一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置。该方案中，像素控制腔体中的有源层的材料包括第一油墨，与现有技术中采用半导体材料制作有源层相比，油墨没有光敏性，因而不会因长时间光照而导致性能劣化，保证了显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是显示器中的重要器件，TFT包括栅极、源极、漏极和有源层。现有的TFT的制作工艺中，有源层的制作材料大多使用半导体材料，如非晶硅、非晶硅氧化物半导体和低温多晶硅，这些半导体材料都存在一定的光敏性，因此在长时间光照下，TFT器件的性能会发生劣化，导致影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置，用于解决显示器的TFT中使用的半导体材料因光敏性而性能劣化，导致影响显示效果的问题。本专利技术实施例的目的是通过以下技术方案实现的：一种阵列基板，包括衬底基板，还包括位于所述衬底基板上的多个像素控制腔体；其中：所述像素控制腔体包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材料包括第一油墨，所述第一油墨被设置为处于至少两种状态之一，所述两种状态包括：与所述薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接以将所述源极和所述漏极电性导通；与所述薄膜晶体管的源极和所述漏极至少之一之间电性断开。较佳地，所述像素控制腔体中填充有与所述第一油墨互不相溶且非导电的填充液。较佳地，所述填充液为去离子水。较佳地，所述像素控制腔体还包括位于所述衬底基板上的与所述薄膜晶体管的栅极绝缘设置的油墨吸附层。较佳地，所述油墨吸附层的材料为疏水绝缘材料。较佳地，在所述薄膜晶体管的栅极不施加电压的状态下，所述第一油墨在所述油墨吸附层的吸附下，使得所述第一油墨与所述薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接；所述栅极施加电压的状态下，所述第一油墨在所述油墨吸附层的吸附下，使得所述第一油墨与所述薄膜晶体管的源极和所述漏极至少之一之间电性断开。较佳地，所述第一油墨中包括导电性填料、有机溶剂和黏合剂。较佳地，所述导电性填料包括银、铜、金、铝、镍、铁、钼、钨、镉、铂、铌、铬、钛、锰、石墨、炭黑、碳素纤维中的至少一种材料的粉末，或者银、铜、金、铝、镍、铁、钼、钨、镉、铂、铌、铬、钛、锰中的两种以上金属的合金粉末。较佳地，所述黏合剂包括环氧树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、聚氨酸树脂、三聚氰胺甲醛树脂、酚醛树脂、氯乙烯-醋酸乙烯共聚树脂中的至少一种。一种电润湿显示面板，包括相对而置的第一基板和第二基板，所述第一基板为以上任一项所述的阵列基板；还包括与所述阵列基板上的像素控制腔体对应设置的像素显示腔体；其中:所述像素显示腔体包括与薄膜晶体管的漏极电性连接的像素电极、第二油墨吸附层以及设置在所述像素显示腔体内的第二油墨。较佳地，所述电润湿显示面板还包括第一遮挡层和第二遮挡层；所述第一遮挡层设置于所述像素控制腔体靠近所述第二基板一侧；所述第二遮挡层设置于所述像素控制腔体、所述像素显示腔体靠近衬底基板一侧。较佳地，所述第一遮挡层和第二遮挡层的材料均为黑矩阵材料。较佳地，所述像素控制腔体与所述像素显示腔体的腔体壁为黑矩阵。较佳地，在非显示模式下，各所述像素控制腔体中的所述栅极和所述源极不施加电压。较佳地，在正常显示模式下，各所述像素显示腔体的亮度为最大亮度值时，对应的各所述像素控制腔体中的所述栅极施加电压且所述源极不施加电压；各所述像素显示腔体的亮度小于最大亮度值时，对应的各所述像素控制腔体中的所述栅极不施加电压且所述源极施加电压；并且，各所述像素显示腔体的亮度不同，对应的所述源极施加的电压不同。一种显示装置，包括如以上任一项所述的电润湿显示面板。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置中，像素控制腔体中的有源层的材料包括第一油墨，与现有技术中采用半导体材料制作有源层相比，油墨没有光敏性，因而不会因长时间光照而导致性能劣化，保证了显示效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种电润湿显示面板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的第一油墨和第二油墨的状态示意图之一；图4为本专利技术实施例提供的第一油墨和第二油墨的状态示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的第一油墨和第二油墨的状态示意图之三。具体实施方式为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种阵列基板、电润湿显示面板及显示装置。其中，阵列基板包括衬底基板，还包括位于衬底基板上的多个像素控制腔体；其中：像素控制腔体包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层的材料包括第一油墨，第一油墨被设置为处于至少两种状态之一，两种状态包括：与薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接以将源极和漏极电性导通；与薄膜晶体管的源极和漏极至少之一之间电性断开。本专利技术实施例中，像素控制腔体中的有源层的材料包括第一油墨，与现有技术中采用半导体材料制作有源层相比，油墨没有光敏性，因而不会因长时间光照而导致性能劣化，保证了显示效果。