封装结构制造技术

一种封装结构，包括：基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，且所述基板内具有线路层；位于所述基板第一面上的第一功能芯片，所述第一功能芯片具有相对的第一功能面和第一背面，所述第一功能面上具有焊盘，所述第一背面与所述第一面固定接合，且所述焊盘通过导线与所述线路层电连接；倒装设置在所述基板第二面上的第二功能芯片，所述第二功能芯片具有相对的第二功能面和第二背面，所述第二功能面与所述第二面相对，且所述第二功能面与所述基板第二面暴露出的线路层电连接；位于所述基板第二面上的焊接凸起，所述焊接凸起与所述基板第二面暴露出的线路层电连接。本实用新型专利技术减小了封装结构的尺寸，提高了封装结构的集成度。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本技术涉及封装
，特别涉及一种封装结构。
技术介绍
随着电子产品功能的不断增强，芯片朝向高集成度、高像素化以及微型化趋势发展。为了应对这一挑战，提出了扇出型(fanout)晶圆级封装技术。扇出型晶圆级封装技术主要包括以下步骤：先将整片裸晶圆进行切割，形成单颗分立的芯片；提供基板，将切割后的独立芯片在基板上重新排布，形成芯片间距更合适的新的晶圆；然后采用晶圆级封装技术(WLP，WaferLevelPackage)，对重新排布的晶圆进行封装测试后，切割成比原始芯片面积大的焊球阵列芯片。扇出型晶圆级封装技术有利于封装体积小、多电极、电极间距窄的芯片；此外，扇出型晶圆级封装技术原则上还可以同时封装不同类型氮尺寸相同甚至焊球数量较为接近的芯片。与晶圆级芯片尺寸封装相比，扇出型晶圆级封装技术更好的解决了可靠性低问题以及与后续制程PCB匹配的问题，其中，所述可靠性低的问题可能是由于电极密集度过大造成的。然而，现有技术的封装结构的尺寸较大，集成度有待提高。
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种封装结构，减小封装结构的尺寸，提高集成度。为解决上述问题，本技术提供一种封装结构，包括：基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，且所述基板内具有线路层；位于所述基板第一面上的第一功能芯片，所述第一功能芯片具有相对的第一功能面和第一背面，所述第一功能面上具有焊盘，所述第一背面与所述第一面固定接合，且所述焊盘通过导线与所述线路层电连接；倒装设置在所述基板第二面上的第二功能芯片，所述第二功能芯片具有相对的第二功能面和第二背面，所述第二功能面与所述第二面相对，且所述第二功能面与所述基板第二面暴露出的线路层电连接；位于所述基板第二面上的焊接凸起，所述焊接凸起与所述基板第二面暴露出的线路层电连接。可选的，所述第一功能芯片为影像传感芯片；所述第一功能面上还具有影像感应区，且所述焊盘环绕所述影像感应区。可选的，所述封装结构还包括：位于所述基板第一面上的中空环状柱，所述中空环状柱包围所述第一功能芯片；设置在所述中空环状柱顶部的透光板，且所述透光板、中空环状柱以及所述基板围成空腔，所述第一功能芯片位于所述空腔内。可选的，所述中空环状柱顶部高于所述第一功能芯片的第一面。可选的，所述中空环状柱顶部与所述透光板之间还具有粘胶层。可选的，所述第二功能芯片为信号处理芯片；所述第二功能芯片的数量大于或等于1。可选的，所述封装结构还包括：位于所述第二功能面上的金属凸块，通过所述金属凸块电连接所述第二功能面与所述基板第二面暴露出的线路层。可选的，所述焊接凸起分布在所述第二功能芯片周围。可选的，所述第二焊接凸起顶部与所述基板第二面之间的距离大于所述第二功能芯片第二背面与所述基板第二面之间的距离。可选的，所述封装结构还包括：位于所述第一背面与所述第一面之间的粘附层。可选的，所述封装结构还包括：位于所述基板部分第二面上的绝缘层，且所述焊接凸起贯穿所述绝缘层；位于所述基板第一面上的防焊层，且所述导线贯穿所述防焊层。可选的，所述封装结构还包括：位于所述基板第二面且覆盖第二功能芯片侧壁的塑封层。与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点：本技术提供的封装结构的技术方案中，第一功能芯片以及第二功能芯片分别的设置在基板相对的两个面上，与第一功能芯片以及第二功能芯片并行设置在基板同一个面上的方案相比，本技术提供的封装结构在水平方向上(平行于基板表面方向上)的尺寸明显更小，从而使得封装结构的集成度更高。并且，由于所述焊接凸起与所述第二功能芯片设置在所述基板的同一面上，从而尽可能的减小了所述封装结构在垂直于水平面上的厚度尺寸，降低产品的总厚度。可选方案中，第一功能芯片为影像传感芯片，所述封装结构还包括：位于所述基板第一面上的中空环状柱，所述中空环状柱包围所述第一功能芯片；设置在所述中空环状柱顶部的透光板，且所述透光板、中空环状柱以及所述基板围成空腔，所述第一功能芯片位于所述空腔内。本技术对第一功能芯片的影像感应区具有保护作用，防止所述影像感应区受到损伤。附图说明图1为一种封装结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的封装结构的结构示意图；图3至图10为采用本技术实施例提供的封装方法进行封装过程的结构示意图。具体实施方式由
