半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：晶体管；二极管，其与所述晶体管逆并联连接；检测晶体管，其流通与在所述晶体管中流通的电流相对应的电流；检测二极管，其流通与在所述二极管中流通的电流相对应的电流；电阻，其具有与所述检测晶体管的发射极和所述检测二极管的阳极连接的一端以及与所述晶体管的发射极和所述二极管的阳极连接的另一端；电流镜，其与所述电阻并联连接，并输出与在与所述检测二极管的正向相同的方向上流通的电流相对应的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
一直以来，已知一种通过共通的检测电阻而对在晶体管中流通的电流和在与晶体管逆并联连接的二极管中流通的电流进行检测的技术(例如，参照专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-268054号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题例如，为了对在晶体管中流通的较大的电流进行检测，而存在检测电阻的电阻值被设定为较低的情况。然而，检测电阻的电阻值越低，则检测电阻对电流的检测灵敏度越降低。因此，在上述的现有技术的检测电阻中，例如，难以高精度地对零安培附近的电流在与晶体管逆并联连接的二极管中流通的情况进行检测。因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够提高在与晶体管逆并联连接的二极管中流通的电流的检测灵敏度的半导体装置。用于解决课题的方法在一个方案中，提供一种半导体装置，具备：晶体管；二极管，其与所述晶体管逆并联连接；检测晶体管，其流通与在所述晶体管中流通的电流相对应的电流；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：晶体管；二极管，其与所述晶体管逆并联连接；检测晶体管，其流通与在所述晶体管中流通的电流相对应的电流；检测二极管，其流通与在所述二极管中流通的电流相对应的电流；电阻，其具有与所述检测晶体管的发射极和所述检测二极管的阳极连接的一端以及与所述晶体管的发射极和所述二极管的阳极连接的另一端；电流镜，其与所述电阻并联连接，并输出与在与所述检测二极管的正向相同的方向上流通的电流相对应的电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.31 JP 2013-2276781.一种半导体装置，具备：
晶体管；
二极管，其与所述晶体管逆并联连接；
检测晶体管，其流通与在所述晶体管中流通的电流相对应的电流；
检测二极管，其流通与在所述二极管中流通的电流相对应的电流；
电阻，其具有与所述检测晶体管的发射极和所述检测二极管的阳极连接
的一端以及与所述晶体管的发射极和所述二极管的阳极连接的另一端；
电流镜，其与所述电阻并联连接，并输出与在与所述检测二极管的正向
相同的方向上流通的电流相对应的电流。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电流镜具有：
输入晶体管，其与所述电阻并联连接，并被输入在所述相同的方向上流
通的电流；
输出晶体管，其输出与在所述相同的方向上流通的电流相对应的电流。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：早稻仓真树，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP