一种IGBT半桥电路制造技术

一种IGBT半桥电路，在外壳底板上真空烧结氮化铝DBC基板，在氮化铝DBC基板上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片；氮化铝DBC基板与主电极引线间用真空烧结的连接桥进行电联接，氮化铝DBC基板与IGBT芯片、FWD芯片及辅助电极引线间用超声压焊高纯铝丝进行电联接；壳盖扣设在外壳底板上。其优点是：它采用金属全封装外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，其耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想。它体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变，可组合为H桥电路与三相全桥电路。适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变；壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于交直流转换电路
，具体涉及一种IGBT半桥电路。
技术介绍
现在国内进口的IGBT，大多为工业级，一般采用裸芯片灌胶工艺。封装多采用塑封外壳灌胶，其耐温度循环性能及密封性能、散热性能重量等均不能满足用户及标准的要求。同时进口IGBT的采购，也存在限购和停产的风险。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：克服现有技术改进的不足，提供一种体积小、重量轻、大电流、抗冲击、振动、散热性好的IGBT半桥电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。优选的，所述氮化铝DBC基板真空烧结在外壳底板上。优选的，所述外壳底板为钼铜材料。优选的，所述IGBT芯片和FWD芯片真空烧结在所述氮化铝DBC基板上。优选的，所述连接桥为一无氧铜导带。优选的，所述高纯铝丝与氮化铝DBC基板、所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用超声压焊工艺进行焊接。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术工艺标准采用GJB2438A-2002金属全封装的外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，同时底板材料采用钼铜。耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想，满足指标要求，并且此种体积小重量轻，可与原进口产品实现功能互换。本技术体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变等，可以组合为H桥电路与三相全桥电路。它适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变，绝缘电压大于2000V，壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。附图说明图1是本技术实施例的半剖结构示意图；图2是本技术实施例中去除壳盖后的结构俯视图。图中标记为：1、外壳底板；2、氮化铝DBC基板；3、IGBT芯片和FWD芯片；4、连接桥；5、高纯铝丝；6、壳盖。具体实施方式下面结合附图实施例，对本技术做进一步描述：实施例一如图1、2所示，一种IGBT半桥电路，包括钼铜材料制作的外壳底板1、壳盖6，钼铜的膨胀系数与硅芯片相当，使产品耐更大的冷热剧变；在外壳底板1上真空烧结氮化铝DBC基板2，氮化铝DBC基板2的导热率大，使产品耐更高温度；在氮化铝DBC基板2上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片3，氮化铝DBC基板2的膨胀系数与IGBT芯片和FWD芯片3相当，使产品耐更大的冷热剧变；氮化铝DBC基板2与主电极引线之间采用真空烧结的连接桥4进行电联接，连接桥4材料为一根无氧铜导带，使产品电流过载能力显著提高；氮化铝DBC基板2与IGBT芯片和FWD芯片3及辅助电极引线之间采用超声压焊高纯铝丝5进行电联接；壳盖6扣设在外壳底板1上。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非是对本技术作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的
技术实现思路
加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本技术技术方案内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本技术技术方案的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。2.根据权利要求1所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述氮化铝DBC基板真空烧结在外壳底板...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝秋强，施可成，宋毅龙，李德鹏，
申请(专利权)人：青岛航天半导体研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37