一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以改善TFT电学均一性，并有效降低TFT的漏电流。阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
非晶硅(a-Si)阵列基板目前是主流的平板显示技术，但是目前的a-Si阵列基板存在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的开态电流(Ion)过低，漏电流(Ioff)过大等问题。a-Si厚度和状态是影响TFT电学特性的主要因素，a-Si厚度不均，则TFT电学均一性较差，从而导致显示不均，TFT的沟道内a-Si表面越粗糙，漏电流越大，影响产品的特性。如图1所示，现有技术a-Si阵列基板的制作方法包括：首先在衬底基板10上制作栅极11；接着，在栅极11上制作栅极绝缘层12；接着，在栅极绝缘层12上依次沉积非晶硅层、掺杂非晶硅层和金属层，在金属层上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，之后再对未被光刻胶覆盖区域的非晶硅层、掺杂非晶硅层和金属层进行刻蚀，形成半导体有源层13、第一欧姆接触层141、第二欧姆接触层142、源极15和漏极16；由于在刻蚀过程中需要对源极15和漏极16之间的沟道区域内的掺杂非晶硅层进行刻蚀，为了保证掺杂非晶硅层被刻蚀后没有残留，实际生产过程中，需要对掺杂非晶硅层进行过刻，由于刻蚀过程存在均一性的问题，这样会造成沟道区域对应位置处的非晶硅层厚度均一性较差和表面粗糙度增大。接着，在源极15和漏极16上制作钝化层17；最后，在钝化层17上制作像素电极18，像素电极18通过贯穿钝化层17的过孔与漏极16电连接。综上所述，由于现有技术TFT的沟道区域对应位置的非晶硅层厚度均一性较差，表面粗糙度较大，因此，现有技术制作形成的TFT的电学均一性较差，漏电流较大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以改善TFT电学均一性，并有效降低TFT的漏电流。本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。由本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该方法首先通过构图工艺制作形成源极和漏极，然后在源极和漏极上通过构图工艺制作形成半导体有源层，与现有技术相比，本专利技术实施例形成的TFT沟道区域对应位置的半导体有源层没有被刻蚀，避免了刻蚀造成的TFT沟道区域对应位置的半导体有源层厚度均一性较差，表面粗糙度较大的问题，保证了TFT电学均一性，并有效的降低了TFT的漏电流。较佳地，在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜之前，所述方法还包括：在所述源极和所述漏极上沉积一层导电膜层；对所述导电膜层进行构图工艺，在所述源极的正上方形成第一欧姆接触层，在所述漏极的正上方形成第二欧姆接触层。较佳地，所述方法还包括：在制作有所述半导体有源层的衬底基板上通过构图工艺制作栅极引线，所述栅极引线与所述栅极电连接。较佳地，所述栅极引线与所述像素电极同层制作。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的栅极、位于所述栅极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的源极和漏极、位于所述源极和漏极上的半导体有源层、位于所述半导体有源层上的钝化层，以及位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔与所述漏极电连接。较佳地，还包括位于所述源极正上方的第一欧姆接触层和位于所述漏极正上方的第二欧姆接触层，所述半导体有源层通过所述第一欧姆接触层与所述源极电连接，所述半导体有源层通过所述第二欧姆接触层与所述漏极电连接。较佳地，还包括与所述像素电极同层绝缘设置的栅极引线，所述栅极引线与所述栅极电连接。较佳地，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的材料为掺杂非晶硅。本专利技术实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。附图说明图1为现有技术的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；图3-图8为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作过程的不同阶段的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以改善TFT电学均一性，并有效降低TFT的漏电流。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。下面结合附图详细介绍本专利技术具体实施例提供的阵列基板及该阵列基板的制作方法。附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。如图2所示，本专利技术具体实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：S201、在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；S202、在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；S203、在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；S204、在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。优选地，本专利技术具体实施例在源极和漏极上沉积一层半导体薄膜之前，还包括：在源极和漏极上沉积一层导电膜层；对导电膜层进行构图工艺，在源极的正上方形成第一欧姆接触层，在漏极的正上方形成第二欧姆接触层。本专利技术具体实施例在源极的正上方制作第一欧姆接触层，在漏极的正上方制作第二欧姆接触层，能够更加有效的降低半导体有源层和源极的接触电阻，以及降低半导体有源层和漏极的接触电阻，能够提高薄膜晶体管的特性。优选地，本专利技术具体实施例提供的阵列基板的制作方法还包括：在制作有半导体有源层的衬底基板上通过构图工艺制作栅极引线，栅极引线与栅极电连接。具体地，本专利技术具体实施例中的栅极引线与像素电极同层制作，这样，在实际生产过程中，栅极引线能够与像素电极同时制作形成，从而能够节省工艺时间，降低生产成本。下面结合附图3-附图8详细介绍本专利技术具体实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜之前，所述方法还包括：在所述源极和所述漏极上沉积一层导电膜层；对所述导电膜层进行构图工艺，在所述源极的正上方形成第一欧姆接触层，在所述漏极的正上方形成第二欧姆接触层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在制作有所述半导体有源层的衬底基板上通过构图工艺制作栅极引线，所述栅极引线与所述栅极电连接。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述栅极引线与所述像素电极同层制作。5.一种阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：白金超，徐文清，王静，丁向前，郭会斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11