本发明公开了一种高可靠性HEMT制作方法，包括步骤1，在成型后的HEMT器件上淀积介质层，并对介质层进行平坦化处理；步骤2，在平坦化处理后的介质层上刻蚀若干通孔或槽；步骤3，在通孔或槽中淀积金属层，并对金属层进行平坦化处理；步骤4，在平...

本发明公开了一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底；同时也公开了该结构的制作方法，包括步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层...

本发明公开了一种封装管壳体，包括金属法兰，所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环，所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚，所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片，设于缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间，并且与输出翅...

本发明公开了一种高导热的功率器件封装，包括高导热法兰，所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层，所述第二阻挡层上焊接有芯片。本发明基于现有的成熟法兰材料，对镀层工艺的合理优化，引入缓冲层概念，既保留的法兰高导...

本发明公开了一种LDMOS器件结构，包括金属连接层，所述金属连接层将LDMOS器源极从表面连接至衬底，所述LDMOS器件的沟道为浓度渐变沟道。同时也公开了该器件结构的制作方法。本发明采用多晶硅刻蚀后淀积一层台阶覆盖率高的介质层作为注入阻...

本发明公开了一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构，在传统RF-LDMOS器件的衬底和漏区之间增加埋层掺杂区，通过调节该埋层掺杂区的深度和浓度，可以优化RF-LDMOS器件在击穿条件下漏区的电场分布，增加由漏区垂直向衬底走电流的能力，...

本实用新型公开了一种具有异质埋层的RF LDMOS器件，本实用新型在传统的器件结构基础上，在高掺杂衬底和外延层之间加入异质埋层，该异质埋层与高掺杂衬底和外延层具有相反的掺杂类型，源端金属引线与高掺杂衬底之间通过导电沟槽相连接，导电沟槽穿...

本实用新型公开了一种RF-LDMOS漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极-衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（2...

本发明公开了一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构，包括管芯、连接管芯与输入引脚或者输出引脚的匹配电路，所述匹配电路包括至少一只电容，与输入引脚或者输出引脚通过键合线直接相连的电容与另一端和输入引脚或者输出引脚相连的由键合线构成的...

本发明公开了一种用于功率晶体管的内匹配结构，包括管芯、设于输入端的输入内匹配结构、设于输出端的输出内匹配结构，在输入内匹配结构或者输出内匹配结构中包括至少两个电容，至少两个电容包括一个主电容与至少一个次电容，用于连接电容与管芯的键合线首...

本发明公开了一种RF‑LDMOS自对准的漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极‑衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物...

本发明公开了一种低成本大功率电子器件封装工艺，准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰，在芯片背面制作厚金层或者金锡层，在法兰表面先镀镍层，再镀薄金层，芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。本发明所述的低成本大功率电子器件封装工艺...

本实用新型公开了一种可调节工作频率的射频功率器件，包括依次连接的输入预匹配网络、功率放大器模块和输出预匹配网络，输入、输出预匹配网络或者功率器模块中的电容值或者电感值不是固定不变的，是能够调节控制的，通过改变电容值或者电感值，能够使得功...

本实用新型公开了一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有N型漂移区，所述源极和N型漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝...

本实用新型公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区...

本实用新型公开了一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，功率集成电路芯片中设置一金属板，将无源器件与有源器件隔离，无源器件堆叠在衬底上，减小了集成电路的面积。用来做无源器件的一层不需要复杂的走线，因此可以增加金属的厚度，减小器件的损耗。...

本发明公开了一种可调节工作频率的射频功率器件，包括依次连接的输入预匹配网络、功率放大器模块和输出预匹配网络，输入、输出预匹配网络或者功率器模块中的电容值或者电感值不是固定不变的，是能够调节控制的，通过改变电容值或者电感值，能够使得功率器...

本发明公开了一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，功率集成电路芯片中设置一金属板，将无源器件与有源器件隔离，无源器件堆叠在衬底上，减小了集成电路的面积。用来做无源器件的一层不需要复杂的走线，因此可以增加金属的厚度，减小器件的损耗。大的...

本发明公开了一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有N型漂移区，所述源极和N型漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层...

本发明公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设...