一种封装管壳体制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装管壳体，具体涉及一种功率半导体器件封装管壳体。
技术介绍
功率半导体器件封装管壳对整个晶体管的电学和热力学性能影响关系重大。封装管壳为管芯工作提供与外部电路连接的电学通路和散热路径，是保证半导体器件正常工作的重要支撑部分。随着现代通信系统的不断发展，对用于通信电路中的功率放大电路的性能指标也提出了更高的要求。为适应高工作带宽的应用要求，需要在射频电路结构和匹配电路等方面进行优化设计。通常衡量通信系统中功率放大电路宽带性能的一个指标是VBW（视频带宽、瞬时信号带宽），VBW定义为在使用双音信号测试时，三阶交调上下边带非对称性出现拐点时的双音间隔。从射频功率放大电路的匹配电路设计入手，通过使用集总RLC电路匹配，可以实现对VBW的拓展。因此需要在半导体器件封装管壳的设计中考虑到如何方便进行VBW拓展电路的实现。传统封装管壳为了方便提升VBW设计，在输出端引出两个引脚，在封装管壳内部使用键合线与管芯连接，引脚外部直接引出到电路板上，通过外匹配电路的调整以对功率放大电路的VBW进行拓展。或者在管壳内置匹配电容，实现VBW的拓展，但是成本较高。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种封装管壳体为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种封装管壳体，包括金属法兰，所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环，所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚，所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片，设于缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间，并且与输出翅片之间留有距离，所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。所述金属法兰为纯...
【技术保护点】
一种封装管壳体，其特征在于：包括金属法兰，所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环，所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚，所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片，设于绝缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间，并且与输出翅片之间留有距离，所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。
【技术特征摘要】
1.一种封装管壳体，其特征在于：包括金属法兰，所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环，所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚，所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片，设于绝缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间，并且与输出翅片...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋亮，彭虎，
申请(专利权)人：昆山华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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