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一种互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层上形成硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；在形成所述开口后，进行退火工艺；在所述退火工艺后，以所述硬掩膜层为掩模，沿所述开口刻蚀所述低K介...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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