【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
BAW(Bulkacousticwave，体声波)器件或者FBAR(Filmbulkacousticresonator，薄膜体声波谐振器)器件现在广泛应用于4G设备(LTE，LongTermEvolution，长期演进)以获得高Q因子(即品质因子)。然而，对于晶片级封装方法，现在可用的FBAR工艺全部是在帽盖组件CAP晶片101上应用后通孔(TSV，ThroughSiliconVias，硅通孔)工艺(即先将CAP晶片与FBAR的衬底接合，再进行硅通孔)。在这种方法中，由于CAP晶片的金属连接件与FBAR的衬底的金属连接衬垫的接合界面(如图1黑色圆圈处)有同种材料或者异种材料，而且接合时都会有自然氧化层，将导致接合处的电阻变化，该电阻Rs较高，而且这样的电阻又会受到接合制程本身的影响，如果接合有问题，会强烈影响电阻，因此将影响器件外接电路(图1未示出)与BAW或者FBAR的电性连接。现有技术中采用金层102来进行连接。但是金的价格昂贵，成本较高，并且在器件制作过程中由于金是重金属，会造成污染，将导致器件少子寿命缩短，使得器件失效(主要影响CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)器件前段制作工艺)，因此很难满足制作要求。
技术实现思路
本专利技
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的子组件，其中所述子组件包括第一金属层以及与所述第一金属层绝缘的第二金属层；具有金属连接件的帽盖组件；贯穿所述衬底形成的第一通孔和第二通孔，其中所述第一通孔和所述第二通孔填充有金属，所述第一通孔中的金属与所述子组件的第一金属层电性连接，所述第二通孔中的金属与所述子组件的第二金属层电性连接；以及在所述衬底上包围所述子组件形成的金属连接衬垫，其中所述金属连接衬垫与所述金属连接件对接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的子组件，其中所述子组件包括第一金属层以
及与所述第一金属层绝缘的第二金属层；
具有金属连接件的帽盖组件；
贯穿所述衬底形成的第一通孔和第二通孔，其中所述第一通孔和
所述第二通孔填充有金属，所述第一通孔中的金属与所述子组件的第
一金属层电性连接，所述第二通孔中的金属与所述子组件的第二金属
层电性连接；以及
在所述衬底上包围所述子组件形成的金属连接衬垫，其中所述金
属连接衬垫与所述金属连接件对接。
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，还包括：在所
述衬底形成有位于所述子组件下方的空腔。
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，还包括：与所
述第一通孔中的金属电性连接的第一重布线层以及与所述第二通孔中
的金属电性连接的第二重布线层，其中所述第一重布线层和所述第二
重布线层绝缘，且均形成在所述衬底的背面。
4.根据权利要求3所述半导体器件，其特征在于，还包括：与所
述第一重布线层电性连接的第一凸点以及与所述第二重布线层电性连
接的第二凸点，其中所述第一凸点与所述第二凸点绝缘。
5.根据权利要求3或4所述半导体器件，其特征在于，还包括：
形成在所述衬底背面的第一绝缘层以及形成在所述第一绝缘层上的第
二绝缘层，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包围所述第一重布
\t线层和所述第二重布线层。
6.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，还包括：形成
在所述金属连接衬垫与所述衬底之间的绝缘层。
7.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一通孔
和所述第二通孔中的金属为铜、铝或者钨。
8.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述金属连接
件与所述金属连接衬垫均为铜。
9.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述金属连接
件与所述金属连接衬垫分别为铝和锗。
10.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一金
属层和所述第二金属层均为钼层。
11.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成第一通孔和第二通孔，其中所述第一通孔和所述第
二通孔填充有金属；
在衬底上形成子组件，其中所述子组件包括第一金属层以及与所
述第一金属层绝缘的第二金属层，所述第一通孔中的金属与所述子组
件的第一金属层电性连接，所述第二通孔中的金属与所述子组件的第
二金属层电性连接，以及在所述衬底上形成包围所述子组件的金属连
接衬垫；
将帽盖组件的金属连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭亮良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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