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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：衬底，形成在衬底上的子组件，具有金属连接件的帽盖组件，贯穿衬底形成的第一通孔和第二通孔，以及在衬底上包围子组件形成的金属连接衬垫，其中所述子组件包括第一金属层以及与所述第一金属层绝...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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