地，R独立地为取代或未取代的直链烷基或支链烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳基烷基中的任意一种；优选地，R2、R3独立地为取代或未取代的直链烷基或支链烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳基烷基中的任意一种；优选地，R4、R5独立地为取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代的或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的烷基芳氧基、取代或未取代的杂芳基烷氧基、取代或未取代的烷基杂芳氧基、取代或未取代的羧酸酯基、取代或未取代的碳酸酯基、取代或未取代的磺酸酯基或取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘庆崇，
申请(专利权)人：广东广山新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44