下面结合附图和实施例对本专利技术提供的方案进行更详细地说明。具体实施时，本专利技术实施例提供的阵列基板的结构如图1所示，包括衬底基板1，还包括位于衬底基板1上的多个像素控制腔体2；其中：像素控制腔体2包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层的材料包括第一油墨3，第一油墨3被设置为处于至少两种状态之一，两种状态包括：与薄膜晶体管的源极4和漏极5均电性连接以将源极4和漏极5电性导通；与薄膜晶体管的源极4和漏极5至少之一之间电性断开。图1中仅示出了一个像素控制腔体2进行举例说明，每个像素控制腔体2位于由腔体壁6限定的区域。并且，图1中所示例的第一油墨3的状态可以使得源极4和漏极5电性连接。较佳地，像素控制腔体中填充有液体，为了避免第一油墨溶于该液体，以保证第一油墨的完整，且为避免该液体对第一油墨、源极和漏极的电性造成影响，较佳地，图1中，像素控制腔体2中填充有与第一油墨3互不相溶且非导电的填充液7。较佳地，该填充液为去离子水。具体实施时，较佳地，如图1所示，像素控制腔体2还包括位于衬底基板1上的与薄膜晶体管的栅极8绝缘设置的油墨吸附层9。其中，油墨吸附层9用于将第一油墨3吸附在源极4和漏极5之间，以便对源极4和漏极5进行电性导通和断开。图1中，该油墨吸附层的材料为疏水绝缘材料。由于疏水绝缘材料在未施加电压的状态下，其表面疏水亲油，第一油墨3大部分被吸附在油墨吸附层9的表面，即处于相对扩散状态，其扩散程度可以将源极4和漏极5电连接以将源极4和漏极5电性导通；疏水绝缘材料在施加电压的状态下，其表面亲疏水性发生改变，会变得更加亲水，因而第一油墨3被吸附在油墨吸附层9的部分就会减少，即处于相对收缩状态，其收缩程度可以使得第一油墨3与源极4和漏极5至少之一之间电性断开。基于此，图1的结构中，通过对栅极8的电压的控制，来控制疏水绝缘材料的亲疏水性。较佳地，在薄膜晶体管的栅极8不施加电压的状态下，第一油墨3在油墨吸附层9的吸附下，使得第一油墨3与薄膜晶体管的源极4和漏极5均电连接以将源极4和漏极5电性导通；栅极8施加电压的状态下，第一油墨3在油墨吸附层9的吸附下，使得第一油墨3与薄膜晶体管的源极4和漏极5至少之一之间电性断开。基于以上任意实施例，较佳地，第一油墨中可以但不限于包括导电性填料、有机溶剂和黏合剂。其中，导电性填料可以但不限于包括银、铜、金、铝、镍、铁、钼、钨、镉、铂、铌、铬、钛、锰、石墨、炭黑、碳素纤维中的至少一种材料的粉末，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的多个像素控制腔体；其中：所述像素控制腔体包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材料包括第一油墨，所述第一油墨被设置为处于至少两种状态之一，所述两种状态包括：与所述薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接以将所述源极和所述漏极电性导通；与所述薄膜晶体管的源极和所述漏极至少之一之间电性断开。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的多个像素控制腔体；其中：所述像素控制腔体包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材料包括第一油墨，所述第一油墨被设置为处于至少两种状态之一，所述两种状态包括：与所述薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接以将所述源极和所述漏极电性导通；与所述薄膜晶体管的源极和所述漏极至少之一之间电性断开。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素控制腔体中填充有与所述第一油墨互不相溶且非导电的填充液。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述填充液为去离子水。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素控制腔体还包括位于所述衬底基板上的与所述薄膜晶体管的栅极绝缘设置的油墨吸附层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述油墨吸附层的材料为疏水绝缘材料。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管的栅极不施加电压的状态下，所述第一油墨在所述油墨吸附层的吸附下，使得所述第一油墨与所述薄膜晶体管的源极和漏极均电性连接；所述栅极施加电压的状态下，所述第一油墨在所述油墨吸附层的吸附下，使得所述第一油墨与所述薄膜晶体管的源极和所述漏极至少之一之间电性断开。7.根据权利要求1～6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一油墨中包括导电性填料、有机溶剂和黏合剂。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述导电性填料包括银、铜、金、铝、镍、铁、钼、钨、镉、铂、铌、铬、钛、锰、石墨、炭黑、碳素纤维中的至少一种材料的粉末，或者银、铜、金、铝、镍、铁、钼、钨、镉、铂、铌、铬、钛、锰中的两种以上金属的合金粉末。9.根据权利要求8所述的阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：高锦成，何晓龙，曹占锋，张斌，姚琪，李正亮，孙雪菲，张伟，
申请(专利权)人：合肥京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34