互连结构的制作方法技术

一种互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层上形成硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；在形成所述开口后，进行退火工艺；在所述退火工艺后，以所述硬掩膜层为掩模，沿所述开口刻蚀所述低K介质层，以形成接触孔；采用金属填充满所述接触孔。所述互连结构的制作方法能够减小器件的RC延迟，提高了器件的开关速度，从而满足运用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种互连结构的制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，互连结构的RC延迟效应对器件的开启速度影响越来越大。为了减小RC延迟效应，现有技术用电阻率小的铜代替电阻率大的铝，以减小金属互连线的电阻；并且，利用低介电材料(K值小于氧化硅)来取代传统的氧化硅，以减小金属互连线间的电容。由于金属铜难以刻蚀，现有技术利用双镶嵌工艺制作铜互连结构。参考图1～图3，为现有技术的铜互连结构制作方法剖面结构示意图。首先，请参考图1，提供半导体衬底100。在所述半导体衬底100上依次形成低K介质层110和硬掩膜层120，硬掩膜层120具有贯穿自身厚度的开口130，开口130暴露低K介质层110上表面。然后，请参考图2，以硬掩膜层120为掩模，沿开口130刻蚀低K介质层110，以在低K介质层110内形成接触孔140。图中虽未显示，但在形成接触孔140时，还可以在低K介质层110内形成沟槽(未示出)，所述沟槽可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层上形成硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；在形成所述开口后，进行退火工艺；在所述退火工艺后，以所述硬掩膜层为掩模，沿所述开口刻蚀所述低K介质层，以形成接触孔；采用金属填充满所述接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成低K介质层；
在所述低K介质层上形成硬掩膜层；
形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；
在形成所述开口后，进行退火工艺；
在所述退火工艺后，以所述硬掩膜层为掩模，沿所述开口刻蚀所述低K
介质层，以形成接触孔；
采用金属填充满所述接触孔。
2.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺采
用的温度范围为300℃～500℃。
3.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺采
用的退火时间为100s～1000s。
4.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺采
用的压力为1Torr～10Torr。
5.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的
材料包括TiN、Ti和CuN的至少其中之一。
6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊卿，何其暘，胡敏达，曹轶宾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31