【技术实现步骤摘要】
一种低成本的大功率电子器件封装工艺
本专利技术涉及大功率电子器件的封装工艺领域,具体指一种低成本的大功率器件封装工艺。
技术介绍
大功率电子器件散热要求比较高,芯片贴在法兰上,要保证芯片和法兰之间的热界面层中空洞尽可能的小,金硅共晶焊和金锡共晶焊是目前最好的芯片贴片方式。目前金硅共晶焊主要采用法兰上镀的厚金层和芯片本身的硅在共晶温度363℃以上形成金硅合金,达到良好的贴片效果。金锡共晶焊主要采用涂覆金锡焊膏或者金锡预成型焊片的方法实现芯片的焊接。金硅共晶焊工艺要求法兰表面镀金层厚度在2um以上,以保证金硅共晶焊的质量,因此法兰镀金成本较高。金锡预成型焊片价格比较高,涂覆焊膏的工序又比较麻烦,而且热界面焊接层空洞率会比较高。目前的金硅共晶焊和金锡共晶焊工艺都决定了器件封装成本较高,行业需要一种低成本的新的封装工艺。
技术实现思路
本专利技术目的是:提供一种低成本的大功率电子器件封装工艺。本专利技术的技术方案是:一种低成本大功率电子器件封装工艺,包括步骤:准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰,在芯片背面制作厚金层或者金锡层,在法兰表面先镀镍层,再镀薄金层,芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。所述芯片背面制备的厚金层或金锡层厚度在1um-6um之间。所述法兰表面所镀的镍层厚度在2um-15um之间。所述法兰上所镀薄金层厚度在25nm-1um之间。所述芯片包括硅基芯片、氮化镓芯片和砷化镓芯片。所述大功率电子器件包括LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)、 ...
【技术保护点】
一种低成本大功率电子器件封装工艺,其特征在于:准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰,在芯片背面制作厚金层或者金锡层,在法兰表面先镀镍层,再镀薄金层,芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。
【技术特征摘要】
1.一种低成本大功率电子器件封装工艺,其特征在于:准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰,在芯片背面制作厚金层或者金锡层,在法兰表面先镀镍层,再镀薄金层,芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片;所述芯片背面制备的厚金层厚度在1um-6um之间;所述芯片背面制备的金锡层厚度在1um-6um之间;所述法兰表面所镀的镍层厚度在2um-15um之间。2.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于:所述法兰上所镀薄金层厚度在25nm-1um之间。3.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于:所述芯片包括硅基芯片、氮化镓芯片和砷化镓芯片。4.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于:所述大功率电子器件包括LDMOS器件、IGBT器件、VDMOS器件、HBT器件、MESFET器件、LED和半导体激光器。5.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于:所述芯片背面制备厚金层或者金锡层的封装工艺采用陶瓷封装形式、塑料封装形式或微组装封装形式。6.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于:芯片背面厚金层采用电子束蒸发、...
【专利技术属性】
技术研发人员:马文珍,张耀辉,曾大杰,彭虎,
申请(专利权)人:昆山华太电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。