技术介绍
可知，现有技术提供的封装结构的尺寸大、集成度有待提高。现结合一种封装结构进行分析，图1为一种封装结构的结构示意图，参考图1，所述封装结构包括：具有相对的上表面以及下表面的基板10，所述基板10中分布有线路互连层(未标示)，且所述基板10中具有贯穿所述基板10的镂空11，所述透光板20粘贴于所述基板10镂空11的上表面；倒装电连接于所述基板10下表面的第一功能芯片30，且所述第一功能芯片30的功能区位于所述镂空11正下方，且所述第一功能芯片30的焊盘(未标示)与线路互连层电连接；位于所述基板10上表面且通过导线40与所述基板10电连接的第二功能芯片50，所述第二功能芯片50位于所述镂空11一侧；位于所述基板30下表面的BGA锡球60；位于所述基板10表面且覆盖第二功能芯片50侧壁的塑封层70。上述封装结构在水平方向上的尺寸大，造成封装结构的集成度低，不利于满足器件小型化微型化的发展趋势。为解决上述问题，本技术提供一种封装结构，显著的减小封装结构的尺寸。为使本技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。图2为本技术实施例提供的封装结构的结构示意图。参考图2，所述封装结构包括：基板101，所述基板101具有相对的第一面(未标示)和第二面(未标示)，且所述基板101内具有线路层102；位于所述基板102第一面上的第一功能芯片201，所述第一功能芯片201具有相对的第一功能面(未标示)和第一背面(未标示)，所述第一功能面上具有焊盘202，所述第一背面与所述第一面固定接合，且所述焊盘202通过导线203与所述线路层102电连接；倒装设置在所述基板101第二面上的第二功能芯片301，所述第二功能芯片301具有相对的第二功能面(未标示)和第二背面(未标示)，且所述第二功能面与所述基板101第二面暴露出来的线路层102电连接；位于所述基板101第二面上的焊接凸起401，所述焊接凸起401与所述基板101第二面暴露出的线路层102电连接。以下将结合附图对本实施例提供的封装结构进行详细说明。所述基板101起到支撑所述第一功能芯片201以及第二功能芯片301的作用；此外，所述基板101还起到电连接所述第一功能芯片201以及第二功能芯片301的作用，且还用于与外接电路或者其他部件进行电连接。所述基板101为玻璃基板、金属基板、半导体基板或者聚合物基板。本实施例中，所述基板101为PCB基板。所述基板101内还具有线路层102。本实施例中，根据布线以及电连接需求，所述线路层102为位于所述基板101内的多层布线互联结构。其中，所述第一面暴露出的线路层102用于与第一功能芯片201电连接；所述第二面暴露出的线路层102用于与第二功能芯片301电连接。本实施例中，所述基板101第一面还可以具有防焊层(SolderMaskLayer)103，所述防焊层103位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，且所述基板内具有线路层；位于所述基板第一面上的第一功能芯片，所述第一功能芯片具有相对的第一功能面和第一背面，所述第一功能面上具有焊盘，所述第一背面与所述第一面固定接合，且所述焊盘通过导线与所述线路层电连接；倒装设置在所述基板第二面上的第二功能芯片，所述第二功能芯片具有相对的第二功能面和第二背面，所述第二功能面与所述第二面相对，且所述第二功能面与所述基板第二面暴露出的线路层电连接；位于所述基板第二面上的焊接凸起，所述焊接凸起与所述基板第二面暴露出的线路层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，且所述基板内具有线路层；位于所述基板第一面上的第一功能芯片，所述第一功能芯片具有相对的第一功能面和第一背面，所述第一功能面上具有焊盘，所述第一背面与所述第一面固定接合，且所述焊盘通过导线与所述线路层电连接；倒装设置在所述基板第二面上的第二功能芯片，所述第二功能芯片具有相对的第二功能面和第二背面，所述第二功能面与所述第二面相对，且所述第二功能面与所述基板第二面暴露出的线路层电连接；位于所述基板第二面上的焊接凸起，所述焊接凸起与所述基板第二面暴露出的线路层电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功能芯片为影像传感芯片；所述第一功能面上还具有影像感应区，且所述焊盘环绕所述影像感应区。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述基板第一面上的中空环状柱，所述中空环状柱包围所述第一功能芯片；设置在所述中空环状柱顶部的透光板，且所述透光板、中空环状柱以及所述基板围成空腔，所述第一功能芯片位于所述空腔内。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述中空环状柱顶部高于所述第一功能芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，沈志杰，耿志明，罗晓峰，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32